Material Composition Declaration 1-of-8 Decod/Demux
发布时间：
2018-03-16
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
74VHC138SJX
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74VHC138 3-to-8解码器/解复用器产品概述
3/31/2019
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材料成分声明74VHC138SJX
2018-01-09
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74VHC138:3对8解码器/解复用器
10/29/2017
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74VHC138 3-to-8解码器/解复用器
Revised April 1999
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74VHC138SJX材料成分声明
2020-02-02
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74VHC138SJX材料成分声明
2019-07-18
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74VHC138SJX材料成分声明
2019-05-12
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74VHC138 3-to-8 Decoder/Demultiplexer
April 1999
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74VHC138 3-to-8 Decoder/Demultiplexer
April 1999
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材料成分声明1/8 Decod/Demux
2017-12-02
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材料成分声明1/8 Decod/Demux
2017-12-02
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材料成分声明1/8 Decod/Demux
2017-12-02
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材料成分声明1/8 Decod/Demux
2017-12-02
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产品概述MC74VHC138：3到8线解码器
11/17/2017
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材料成分声明74VHC138MX
2018-01-09
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MC74VHC138-3至8线路解码器
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
74VHC138MTC材料成分声明
2019-07-18
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74VHC138MTC材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC138 3-to-8线解码器
Rev. 5
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MC74VHC138 3-to-8线解码器
Rev. 5
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MC74VHC138 3-to-8线解码器
Rev. 5
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MC74VHC138 3-to-8线解码器
Rev.5
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MC74VHC138 3-to-8线解码器
Rev. 5
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MC74VHC138 3-to-8线解码器
Rev. 5
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材料成分声明74VHC138M
2018-01-09
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MC74VHC138 3-to-8线解码器产品概述
3/31/2019
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| 测试报告 - 英文 |
74VHC138M材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
74VHC138M材料成分声明
2019-05-12
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| 测试报告 - 英文 |
74VHC138MX材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
74VHC138MX材料成分声明
2019-05-12
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHC138DR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC138DR2材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC138DT材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC138DT材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC138MEL材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC138MEL材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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MC74VHC138DG材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC138DG材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHC138DG
2018-01-09
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世强AI
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应用/方案
74VHC138:3对8解码器/解复用器
74VHC138是一款高级高速CMOS 3至8译码/多路复用器，采用硅栅CMOS技术制造。它实现了与等效双极性肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。当设备启用时，3个二进制选择输入（A0、A1和A2）确定哪个输出（O#0至O#7）将变为低电平。当使能输入E3保持低电平或E#1或E#2保持高电平时，解码功能被抑制，所有输出变为高电平。E3、E#1和E#2输入提供以简化级联连接，并用作存储系统的地址解码器。输入保护电路确保在不受电源电压影响的情况下，0V至7V可应用于输入引脚。该设备可用于5V至3V系统的接口和双电源系统，如电池备份。该电路防止因电源和输入电压不匹配而损坏设备。特点包括高速、低功耗、高噪声免疫、所有输入提供掉电保护，引脚和功能与74HC138兼容。适用于多种通用应用。
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MC74VHC138:3对8线解码器
MC74VHC138是一款高速CMOS 3-8线译码器，采用硅栅CMOS技术制造。它具有类似双极性肖特基TTL的高速度操作，同时保持CMOS的低功耗。该器件通过三个二进制选择输入（A0-A2）确定哪个输出（Y0-Y7）会变为低电平。当使能输入E3保持低电平或E2bar或E1bar任一保持高电平时，解码功能被抑制，所有输出变为高电平。该器件提供E3、E2bar和E1bar输入，以简化级联连接并用作存储系统的地址解码器。内部电路由三个阶段组成，包括一个缓冲输出，提供高噪声免疫和稳定的输出。输入可承受高达7V的电压，允许5V系统与3V系统接口。主要特点包括高速、低功耗、高噪声免疫、电源关闭保护、平衡传播延迟、2V至5.5V工作范围、低噪声、引脚和功能与其他标准逻辑族兼容、抗闩锁性能超过300mA以及ESD性能。
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NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等，并提供参考设计和设计笔记，助力设计师快速提升系统效率。
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AN-4151 采用FSFR 系列飞兆电源开关(FPS™) 的半桥LLC 谐振变换器的设计
本文介绍了采用FSFR系列飞兆电源开关（FPS™）的半桥LLC谐振变换器的设计。文章首先阐述了谐振开关技术在降低开关损耗和噪声方面的优势，接着详细解释了LLC谐振转换器的工作原理、变压器与谐振网络的设计、元器件的选型，并给出了设计实例。文章还讨论了LLC谐振转换器的工作模式、可达最大增益、FSFR系列产品的特征以及设计步骤。
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产品概述CAT24C05:4-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C05是一款4kb的I2C串行EEPROM存储器，内部组织为32页，每页16字节，总共512x8位。支持标准（100kHz）和快速（400kHz）I2C协议。数据写入时，通过提供起始地址，将1到16个连续字节加载到页写缓冲区，然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时，提供起始地址，然后串行移出数据，同时自动增加内部地址计数。通过将WP引脚置高，可以禁止对内存上半部分的写操作。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达四个CAT24C05设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.8V至5.5V供电电压范围、16字节页写缓冲区、内存上半部分的硬件写保护、I2C总线输入（SCL和SDA）上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、100万次编程/擦除周期、工业温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。适用于报警系统、音频播放器、汽车系统、电缆调制解调器、CDRW等应用。
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