800V CoolMOS™ CE High Performance for Lighting Applications
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
IPD80R2K8CE; IPU80R2K8CE; IPD80R1K4CE; IPU80R1K4CE; IPD80R1K0CE; IPU80R1K0CE
本数据手册详细介绍了Infineon推出的800V CoolMOS™ CE系列器件，该系列专为照明应用设计，提供800伏击穿电压，采用SuperJunction (SJ)技术，具备低导通电阻和低开关损耗特性，显著提升了电源系统的效率、紧凑性及散热性能。该器件在LED市场中展现出优异的价格与性能比，并具有极低的输出电容储能和栅极电荷，且基于自1998年以来经过现场验证的CoolMOS™技术，确保了产品的可靠性与易用性，主要适用于LED照明及准谐振(QR) Flyback拓扑结构。Infineon在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
LED IRS2982S的多模反激控制器
02/2016
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材料含量数据表IPU80R1K4CE
29. August 2013
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金属氧化物半导体场效应晶体管™ CE 800V冷却液™ CE功率晶体管IPx80R1K4C
Rev. 2.2
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IPU80R2K8CE
29. August 2013
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金属氧化物半导体场效应晶体管™ CE 800V冷却液™ CE功率晶体管IPx80R1K0CE
Rev. 2.2
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IPU80R1K0CE
29. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
金属氧化物半导体场效应晶体管™ CE 800V冷却液™ 功率晶体管IPx80R2K8CE
Rev. 2.2
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IPD80R1K0CE
29. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
产品简介CoolMOS™ 消费和照明应用的CE最佳性价比SJ
10 / 2016
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IPD80R2K8CE
29. August 2013
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| 数据手册 - 中文 |
CoolMOS™ CE适合消费者类电子和照明应用的最具性价比SJ器件
04/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IPD80R1K4CE
29. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
4pu80mosp800v功率晶体管
Rev. 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
产品简介800 V CoolMOS™ P7系列是效率和热性能的新基准
07 / 2016
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| 数据手册 - 英文 |
IPU80R4K5P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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适合工业应用的XMC1100微控制器系列XMC1000系列ARM®Cortex™-M0 32位处理器内核
V1.4
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| 技术文档 - 英文 |
BCR602工程报告60 V、200 mA线性LED控制器演示板工程报告
v1.0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
AURIX Development Studio发行说明
Version 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRF5NJ9540电气特性产品更改通知单
February 8, 2019
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| 技术文档 - 英文 |
模拟辅助功率半导体的热管理
2018/02/12
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| 商品功能框图 - 英文 |
TSOP6（MO-193AA）TSOP6（MO-193AA）
37
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| 数据手册 - 英文 |
宽带射频LDMOS集成功率放大器15w，28v，1800–2200mhz PTMA210152M
Rev. 09
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| 数据手册 - 英文 |
热增强型高功率射频LDMOS FET 240 W，2110–2170 MHz PTFB212503EL PTFB212503FL
Rev. 07.1
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| 数据手册 - 英文 |
BTM7751G三石器
Rev. 1.0
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智能高压侧电源开关ISP762T
V1.4
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IPW60R099CPA冷却液™ 功率晶体管
Rev. 2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
组件概要EasyPIMTM模块AG-EASY1B-2-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
AURIXTM族的命名约定
2016/12/03
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| 技术文档 - 英文 |
IRFB4610PbF IRFS4610PbF IRFSL4610PbF HEXFET®功率MOSFET
09/16/10
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SPW20N60CFD冷却管™ 功率晶体管
Rev. 2.5
