ECH8660 Power MOSFET
发布时间：
2021-06-15
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
ECH8660-TL-; ECH8660-TL-H; ECH8660
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
ECH8301 P沟道功率MOSFET-30V，-9A，17mΩ，单ECH8
March,2014
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8309-TL-H材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8309-TL-H材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8309-TL-H材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8315电源数据表
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8309-TL-H
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8309-TL-H
2017-12-05
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8309 P沟道功率MOSFET产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-20
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8309 P沟道功率MOSFET，-12V，-9.5A，16mΩ，单ECH8
July, 2013
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8310-TL-H材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8310-TL-H材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8310-TL-H材料成分声明
2019-03-31
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| 电路原理图 - 英文 |
LC709501A05GEVB版本2
REVISION:0
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8659电源数据表
Rev.2
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| 技术文档 - 英文 |
半导体产品目录
2019/03/28
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8657 N沟道功率MOSFET
July, 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8652-TL-H
2018-01-28
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8652-TL-H
2018-01-23
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8654 P沟道功率MOSFET
2013/7/22
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8315:P沟道功率MOSFET产品概述
8/15/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8310-TL-H
2018-01-18
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8308:P沟道功率MOSFET，-12V，-10A，12.5mΩ产品概述
8/14/2019
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8102-TL-H材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8309：P沟道功率MOSFET-12V、-9.5a、16MΩ
2/22/2020
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8695R-TL-W材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述ECH8310:P沟道功率MOSFET，-30V，-9A，17mΩ，单ECH8
11/26/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8695R-TL-W
2018-01-22
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8695R-TL-W
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8308产品概述：P沟道功率MOSFET，-12V，-10A，12.5mΩ，单ECH8
1/19/2018
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8308产品概述：P沟道功率MOSFET，-12V，-10A，12.5mΩ，单ECH8
12/26/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8655R-R-TL-H
2018-01-22
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ECH8655R-R-TL-H
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8667 P沟道功率MOSFET双通道ECH8
July, 2013
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8315-TL-H 6级材料成分声明
2019-08-15
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8420 N沟道功率MOSFET
2013/7/5
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8655R:N沟道功率MOSFET，24V，9A，17mΩ，双ECH8
12/26/2017
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8655R-TL-H材料成分声明
2019-09-01
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述ECH8655R:N沟道功率MOSFET，24V，9A，17mΩ，双ECH8
1/19/2018
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| 测试报告 - 英文 |
ECH8308-TL-H材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
ECH8310:P沟道功率MOSFET，-30V，-9A，17mΩ，单ECH8
12/31/2017
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世强AI
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应用/方案
使用LC709511F的电源组应用说明
本文档为AND9571/D型锂离子电池充电控制器LC709511F的应用说明。该控制器适用于移动电源（Power Bank）应用，具备Type-C端口控制、Quick Charge 3.0 HVDCP和Smartswitch等功能。内置开关控制器可输出5V至12V电压，支持USB Type-C双角色功能，并具备电池电量检测、状态显示等功能。文档详细介绍了LC709511F的特性和应用，包括电路设计、组件选择、测试结果等。
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使用LC709511F的电源组应用说明
本文档为AND9571/D，主要介绍了基于LC709511F的移动电源应用笔记。LC709511F是一款锂离子切换充电控制器，适用于移动电源。该器件具备控制移动电源应用所需的所有功能，包括Type-C端口控制、Quick Charge 3.0 HVDCP和智能切换。内置切换控制器可输出5V至12V电压，以支持Quick Charge。支持USB Type-C双角色，无需外部端口控制IC。此外，还具备电池电量检测、状态和电池级别显示、过压/过流检测、JEITA合规电池管理、安全定时器等功能。
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门极驱动用低饱和晶体管
本文介绍了用于门极驱动的低饱和晶体管（AND9285/D），适用于控制超过100A电流的IGBT或MOSFET。文章详细讨论了门极驱动电路的配置，包括单电路、隔离输入电路和非隔离电路。此外，文章还提供了选择门极驱动晶体管的方法，包括考虑VCEO、电流规格和如何选择合适的晶体管。最后，文章列出了不同规格的门极驱动晶体管产品系列。
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消费电子解决方案手册：安森美半导体为家庭娱乐和信息、小型电器和白色家电提供全面的解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C接口元器件领域的解决方案，包括为移动电源、AC-DC适配器、壁式插座、坞站、主动线缆、蓝牙低功耗无线电SoC、IEEE 802.15.4无线收发器、Sigfox解决方案、低功耗无线电解决方案、KNX收发器、PoE控制器、图像传感器、视频信号放大器、自动对焦驱动器、光学图像稳定驱动器和电容式触摸传感器等。这些解决方案旨在提供高效、可靠和灵活的接口解决方案，以满足各种消费电子产品的需求。
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便携式和可穿戴式解决方案宣传资料手册
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便携式和可穿戴解决方案节能创新
该资料主要介绍了ON Semiconductor在便携和可穿戴设备领域的元器件解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定（OIS）和自动对焦（AF）控制器/驱动器、摄像头模块电机驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块电源管理单元（PMIC）、音频处理器、蓝牙低功耗（BLE）技术无线电SoC、音频放大器、低功耗比较器、音频插孔检测解决方案、HiFi和低阻音频开关、USB Type-C混合模式开关、智能手机系统设备等。这些解决方案旨在提供高性能、低功耗和紧凑的封装，以满足便携和可穿戴设备的需求。
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消费电子解决方案
本文介绍了多种图像传感器及其应用，包括无人机、VR/AR头戴设备、网络摄像头、深度感应摄像头和360°及家庭安全摄像头等。文章详细介绍了不同型号传感器的特点、分辨率、帧率和封装类型。此外，还涉及了图像传感器在视频流、家庭监控、手势控制和无接触游戏控制等领域的应用。
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便携式和可穿戴解决方案
本资料主要介绍了ON Semiconductor在元器件行业的多款产品和应用解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定驱动器、自动对焦驱动器、图像传感器、相机模块PMIC、音频处理器、音频系统解决方案、蓝牙低功耗技术无线电SoC、音频放大器、电池管理、低功耗比较器、音频插孔检测、HiFi和低电阻开关、混合模式开关、RF天线调谐解决方案、集成无源器件等。这些产品广泛应用于便携式和可穿戴设备，提供高性能、低功耗和优化的用户体验。
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便携式和可穿戴解决方案的扩展产品组合
该资料详细介绍了ON Semiconductor在便携式和可穿戴解决方案方面的产品组合，涵盖了电池保护、电源管理、摄像头模块、音频处理、无线连接和射频天线调谐等多个领域。资料中展示了多种产品，包括电池保护器、DC-DC转换器、摄像头模块、音频放大器、低功耗比较器和音频插孔检测解决方案等。此外，还介绍了ON Semiconductor的CMOS成像传感器、光学图像稳定驱动器、闭环自动对焦驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块PMIC、BelaSigna音频处理器、便携式声音解决方案和蓝牙低能耗技术无线电SoC等产品。
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