LB1937T: Low Voltage, Low Saturation, Bidirectional Stepping Motor Driver
发布时间：
2018-03-15
类型：
用户指南，使用手册、操作指南
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
LB1937T-TLM-E
该数据手册详细介绍了LB1937T这一款低电压、低饱和度双向步进电机驱动IC。该器件专为低电压驱动设计，能够同时驱动两个步进电机，凭借小型封装和极少的外部组件需求，有效降低了安装面积。LB1937T提供高效率的电机驱动方案，有助于减少电路电流消耗，并配备电流检测引脚与PWM控制输入，支持在系统级别实现精准的电流斩波控制。其关键特性涵盖低饱和电压正反转电机驱动、四H桥通道、宽电压范围支持、内置热关断电路以及薄型小型封装，广泛应用于数码相机、打印机和电影相机中的镜头驱动场景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，从而缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述LB1937T：低电压，低饱和，双向步进电机驱动器
10/27/2017
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| 测试报告 - 英文 |
LB1937T-TLM-E材料成分声明
2019-08-31
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| 测试报告 - 英文 |
LB1937T-TLM-E材料成分声明
2019-05-14
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LB1937T-TLM-E
2018-01-23
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材料成分声明LB1937T-TLM-E
2018-01-02
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材料成分声明LB1937T-MPB-E
2018-01-23
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材料成分声明LB1937T-MPB-E
2018-01-02
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| 测试报告 - 英文 |
LB1937T-MPB-E材料成分声明
2019-08-10
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LB1937T-MPB-E材料成分声明
2019-05-14
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| 数据手册 - 英文 |
ATP304 MOSFET–功率，P沟道-60 V，6.5 mΩ，-100 A数据手册
Rev. 3
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BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管数据表
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NCV51705单通道6 A高速、低端SiC MOSFET驱动器
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用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
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FSCQ0765RT/FSCQ0965RT/FSCQ1265RT/fscq1565RT绿色模式Fairchild电源开关（FPS）
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FPF2595 IntelliMAX™28 V过压、过流保护负载开关，带可调限流控制数据表
Rev. 2
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NCP51563 5 kV-RMS、4.5 A/9 A隔离式双通道栅极驱动器数据手册
Rev. P2
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用于自由运行准谐振操作的NCP1338 PWM电流模式控制器
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NCS7101，NCV7101 1.8伏轨对轨运算放大器
Rev. 5
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NCV5705B、NCD5705B高电流IGBT栅极驱动器
Rev. 3
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mbrm120lt1g，nrvbm120lt1g，mbrm120lt3g，nrvbm120lt3g 1.0 A，20 V表面贴装肖特基功率整流器
Rev. 7
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FDB035N10A MOSFET–N沟道，PowerTrench®
Rev. 3
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AFGY100T65SPD场截止沟槽式IGBT，带软快速恢复二极管，100 A，650 v
Rev. 0
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NGTB15N120FL2WG IGBT-现场停止II
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MM5ZxxxT1G系列、SZMM5ZxxxT1G系列齐纳稳压器
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NVG450A120L5DSC汽车级1200 V、450 A双侧冷却半桥电源模块VE-TRAC™双路
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AR0833 1/3.2英寸8 Mp CMOS数字图像传感器
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BAV99W、BAV99RW SC-70/SOT-323双系列开关二极管数据表
Rev. 10
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BAS21SLT1G，NSVBAS21SLT1G双系列高压开关二极管，250V数据表
Rev. 7
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BAS21M3T5G 250V高压开关二极管数据表
Rev. 1
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LM431SA、LM431SB、LM432SC可编程分流稳压器数据手册
