KDG25R12KE3 IGBT Module
发布时间：
2021-08-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华之美半导体（H&M SEMI）
型号：
KDG25R12KE3
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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KDG40R12KT3 IGBT模块
2021/03/01
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GPK200HF120D2 IGBT模块
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GPU75HF120D1 IGBT模块
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GPU50HF120D1 IGBT模块
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GPU200HF120D2 IGBT模块
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GPU150HF120D2 IGBT模块
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GPU100HF120D1 IGBT模块
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GPK100HF120D1 IGBT模块
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SGG1 系列 50A 1200V IGBT Module
2021/03/01
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HM120N04I
2021/03/01
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HM2309A P沟道增强型功率MOSFET
2021/03/01
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HM5103 带充放电管理的三功能LED驱动芯片
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HM9305B D类音频功率放大器
2021/03/01
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适合i²C应用的HM5304T双电源、4位电压转换器/隔离器
2021/03/01
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HM5402 1节磷酸铁锂电池充电平衡IC
2021/03/01
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HM4630D N和P沟道增强型功率MOSFET
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HM2505C 单通道3.0-15.0V峰值15.0A H桥驱动芯片
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HM2505B 单通道3.0-15.0V峰值12.0A H桥驱动芯片
2021/03/01
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HMS85N95、HMS85N95D NCE N沟道Super Trench II功率MOSFET
2021/03/01
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HMS80N85、HMS80N85D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2021/03/01
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HMS4444A N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HM8862 固定32倍增益,内置BOOST升压模块，3种防破音模式，AB/D切换功能，恒定11W输出功率R类单声道音频功率放大器
2021/03/01
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HM8860 内置自适应Charge Pump横块,固定28倍增益,AB/D切换,两种防破音横式可选5.2W单声道GF类音频功率放大器
2021/03/01
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HM9907单芯锂离子/聚合物电池保护IC
2021/03/01
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HMS16N70F 700V N沟道超级结MOSFET
2021/03/01
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带RF滤波器的HM6001/6002/6004 1MHZ CMOS轨到轨IO运算放大器
2021/03/01
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HM2310C N沟道增强型MOSFET
2021/03/01
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HM3307A N沟道增强型功率MOSFET
2021/03/01
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HMS7N65I N沟道超级结功率MOSFET
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HM4N150T N沟道MOSFET
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HMS60N10D N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS11N65K/HMS11N65I 650V N沟道MOSFET
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HMS40N10D N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS110N15 N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS4296B N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS90N04D N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HM90N06D N沟道沟槽功率MOSFET
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HM609K双通道N+P增强型MOSFET
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HM603K N和P沟道互补功率MOSFET
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HM3426B N沟道增强型MOSFET
2021/03/01
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HM26N18K N沟道增强型功率MOSFET
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HM80N05K N沟道增强型功率MOSFET
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HM610AK MOSFET
2021/03/01
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HMS4438 N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HM5491是单芯锂离子/聚合物电池保护IC
2021/03/01
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用于快速充电协议的HM6601Q USB充电端口控制器
Revision 1.2
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LM358 高增益运算放大器
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HM5668 40V升压稳压器，用于具有PWM调光功能的白色LED驱动器
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
HM1480 2A车载充电器应用指南
本指南介绍了HM1480 2A车载充电器的应用。该充电器电路简单，成本低，可靠性高，具备输出短路保护、过温保护、输入过压保护和可调过流保护等功能。输出电流与电阻成正比，并具有线缆补偿功能。输入电压范围为8-30V DC，采用SOP-8封装。指南还提供了PCB布局建议、测试方法和EMC改善措施。
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DW01E 单节锂电池供电系统的专用芯片
DW01E是一款专为单节锂离子电池供电系统设计的专用芯片，用于防止电池因过充、过放和过流而损坏。芯片具备高精度电压检测电路，可精确控制过充和过放保护电压。它具有低功耗设计，适用于小型电池包空间。芯片提供多种保护功能，包括过充、过放、过流和负载短路保护，以及休眠和过放自恢复功能。此外，DW01E支持向0V电池充电，并具有宽工作温度范围和小型封装。
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