BC856BW: PNP Bipolar Transistor
发布时间：
2021-07-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
BC856BW; BC856BWT1G; SBC856BWT1G; BC858BWT1
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BC856BW PNP双极晶体管产品概述
8/13/2019
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材料成分声明SBC856BWT1G
2018-01-28
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BC856BW：PNP双极晶体管
1/27/2018
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SBC856BWT1G材料成分声明
2019-09-03
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BC856B、BC857B、BC858A通用晶体管
Rev.5
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BC856BWT1G材料成分声明
2019-08-13
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BC856B、BC857B、BC858A通用晶体管PNP硅数据表
Rev. 5
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材料成分声明BC856BWT1G
2018-01-28
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BC856B、BC857B、BC858A PNP硅通用晶体管
Rev. 5
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BC856BWT1材料成分声明
2019-08-13
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BC856B、BC857B、BC858A通用晶体管PNP硅
Rev. 4
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材料成分声明BC856BWT1
2018-01-28
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BC858CW通用晶体管产品概述
8/16/2019
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BC858CW：通用晶体管产品概述
3/7/2019
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BC858BWT1材料成分声明
2019-08-16
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BC858BW：PNP双极晶体管
2/1/2018
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材料成分声明BC858BWT1
2018-03-31
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BC856B：双通道PNP双极晶体管
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC858BWT1G
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC856B双PNP双极晶体管产品概述
8/11/2019
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| 测试报告 - 英文 |
BC858BWT1G材料成分声明
2019-08-16
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SBC856BLT1材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
SBC856BLT1材料成分声明
2019-07-16
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SBC856BLT1材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC856系列PNP双极晶体管产品概述
8/13/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SBC856BLT1
2018-01-28
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| 数据手册 - 英文 |
BC856ALT1G系列通用晶体管
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
SBC856BLT3材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
SBC856BLT3材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
SBC856BLT3材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC857BW:PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BL：PNP双极晶体管产品概述
5/21/2021
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BC856BL PNP双极晶体管产品概述
3/29/2019
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BC856BL：PNP双极晶体管
5/20/2021
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BC856BL：PNP双极晶体管
2/27/2020
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BL：PNP双极晶体管
1/27/2018
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SBC856BDW1T1G材料成分声明
2019-08-13
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SBC856BDW1T3G材料成分声明
2019-09-12
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SBC856BDW1T3G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SBC856BLT3
2018-01-28
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| 数据手册 - 英文 |
BC856：PNP外延硅晶体管
1/27/2018
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SBC856BLT1G材料成分声明
2020-4-13
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SBC856BLT1G材料成分声明
2019-07-16
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世强AI
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应用/方案
CS5171跟踪升压稳压器
本文档为ON Semiconductor公司提供的DN06022/D设计笔记，主要介绍了一种基于CS5171的跟踪升压稳压器设计。该设计通过在典型升压电路中添加电流镜电路，使用户能够选择升压电压量，并确保输入和输出电压之间的恒定差值。该电路适用于高侧驱动应用，并可在低输入电压条件下确保PWM控制器能够正确启动。设计笔记中详细描述了电路的工作原理、关键元件的选择以及电路的优缺点。
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便携式和可穿戴式解决方案宣传资料手册
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便携式和可穿戴解决方案节能创新
该资料主要介绍了ON Semiconductor在便携和可穿戴设备领域的元器件解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定（OIS）和自动对焦（AF）控制器/驱动器、摄像头模块电机驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块电源管理单元（PMIC）、音频处理器、蓝牙低功耗（BLE）技术无线电SoC、音频放大器、低功耗比较器、音频插孔检测解决方案、HiFi和低阻音频开关、USB Type-C混合模式开关、智能手机系统设备等。这些解决方案旨在提供高性能、低功耗和紧凑的封装，以满足便携和可穿戴设备的需求。
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便携式和可穿戴解决方案
本资料主要介绍了ON Semiconductor在元器件行业的多款产品和应用解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定驱动器、自动对焦驱动器、图像传感器、相机模块PMIC、音频处理器、音频系统解决方案、蓝牙低功耗技术无线电SoC、音频放大器、电池管理、低功耗比较器、音频插孔检测、HiFi和低电阻开关、混合模式开关、RF天线调谐解决方案、集成无源器件等。这些产品广泛应用于便携式和可穿戴设备，提供高性能、低功耗和优化的用户体验。
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便携式和可穿戴解决方案的扩展产品组合
该资料详细介绍了ON Semiconductor在便携式和可穿戴解决方案方面的产品组合，涵盖了电池保护、电源管理、摄像头模块、音频处理、无线连接和射频天线调谐等多个领域。资料中展示了多种产品，包括电池保护器、DC-DC转换器、摄像头模块、音频放大器、低功耗比较器和音频插孔检测解决方案等。此外，还介绍了ON Semiconductor的CMOS成像传感器、光学图像稳定驱动器、闭环自动对焦驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块PMIC、BelaSigna音频处理器、便携式声音解决方案和蓝牙低能耗技术无线电SoC等产品。
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产品概述NSS20601CF8：低VCE（sat）晶体管，NPN，20 V，8.0 A
NSS20601CF8是一款低VCE(sat)的NPN晶体管，适用于20V、8.0A的低电压、高速开关应用。该晶体管具有超低饱和电压、高电流增益、高截止频率和低剖面封装等特点，适用于电路效率提升、电池充电时间缩短、减少组件数量、高频开关、小型便携产品等领域。产品规格包括最大VCE(sat)为0.065V、最大集电极连续电流为6A、最小VCEO为20V、最小hFE为200、最小fT为140MHz、最大PTM为1.4W，采用ChipFET-8封装，无铅、卤素免费。
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