Material Composition Declaration ANA 0.3A 2.5V LDO VREG
发布时间：
2018-03-20
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC33275DT-2.5G
本物质成分声明详细介绍了ANA 0.3A 2.5V LDO稳压器的材料构成与合规性信息。该资料严格依据RoHS指令要求，全面阐述了产品中各类化学物质的成分、CAS编号、具体含量以及是否包含限制物质，确保用户能够准确评估产品的环保合规情况。此外，声明中还涵盖了制造商联系方式、产品规格详情、制造地点及工艺参数等关键数据，为元器件的选型与审核提供了详实的技术依据。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并具备充足的库存以满足不同阶段的采购需求。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型建议、设计验证及调试服务，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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MC33275，NCV33275 300 mA稳压器-低压差
Rev. 21
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材料成分声明MC33275DT-2.5G
2018-01-16
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MC33275 NCV33275稳压器-低压差300 mA
Rev. 20
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MC33275DT-2.5G材料成分声明
2020-01-25
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MC33275DT-2.5G材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-2.5G材料成分声明
2019-03-30
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产品概述MC33275：线性稳压器，LDO，300 mA
12/28/2017
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MC33275线性稳压器产品概述
3/28/2019
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MC33275、NCV3327稳压器-低压差
Rev. 20
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材料成分声明ANA 0.3A 5V LDO VREG
2018-01-16
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材料成分声明ANA 0.3A 5V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 5V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 5V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 5V LDO VREG
2017-12-03
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MC33275，NCV33275稳压器-低压差
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MC33275DT-3.0G材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-3.0G材料成分声明
2019-03-30
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MC33275，NCV33275 300 mA，低压差稳压器
Rev. 20
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材料成分声明ANA 0.3A 3.3V LDO VREG
2018-01-16
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材料成分声明ANA 0.3A 3.3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 3.3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 3.3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 3.3V LDO VREG
2017-12-03
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MC33275DT-5.0RKG材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-5.0RKG材料成分声明
2019-03-30
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MC33275DT-2.5RKG材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-2.5RKG材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明ANA 0.3A 3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明MC33275DT-3.0G
2018-01-16
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材料成分申报表MC330G-2755
2018-01-16
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MC33275DT-3.3RKG材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-3.3RKG材料成分声明
2019-03-30
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MC33275DT-3.0RKG材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-3.0RKG材料成分声明
2019-03-30
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MC33275DT-5.0G材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-5.0G材料成分声明
2019-03-30
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MC33275DT-3.3G材料成分声明
2019-07-13
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MC33275DT-3.3G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明ANA 0.3A 2.5V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 2.5V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 0.3A 2.5V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明MC33275DT-2.5RKG
2018-01-16
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应用/方案
产品概述MC33275：线性稳压器，LDO，300 mA
MC33275系列是一款低功耗低 dropout (LDO) 线性电压稳压器，具有多种输出电压和封装选项，包括DPAK、SOT-223和SOP-8。该器件具有非常低的静态电流，可提供高达300 mA的输出电流。内部电流和热限保护通过输出短路和内部热关断电路实现。MC33275适用于电池供电的计算机、消费和工业设备，可延长电池寿命。主要特点包括低静态电流、低输入输出电压差、极好的线路和负载调节性能。
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NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等，并提供参考设计和设计笔记，助力设计师快速提升系统效率。
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AN-4151 采用FSFR 系列飞兆电源开关(FPS™) 的半桥LLC 谐振变换器的设计
本文介绍了采用FSFR系列飞兆电源开关（FPS™）的半桥LLC谐振变换器的设计。文章首先阐述了谐振开关技术在降低开关损耗和噪声方面的优势，接着详细解释了LLC谐振转换器的工作原理、变压器与谐振网络的设计、元器件的选型，并给出了设计实例。文章还讨论了LLC谐振转换器的工作模式、可达最大增益、FSFR系列产品的特征以及设计步骤。
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产品概述CAT24C05:4-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C05是一款4kb的I2C串行EEPROM存储器，内部组织为32页，每页16字节，总共512x8位。支持标准（100kHz）和快速（400kHz）I2C协议。数据写入时，通过提供起始地址，将1到16个连续字节加载到页写缓冲区，然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时，提供起始地址，然后串行移出数据，同时自动增加内部地址计数。通过将WP引脚置高，可以禁止对内存上半部分的写操作。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达四个CAT24C05设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.8V至5.5V供电电压范围、16字节页写缓冲区、内存上半部分的硬件写保护、I2C总线输入（SCL和SDA）上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、100万次编程/擦除周期、工业温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。适用于报警系统、音频播放器、汽车系统、电缆调制解调器、CDRW等应用。
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