Rev. 10
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NCP133 500 mA、超低压差偏置轨CMOS稳压器
Rev. 5
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MC74HCT595A 8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，具有锁存3态输出和LSTTL兼容输入
Rev. 1
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NB3L204K 2.5V，3.3V差分1:4 HCSL扇出缓冲器
Rev. 1
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FSA634 2：1 MIPI D-PHY（1.5 Gbps）4数据通道开关
Rev. 1
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NTMFS4933N MOSFET–功率，单通道，N沟道，SO-8 FL 30 V，210 A
Rev. 9
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NTMFS5C430N-功率MOSFET 40 V，1.7 mΩ，185 A，单N−通道\n
Rev.0
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CAT9532 I/O端口扩展器，I2C/SMBus，16位，带LED调光
Rev. 5
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MUN5235DW1、NSBC123JDXV6、NSBC123JDP6双通道NPN偏置电阻晶体管R1=2.2 kΩ，R2=47 kΩNPN晶体管，采用单片偏置电阻网络
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FQB22P10TM-F085 100V P沟道MOSFET
Rev. 1
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NC7SZ10 TinyLogic UHS 3输入与非门
Rev. 2
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应用/方案
具有电压和电流限制的离线临界传导开关电源应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的两种关键控制IC，MC33364和MC33341，用于设计高效、低EMI的离线开关电源和电池充电器。MC33364作为主控IC，支持宽输入电压范围，全栅极驱动，频率钳位和初级侧控制。MC33341作为次级控制器，提供精确的电压参考和电流限制。文章还讨论了传统阻塞振荡器和经典次级侧控制方法的局限性，并提供了设计实例和变压器设计指南。
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在高功率应用中使用DSP混合电路初步设计技巧应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的DSP混合电路在高压应用中的使用，特别是GB3211 Power PARAGON®及其后续产品。文章详细阐述了如何使用这些混合电路，包括其Power-On-Reset（POR）电路的功能，以及如何设计RC电源滤波网络以减少高压电路中的纹波。此外，文章还讨论了锌空气电池和零偏置接收器阻抗的特性，以及如何设计电源滤波器以优化系统稳定性。
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在高速LVDS中继器上使用VBB参考应用笔记
本文档主要介绍了Fairchild Semiconductor的LVDS（低电压差分信号）2、4、8端口中继器的设计和应用。这些中继器适用于高速互连，提供低电磁干扰（EMI）和低功耗，数据速率可达1.2Gb/s。文档详细说明了VBB输出参考电压在AC耦合输入应用中的作用，并讨论了何时以及如何使用VBB参考电压来优化链路性能。此外，还讨论了为什么需要在信号中采用AC耦合，以及如何通过VBB实现不同信号标准之间的互操作性。
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产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
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产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
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产品概述FAN4800AU：功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，线路下垂保护
FAN4800AU是一款集成的功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，专为包含升压PFC和PWM的电源设计。它具有多种保护功能和补偿能力，外部组件需求极少。该产品支持电流模式或电压模式PWM操作，适用于桌面电脑、LCD电视和显示器等应用。FAN4800AU与ML4800、FAN4800、CM6800和CM6800A兼容，具有低功耗、创新开关电荷倍增器、平均电流模式输入电流整形、PFC过压和欠压保护等特点。
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AN-8017 FMS6151评估板应用说明
本文档为FMS6151评估板应用笔记，介绍了FMS6151视频滤波器的性能评估。FMS6151是一款低成本、集成的视频滤波器，旨在替代3V便携式视频应用中的无源LC滤波器和驱动器。该设备可在2.7V至5.5V的Vcc范围内运行，提供比典型的2阶和3阶无源解决方案更好的图像质量。文档还提供了评估板的设置和测试方法，以及布局考虑因素。
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Rhythy™SA3229低成本耳背式（BTE）助听器参考设计
该资料介绍了ON Semiconductor的Rhythm SA3229参考设计，这是一个低成本后置耳式助听器的硬件参考设计。设计基于SA3229预配置DSP系统，包含一个SA3229设备，可实现具有先进功能和规格的经济型数字助听器。资料详细描述了设计步骤、组件、工具和配置过程，包括声学接收器、麦克风、音量控制、按钮开关、调谐器接口和BTE外壳等。此外，还提供了BTE的建模、配置和校准方法，以及故障排除指南。
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用于RKE的NSVF5490SK 434 MHz低噪声放大器
本资料介绍了ON Semiconductor的AND9601/D应用笔记，详细阐述了NSVF5490SK作为低噪声放大器（LNA）在远程无钥匙进入（RKE）系统中的应用。内容包括产品概述、电路设计、性能参数、评估板材料清单等，旨在帮助用户了解NSVF5490SK在RKE系统中的性能和适用性。
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