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IRF1405PbF HEXFET®功率MOSFET
05/12/10
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IRLMS1503PbF HEXFET®功率MOSFET
1/14/05
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BSZ130N03LS G OptiMOSTM 3功率MOSFET
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
全球导航卫星系统（GNSS）用BGA715N7硅锗低噪声放大器
Revision 1.0
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汽车级AUIRFZ24NS AUIRFZ24NL HEXFET®功率MOSFET
2017-10-13
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| 技术文档 - 英文 |
挖沟机™IGB15N60T系列
Rev. 2.6
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| 数据手册 - 英文 |
集成二极管的IGBT封装提供节省空间的优势IKD10N60RF TRENCHSTOPTM RC系列，用于高达30 kHz的硬开关应用
Rev.2.4
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IR2113E6高低压侧驱动器
05/2011
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| 商品功能框图 - 英文 |
QFN10 3×3包装尺寸
2018/02/08
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| 包装规格/规范 - 英文 |
卷带信息3X3PQFN
2018/02/08
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表TC1798/93/91、TC1748
Rel.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
NPN硅射频晶体管BFS17S
2011-07-20
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
适用于充电器应用的超结MOSFET 600V / 650V / 700V / 800V CoolMOS™CE
本文档介绍了Infineon的CoolMOS™ CE系列Superjunction MOSFET，适用于充电器应用。文章详细阐述了Superjunction MOSFET与标准MOSFET之间的基本差异，包括开关速度、导通和开关损耗等。此外，文章还分析了CoolMOS™ CE在提高效率、减小尺寸和重量、降低热损耗方面的优势，并通过实际测量结果验证了其性能。最后，文章提供了CoolMOS™ CE系列产品的详细规格和设计指南。
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正向电阻™ 适配器应用的CE
本资料介绍了CoolMOS™ CE系列MOSFET在适配器应用中的优势。资料分析了适配器市场趋势，指出30-70W适配器市场巨大，占2019年总量的83%。CoolMOS™ CE系列MOSFET具有高效率、小尺寸和低开关损耗等特点，适用于小型化、智能化和高效能的适配器设计。资料还提供了35W和45W适配器参考设计，以及成功案例，展示了CoolMOS™ CE在适配器应用中的实际效果。
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XDPL8105单级PFC反激式可调光恒流控制器
本资料介绍了基于Infineon XDPL8105和CDM10V的40W LED驱动器设计，包括规格、原理图、物料清单和测量结果。该设计具备单级PFC Flyback功能，支持0至10V调光，适用于高性价比的单级数字Flyback调光LED驱动器设计。资料详细阐述了设计特点、规格参数、电路设计和性能测试，并提供调试指南和常见问题解答。
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产品简介 CoolMOS™ CE 适合消费者类电子和照明应用的最具性价比SJ器件
英飞凌CoolMOS™ CE系列高压功率MOSFET，专为消费电子和照明应用设计，具备高性价比。该系列提供多种电压规格，适用于低功率充电器、LCD、LED电视和LED照明等应用。CoolMOS™ CE具有低导通损耗、低开关损耗和优化的EMI特性，同时保证良好的可控性和可靠性，有助于缩短设计周期，提升市场竞争力。
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正向电阻™ 消费和照明应用的CE最佳性价比SJ
CoolMOS™ CE是英飞凌推出的高压功率MOSFET技术平台，采用超结（SJ）原理设计，旨在满足消费类和照明应用的需求。该系列器件包括500V至800V不同电压等级，针对低功耗充电器、适配器、PC电源、LCD电视、LED电视和LED照明应用等。CoolMOS™ CE具有低导通和开关损耗，优化EMI性能，适用于硬开关和软开关应用，同时易于使用，可缩短设计周期。
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800伏CoolMOS™ P7系列是效率和热性能的新基准
800 V CoolMOS™ P7系列是Infineon推出的新一代800 V超级结技术产品，以其高效能和优异的热性能成为行业新标杆。该系列产品在效率上比800 V CoolMOS™ C3提高了0.1%至0.6%，同时降低了2°C至8°C的MOSFET温度。产品特点包括最佳FOM RDS(on) * Eoss、降低Qg、Ciss和Coss、280 mΩ的DPAK RDS(on)、3 V的V(GS)th和±0.5 V的V(GS)th变化，以及集成的Zener二极管ESD保护。这些特性使得P7系列在提高功率密度设计、降低BOM成本和组装成本方面具有显著优势。
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Infineon（英飞凌）’s system solution for embedded systems
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用于触摸和LED显示控制的7按钮应用套件解决方案
本资料介绍了基于Infineon XC822微控制器的7按钮应用套件解决方案，该套件集成了电容式触摸按钮和LED显示屏控制功能。套件包含7个带有2mm亚克力玻璃覆盖的电容式触摸按钮，每个按钮对应一个LED指示灯。XC822微控制器负责触摸感应控制和LED矩阵驱动，内置优化代码以简化配置和校准。应用示例代码存储在微控制器闪存中，可通过Infineon的DAVE™ Bench开发工具链访问和修改。资料还提供了XC822系列微控制器的详细规格和可用型号。
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