NGTB40N120FL2WAG Material Composition Declaration
发布时间：
2021-07-28
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTB40N120FL2WAG
本资料为Onsemi公司关于NGTB40N120FL2WAG产品的材料成分声明，详细阐述了该1200V/40 Fast IGBT FSII TO-247-4L器件的RoHS合规性。声明中不仅列出了产品所含材料及其具体含量，涵盖铝、硅、银、锡、锑、铁、铜、环氧树脂、酚醛树脂、二氧化硅和碳黑等关键成分，还提供了制造过程中的温度参数及回流循环次数等工艺信息，并明确了对RoHS指令限制物质含量的管控情况，确保产品符合环保标准。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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NGTB40N120FL2WA IGBT产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WAG材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WAG材料成分声明
2019-03-30
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产品概述NGTB40N120FL2WA:1200 VField Stop II IGBT，40 A
12/29/2017
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NGTB40N120FL2WAG IGBT-磁场停止II/4引线
Rev. 0
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材料成分声明NGTB40N120FL2WAG
2018-01-17
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NGTB40N120FL2:IGBT，1200V 40A FS2太阳能/UPS产品概述
3/29/2019
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材料成分声明1200V/40快速IGBT FSII TO-247-4L
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NGTB40N120FL2:IGBT 1200V 40A FS2太阳能/UPS
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2020-02-9
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NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2019-03-30
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NGTB40N120FL2WG IGBT-磁场停止II数据表
Rev. 8
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NGTB40N120FL2WG IGBT-现场停止II
Rev. 7
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NGTB40N120FL2WG IGBT-现场停止II
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTB40N120FL2WG
2018-01-17
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材料成分声明1200V/40A快速IGBT FSII TO-247
2017-12-04
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FGD3N60LSD IGBT
Rev. 2
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FGD3N60LSD IGBT
Rev. 2
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FGD3325G2\ U F085 IGBT产品概述
3/28/2019
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FGA4060ADF IGBT产品概述
3/29/2019
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产品概述FGD3N60LSD:600V、3A、1.2V、DPAK平面IGBT
11/20/2017
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NGTB60N60S:IGBT产品概述
3/29/2019
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FGH75T65SQD IGBT，650 V，75 A场阻槽产品概述
2019/03/29
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FGA30T65SHD IGBT，650 V，30 A场阻槽产品概述
8/10/2019
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FGA6540WDF:IGBT，650 V，40 A场阻槽产品概述
8/13/2019
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FGH75T65SQDTL4 IGBT，650 V，75 A场阻槽产品概述
3/28/2019
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FGH75T65SQDT IGBT，650 V，75 A场阻槽产品概述
3/28/2019
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FGH20N60UFD IGBT，现场停止产品概述
8/10/2019
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SGF23N60UF IGBT，600V，PT产品概述
8/12/2019
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技术论坛
之前使用安森美的IGBT：SGL160N60UFD，目前由于缺货问题想换国产替代的，但是目前更换的国产IGBT在进行多次开关的时候会出现烧毁的情况，能否帮忙推荐下脉冲集电极电流能超过300A的类似IGBT芯片？
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替换安森美的IGBT，FGA40N65SMD，请问有合适的型号推荐吗？
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10kW光伏逆变器项目中，MPPT控制部分用到一颗安森美的IGBT单管，规格为650V/50A，封装为TO-247，请问有没有合适的替换型号。
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应用/方案
节能创新的工业电机驱动解决方案
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半导体工业应用的连接、控制、传感、时钟分配、电源和保护解决方案
ON Semiconductor提供全面的工业级元器件产品组合，满足工业应用需求。产品涵盖工业自动化、机器人、物联网开发套件、智能家居、预测性维护、智能建筑、智能照明、智能城市、资产管理、个人物联网等领域。产品包括传感器、连接性、执行器、模块、无线通信解决方案、射频收发器、图像传感器等。
