IPW60R037P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor
发布时间:
2018-03-14
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
INFINEON(英飞凌)
型号:
IPW60R037P7
本数据手册详细介绍了Infineon Technologies的600V CoolMOS™ P7系列MOSFET,这是基于超级结(SJ)原理的第七代高压功率MOSFET平台。该系列产品结合了快速开关SJMOSFET的优点与易于使用的特性,具备极低的振荡倾向、出色的体二极管硬开关鲁棒性以及卓越的ESD能力。其极低的开关和导通损耗显著提升了开关应用的效率,有助于实现系统设计的紧凑化与高效冷却。在产品特性方面,该器件适用于硬开关和软开关(如PFC和LLC)拓扑,所有产品均具有卓越的ESD鲁棒性(>2kV HBM)。得益于低于1Ω·mm²的低RDS(on)*A技术,该系列在同类竞争产品中展现出更优的RDS(on)/封装性能,并提供广泛的RDS(on)选择组合,能够满足各种工业和消费级应用的需求。主要应用领域涵盖PFC、硬开关PWM、谐振开关电源级,包括PC银箱、适配器、LCD&PDPTV、照明、服务器、电信及UPS等。Infineon在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台还提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
3.0kW Dual LLC评估板评估3KW 2LLC P7至247
04.04.2017
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| 技术文档 - 英文 |
直流电动汽车充电站用电动汽车充电电源
09/2017
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| 数据手册 - 英文 |
600伏CoolMOS™ P7功率MOSFET
06/2017
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IPP60R180CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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IPDQ60R016CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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IPT60R037CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
IAUCN04S7N015汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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IAUCN04S7L014汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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IAUCN04S7L028汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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IPW60R037CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
IPDD60R180CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
AIMZHN120R160M1T CoolSiC™1200 V SiC沟槽式MOSFET
Revision 1.00
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| 数据手册 - 英文 |
IAUCN10S7N021汽车级MOSFET
Rev. 1.1
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IAUCN04S7L011汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
IAUCN08S7N013汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AIMZHN120R020M1T CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET Final datasheet
Revision 1.00
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| 数据手册 - 英文 |
适合工业应用的XMC4400微控制器系列XMC4000系列mARM®Cortex®-M4 32位处理器内核
V1.2
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| 商品功能框图 - 英文 |
SMD-1带引线轮廓
REV.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRF330电气特性产品变更通知单
April 30, 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
HFB60HF20电气特性产品变更通知单
May 16, 2019
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| 技术文档 - 英文 |
通过图灵测试
2019/10/21
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TSDSON-8-26
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块FF200R33KF2C
revision: 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
IKW15N120T2 TrenchStop®第二代系列低损耗DuoPack:IGBT采用第二代TrenchStop®技术,具有软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
Rev. 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
IKB20N60T槽顶™ 系列低损耗DuoPack:IGBT沟顶™以及软,快速恢复反平行发射极控制氦二极管的场阻技术
Rev. 2.7
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表TLE4941C
29. January 2016
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-SSO-3-92
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
TLE4998评估套件,用于TLE4998的程序员工具和软件
2016/12/09
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| 数据手册 - 英文 |
SP37 1300kPa胎压传感器
06 / 2012
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| 测试报告 - 英文 |
用于FM/VHF/UHF 76-880MHz应用的BGB741L7低噪声放大器
