FCP190N65S3R0 MOSFET – Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 17 A, 190 mW
发布时间：
2021-08-16
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FCP190N65S3R0
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0 N沟道SuperFET®III MOSFET 650伏，17安，190兆欧
Rev. 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
FCP190N65S3R0材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
FCP190N65S3R0材料成分声明
2019-03-30
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP4 1.81x1.81/EFCP1818−4CE−022
ISSUE A
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FCP190N65S3R0:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
11/19/2017
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| 数据手册 - 英文 |
MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive 650 v、17 a、190MΩ
Rev. 4
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MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive 650 v、17 a、190MΩ
Rev. 4
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FCP190N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
12/19/2017
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FCP190N65S3R0功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FCP190N65S3材料成分声明
2019-09-01
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0功率MOSFET
Rev.3
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| 测试报告 - 英文 |
FCP16N60材料成分声明
2019-08-14
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3
2018-01-27
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材料成分声明FCP165N65S3
2018-01-27
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FCP125N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，24 A，125 mΩ
12/19/2017
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0-MOSFET–功率，N沟道，SuperFET III，易驱动，650 V，17 A，190 mΩ\n
Rev.4
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3材料成分声明
2019-07-15
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FCP190N65S3R0 MOSFET–功率、N沟道、SuperFET III、Easy Drive\n
Rev. 4
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FCP190N65S3R0 MOSFET–功率、N沟道、SuperFET III、Easy Drive 650 V、17 A、190 mΩ\n
Rev.4
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FCP190N65S3：功率MOSFET，N沟道，SUPERFET®III，易驱动，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220产品概述
8/18/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FCP11N60材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3 M沟道SuperFET®III MOSFET 650伏，17安，190兆欧
Rev. 1.0
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FCP165N65S3R0材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3R0材料成分声明
2019-03-30
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FCP190N65S3功率MOSFET，N沟道，SUPERFET III，易于驱动
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
FCP16N60N材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3 MOSFET–功率，N沟道，SuperFET III，易于驱动\n
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3R0
2018-01-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3R0
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3 MOSFET–功率、N沟道、SuperFET III、Easy Drive 650 V、17 A、190 mΩ\n
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
FCP125N65S3材料成分声明
2019-08-18
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FCP16N60N功率MOSFET N沟道SUPREMOS®产品概述
8/13/2019
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FCP11N60F材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
FCP11N60N：功率MOSFET，N沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，10.8 A，299 mΩ，TO-220产品概述
