NOIP1FN5000A-QDI Material Composition Declaration
发布时间：
2021-08-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NOIP1FN5000A-QDI
本资料为Onsemi公司发布的NOIP1FN5000A-QDI器件物质成分声明文件，详细阐述了该产品的材料构成及合规性信息。文件核心内容在于列出了产品中各类成分的具体名称、CAS编号及含量百分比，并明确声明该产品符合RoHS指令要求，确保了环保标准的达标。此外，资料还提供了产品的制造细节，涵盖制造地点、重量规格及温度参数等关键物理特性，为用户进行产品认证、环境评估及供应链管理提供了详实的数据支持。针对文中所述Onsemi品牌产品，在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
PYTHON5000:CMOS图像传感器，全局快门，5.3 MP
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NOIP1FN5000A-QDI
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NOIP1FN5000A-QDI
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
PYTHON5000:CMOS图像传感器，5.3 MP，全球快门产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NOIP1SN5000A PYTHON 5.0/200万像素全局快门式CMOS图像传感器
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NOIP1SN5000A PYTHON 5.0/200万像素全局快门式CMOS图像传感器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NOIP1SN5000A PYTHON 5.0/200万像素全局快门式CMOS图像传感器
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-QDI材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-QDI材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-QTI材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-QTI材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-QTI材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
PYTHON5000：CMOS图像传感器，530万像素，全局快门
5/18/2021
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| 数据手册 - 英文 |
PYTHON5000：CMOS图像传感器，530万像素，全局快门
2/23/2020
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-LTI材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-LTI材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NOIP1FN5000A-LTI材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NOIP1FN5000A-LTI
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NOIP1FN5000A-LTI
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NOIP1FN5000A-QTI
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NOIP1FN5000A-QTI
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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NTD6416AN：100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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NVJS3151P：单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G：IGBT，N沟道600V，20A，VCE（饱和）；1.45V TO-3PF-3L，具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器，单电源，四路
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTP5860N：单通道N沟道功率MOSFET 60V，220A，3.0mΩ\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB：无源可调谐集成电路（PHIC），4.7 pF
1/28/2020
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3235同步降压转换器
REV1
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| 数据手册 - 英文 |
FSB50250B：智能功率模块，500V，2A
1/27/2020
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FDMF4061：高性能60V智能功率级模块
1/26/2020
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15C02CH：双极晶体管，15V，1A，低VCE（sat），NPN单CPH3
1/26/2020
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NB6L611：时钟/数据扇出缓冲器，1：2差分，3 GHz，2.5 V/3.3 V，提供LVPECL输出
1/26/2020
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HMHA2801A:4引脚半间距小型平板光电晶体管光耦合器
1/25/2020
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FCP125N65S3R0：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、Easy Drive、650V、24A、125 mΩ、TO-220
1/25/2020
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CAV25160：EEPROM串行16 KB SPI-汽车级
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTZD3152P MOSFET–双通道、P沟道、ESD保护、小信号、SOT-563
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5820NL MOSFET–电源
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5826NL MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5811NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4H07N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8-FL
Rev. 3
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应用/方案
产品概述PYTHON5000:CMOS图像传感器，全球快门，5.3 MP
PYTHON 5000是一款1英寸5.3百万像素的CMOS图像传感器，具备高灵敏度像素和多种读出模式。支持全球快门技术，具有可编程增益放大器和10位A/D转换器。提供多种配置选项，适用于机器视觉、工业相机、运动监控、智能交通系统等领域。
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Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案，包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置，使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南，说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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LM2596-D2PAK降压演示型BD的测试程序
该资料详细描述了LM2596-D2PAK BUCK转换器演示板的测试流程。测试步骤包括连接测试设备、设置输入电压、检查输出电压以及加载测试。所需设备包括限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试流程包括断开负载、施加输入电压、检查输出电压、加载至3A并再次检查输出电压，最后关闭负载和电源。
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