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BFP840FESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
BF低噪声硅锗双极晶体管P740
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
BFP640低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 2.0
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| 商品功能框图 - 英文 |
至SUPER-27AA(SUPER-27AA)至SUPER-27AA(SUPER-27AA-274)
VER.37
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| 商品功能框图 - 英文 |
至-262AA
2018/02/08
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| 数据手册 - 英文 |
教授™+12V BTS5016-2EKA智能高压侧电源开关双通道,16mΩ
Rev 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PROFET®数据表BTS50085-1TMA智能高压侧大电流电源开关
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
热增强型50VpxFc1915射频场效应晶体管
Rev. 02.1
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TLE8108EM智能8通道低端继电器驱动器,带SPI接口coreFLEX TLE8108EM
Rev. 1.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
EconoPACK包装大纲™2模块AG-ECONO2-6-1 FS50R12KT4\U B11
Revision 01.00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
600V CoolMOS™ P7 Infineon(英飞凌)’s most well balanced high voltage MOSFET technology
本文介绍了Infineon公司最新推出的600V高压超结MOSFET技术——600V CoolMOS™ P7。该技术具有快速开关、低导通损耗、低振荡趋势等特点,同时提供超过2kV(HBM)的ESD鲁棒性,适用于高效率、高功率密度、高可靠性及良好热性能的电源转换器设计。与上一代产品600V CoolMOS™ P6相比,P7在性能、易用性和价格方面具有优势,适用于硬开关和软开关拓扑结构,如PFC和LLC。
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使用600 V CoolMOS的3千瓦双相LLC演示板™ P7与XMC4400数字控制
本文介绍了3 kW双相LLC评估板的设计和性能,适用于电信和工业应用中的隔离高压DC-DC转换器。该评估板采用Infineon解决方案,包括高压和低压功率MOSFET、控制器和驱动器,展示了设计高压DC-DC阶段的高效方法。通过适当的控制技术和最佳功率器件选择,实现了非常平坦的效率曲线。主要内容包括双相LLC设计概念、可靠性特性、图形用户界面(GUI)和性能评估。
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XDPL8105单级PFC反激式可调光恒流控制器
本资料介绍了基于Infineon XDPL8105和CDM10V的40W LED驱动器设计,包括规格、原理图、物料清单和测量结果。该设计具备单级PFC Flyback功能,支持0至10V调光,适用于高性价比的单级数字Flyback调光LED驱动器设计。资料详细阐述了设计特点、规格参数、电路设计和性能测试,并提供调试指南和常见问题解答。
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Infineon工具箱入门指南
本指南介绍了Infineon Toolbox的使用方法,包括下载、安装、管理工具、更新工具、获取帮助和支持等步骤。指南详细说明了如何通过Toolbox访问和管理各种工具,以及如何配置代理设置和请求技术支持。
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XC27X4X系列32/16位动力总成微控制器
该资料介绍了Infineon Technologies AG生产的XC27x4X系列32/16位动力总成微控制器。这些微控制器针对动力系统应用设计,具备高性能CPU、可扩展内存和高性能双模数转换器等特点。产品特点包括高效率的单周期指令执行、集成多种存储器和先进的周边设备,适用于汽车动力系统、小型发动机管理和高效能电机等领域。文档还提供了不同型号的产品规格表和联系方式。
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Infineon在线工程工具入门
本文介绍了Infineon公司提供的在线工程工具,旨在帮助工程师选择、评估和设计产品。文章概述了产品选择工具、解决方案查找器、设计工具和模拟工具,并提供了如何使用这些工具的指导。此外,还介绍了Infineon Designer在线数字原型工具和IPOSIM功率模拟工具,以及如何获取技术支持。
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TC26xD–奥里克斯™ 家庭表现符合安全产品简介
AURIX™系列微控制器是Infineon针对汽车行业推出的新产品,具备高性能和多核架构,支持最高安全标准。该系列采用三核32位TriCore™ CPU,提供卓越的实时性能和丰富的安全特性,适用于动力系统、车身、安全和ADAS应用。产品具有高性能、低功耗和多种封装选项,适用于广泛的汽车应用。
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梅鲁斯™ D级音频解决方案更凉爽、更小、更轻的扩音器,适用于音质卓越的音频产品
Infineon的MERUS™系列D类音频解决方案提供高效、小型、轻便的音频放大器,适用于各种音频产品。这些解决方案包括低功耗和高功率音频放大器IC、多芯片模块(MCMs)和离散音频放大器驱动IC。MERUS™产品旨在提供卓越的音频性能、最大化的功率效率和可靠性,适用于便携式、家用和专业音频应用。
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汽车应用指南驱动汽车电子的未来
本资料由Infineon Technologies提供,主要介绍了其在汽车电子领域的应用指南。内容涵盖动力系统、安全应用、车身和便利性应用等方面,详细阐述了Infineon在汽车电子领域的解决方案和产品,包括传感器、微控制器和功率半导体等。资料强调了Infineon在提高汽车安全性、效率和可持续性方面的贡献,并展示了其在新能源汽车、主动安全系统和智能驾驶辅助系统等方面的技术优势。
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硅锗低噪声放大器BGA7H1N6低噪声放大器LTE波段-42(3400-3600兆赫),使用0201组件
本应用笔记详细介绍了Infineon的BGA7H1N6低噪声放大器(LNA)在LTE Band-42(3400-3600 MHz)应用中的设计。内容包括BGA7H1N6的特性和描述,应用电路和性能概述,以及测量结果和评估板布局信息。该LNA适用于需要单频段LNA MMIC的LTE Band-42接收器,关键性能参数包括增益、噪声系数、OIP3和IP1dB。
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