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工业解决方案
ON Semiconductor提供全面的工业级元器件产品组合，涵盖电源管理、温度监测、运动与速度控制、机电制动管理、集成（网络）、电气保护和开关与阀门控制等领域。产品包括用于智能家居、智能建筑、智能照明、智能城市、资产管理追踪和个人物联网等应用。此外，公司还提供IoT开发套件，包括传感器、连接性和执行器设备，以及基于Eclipse的集成开发环境、云软件和快速从概念到生产的解决方案。
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产品概述NGTB40N120FL2:IGBT 1200V 40A FS2太阳能/UPS
NGTB40N120FL2是一款1200V 40A的IGBT，采用Field Stop II Trench结构，适用于UPS和太阳能应用。该器件具有高效 trench 技术和软快速反向恢复二极管，优化于高速切换，具备10µs的短路能力。适用于太阳能逆变器、焊接机、不间断电源（UPS）系统等。
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产品概述NGTB40N120FL2WA:1200 VField Stop II IGBT，40 A
NGTB40N120FL2WA是一款1200V场截止II型IGBT，具有40A电流容量。该器件采用坚固且经济的Field Stop II沟槽结构，在苛刻的开关应用中表现出卓越性能，具有低导通电压和最小开关损耗。该器件采用TO-247-4L封装，相比标准TO-247-3L封装，Eon损耗显著降低。适用于UPS和太阳能应用，内置软快速共封装的自由轮换二极管，具有低正向电压。主要特点包括：TO-247-4L封装、最小Eon损耗、高效沟槽技术、175°C最大结温、改进的栅极控制以降低开关损耗、独立的发射极驱动引脚、优化高速开关、无铅器件。适用于太阳能逆变器、工业和UPS不间断电源。
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采用Fairchild IGBT的小容量逆变器制造技术
本文介绍了使用Fairchild IGBT制造小型逆变器的技术。文章详细阐述了如何选择栅极电阻、保护电路的设计技巧、栅极驱动IC与自举电路的应用，以及基于SGP5N60RUFD IGBT的实际逆变器设计案例。文章强调了低尾电流和低饱和电压对降低IGBT损耗的重要性，并提供了电流检测、过流保护和短路保护电路的设计方法。
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IGBT坚固性
本文探讨了ON Semiconductor提供的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的鲁棒性评估方法。文章介绍了三种衡量鲁棒性的指标：栅极电压额定值、短路额定值和 UIS（未钳位电感尖峰）额定值。通过设备测试结果，文章解释了各种测试的适用性。此外，文章还讨论了晶圆薄片化趋势对IGBT性能的影响。
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半导体IGBT数据表阅读
本文详细介绍了ON Semiconductor的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的电气参数和应用。内容涵盖IGBT的绝对最大额定值、电气特性、热特性、动态特性、开关特性以及二极管特性。文章提供了IGBT的关键参数，如集电极-发射极电压、集电极电流、门极-发射极电压、功率耗散、短路承受时间等，并解释了这些参数在实际应用中的意义。此外，还讨论了IGBT的开关特性，包括开通和关断延迟时间、上升时间、下降时间、开关损耗等，以及与二极管相关的电气特性。
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相机频闪的IGBT应用笔记
本文介绍了相机闪光灯系统的应用，重点讨论了使用IGBT控制闪光灯系统的优势。文章比较了SCR和IGBT两种控制方法，详细描述了电路配置、电流容量、优缺点等。此外，文章还介绍了控制功率模块配置、系统模块解释、构建闪光灯系统的注意事项，以及Fairchild Strobe IGBT与竞争对手的比较。
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NGTB45N60S:IGBT 600V 45A焊接
NGTB45N60S是一款600V 45A的IGBT，采用高效且经济的Field Stop Trench结构，适用于严苛的开关应用，具有低导通电压和最小开关损耗的特点。该器件适用于半桥谐振应用，内置软快恢复二极管，具有低正向电压。主要应用领域包括逆变器焊接。
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IGBT在感应加热应用中的功率损耗
本文探讨了感应加热应用中IGBT的功率损耗问题。文章首先介绍了感应加热的原理和单端拓扑结构，随后分析了IGBT的开关波形。重点讨论了IGBT在感应加热应用中的导通损耗和关断损耗，并提出了两种测量这些损耗的方法：使用数字存储示波器和测量散热器温度。文章强调了在IGBT设计优化过程中，了解和测量这些损耗的重要性。
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FGY100T65SCDT：磁场停止沟道IGBT，短路额定IGBT，650 V，100 A
该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的FGY100T65SCDT场截止 trench IGBT产品。该产品采用新型场截止IGBT技术，适用于太阳能、不间断电源（UPS）、电机控制、能源存储系统（ESS）和暖通空调（HVAC）等应用，具有低导通和开关损耗的特点。主要特性包括最高结温175°C、正温度系数、高电流能力、低饱和电压、高输入阻抗、快速开关、短路额定5μs、参数分布紧密等。
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FGA60N60UFD:600V，60A，磁场停止IGBT
FGA60N60UFD是一款600V、60A的场截止型IGBT，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊接机和PFC应用。该产品采用新型场截止IGBT技术，具有高电流能力、低饱和电压、高输入阻抗、快速开关等特点，符合RoHS标准。
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FGB5N60UNDF:600V，5A，短路额定IGBT
FGB5N60UNDF是一款600V、5A的短路过载额定IGBT，采用先进的NPT IGBT技术。该产品适用于低功率逆变器驱动应用，如缝纫机、CNC、电机控制和家用电器，具有短路额定10us、高电流能力、高输入阻抗、快速开关等特点，符合RoHS标准。
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产品概述NGTB50N60S:IGBT 600V 50A焊接
NGTB50N60S是一款600V 50A的IGBT，采用Field Stop Trench结构，适用于要求严格的开关应用，具有低导通电压和低开关损耗的特点。该器件适用于半桥谐振应用，内置软快速续流二极管，具有低正向电压。主要应用领域包括逆变器焊接。
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产品概述NGTB60N60S:IGBT
NGTB60N60S是一款高效能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用坚固且经济的场停（FS）沟槽结构，适用于要求严格的开关应用，具有低导通电压和最小开关损耗的特点。该IGBT非常适合半桥谐振应用，内置软快速续流二极管，具有低正向电压。主要特点包括低饱和电压、低开关损耗、低栅极电荷和软快速续流二极管。适用于焊接等领域。
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