8/14/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FCP125N65S3R0材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
FCP125N65S3R0材料成分声明
2019-03-30
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FCP190N65F N沟道SuperFET®II FRFET®MOSFET 650 V、20.6 a、190 MΩ
Rev. C2
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FCP165N60E N沟道SuperFET®II易驱动MOSFET 600v，23a，165MΩ
Rev.C0
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世强AI
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应用/方案
FCP190N65S3R0:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
FCP190N65S3R0是一款650V、17A、190mΩ的N-Channel SuperFET III MOSFET，采用ON Semiconductor的全新高压超结(SJ)MOSFET技术，具有低导通电阻和低栅极电荷性能。该器件适用于各种电源系统，以实现小型化和高效率。主要特点包括700V耐压、低有效输出电容、超低栅极电荷和优化电容。此外，该器件具有高系统可靠性、低开关损耗和低峰值Vds及Vgs振荡。适用于计算、消费、电信、工业、LCD/LED电视、LED照明/镇流器和适配器等领域。
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FCP190N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
FCP190N65S3是一款650V、17A、190mΩ的N-Channel SuperFET III MOSFET，采用电荷平衡技术，具有低导通电阻和低栅极电荷性能。适用于各种电源系统，具有高系统可靠性、低开关损耗、低有效输出电容等特点。
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650V SuperFET®III Easy Drive，用于硬开关和软开关拓扑的优化高压超级结MOSFET应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的第四代Super Junction MOSFET技术，即SUPERFET III Easy Drive MOSFET。该技术具有650V的击穿电压，主要特点包括易于使用、较低的EMI和降低的开关瞬态电压尖峰，同时具备优异的体二极管鲁棒性。Easy Drive技术通过集成优化的内部栅极电阻和优化器件电容来实现这些特性，适用于硬开关和软开关拓扑结构。文章还详细比较了Super Junction MOSFET技术与平面MOSFET技术的差异，并介绍了SUPERFET III Easy Drive系列产品的性能和优势。
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FCP190N65S3 650V SUPERFET III易驱动，适用于硬开关和软开关拓扑的优化高压超结MOSFET应用说明
本文介绍了ON Semiconductor的第四代Super Junction MOSFET技术，即SUPERFET III Easy Drive MOSFET。该技术具有650V的击穿电压，主要特点包括易于使用、较低的EMI和降低开关瞬变期间的电压尖峰，以及优异的体二极管鲁棒性。Easy Drive技术通过集成优化的内部栅极电阻和优化的器件电容来实现这些特性，适用于硬开关和软开关拓扑结构。文章详细讨论了Super Junction MOSFET技术，包括其结构、工作原理和性能优势，以及SUPERFET III Easy Drive系列产品的应用和特性。
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消费电子解决方案手册：安森美半导体为家庭娱乐和信息、小型电器和白色家电提供全面的解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C接口元器件领域的解决方案，包括为移动电源、AC-DC适配器、壁式插座、坞站、主动线缆、蓝牙低功耗无线电SoC、IEEE 802.15.4无线收发器、Sigfox解决方案、低功耗无线电解决方案、KNX收发器、PoE控制器、图像传感器、视频信号放大器、自动对焦驱动器、光学图像稳定驱动器和电容式触摸传感器等。这些解决方案旨在提供高效、可靠和灵活的接口解决方案，以满足各种消费电子产品的需求。
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白色家电解决方案
该资料由ON Semiconductor提供，主要介绍了其在白色家电领域的完整解决方案。内容涵盖电源供应、逆变器驱动、系统控制、用户界面和智能家电等功能。资料详细介绍了多种元器件，包括传感器、驱动器、微控制器、电源管理组件等，并提供了相关产品的技术规格和应用图。此外，还涉及了无刷直流电机控制、步进电机驱动器、中高压功率MOSFET、高压功率MOSFET、智能功率模块（IPM）和离散IGBT等关键技术和产品。
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FCP125N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，24 A，125 mΩ
FCP125N65S3是一款650V、24A、125mΩ的N-Channel SuperFET III MOSFET，采用电荷平衡技术，具有低导通电阻和低栅极电荷性能。该产品适用于计算、显示、电信和工业电源系统，具有700V耐压、105mΩ典型导通电阻、46nC典型栅极电荷和439pF典型有效输出电容等特点。
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为开关电源设计选择功率开关器件mosfet还是igbt？
本文探讨了在开关模式电源（SMPS）设计中选择功率开关器件（MOSFET或IGBT）的关键参数。文章分析了硬开关和软开关ZVS拓扑中的开关损耗，并讨论了二极管恢复性能对硬开关拓扑的影响。文章还强调了冷却系统对器件选择的影响，并比较了IGBT和MOSFET在低频和高功率设计中的优势。此外，文章还讨论了导通损耗、关断损耗和栅极驱动要求，以及热管理和器件选择的重要性。
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650V快速恢复SuperFET®II MOSFET，用于谐振拓扑中的高系统效率和可靠性
本文介绍了650V快速恢复SuperFET II MOSFET技术，该技术结合了更快的开关速度和更坚固的体二极管性能，与上一代SuperFET I MOSFET相比，RDS(ON)降低了40%。该MOSFET适用于谐振拓扑，具有低输出电容储能和极快的开关速度，提高了服务器和电信电源应用的可靠性和效率。文章还讨论了谐振拓扑中的软开关技术，以及如何通过优化MOSFET的性能来提高系统效率。
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FEBFAN7688SJXA_CP 14U306评估板用户指南
本资料为Fairchild Semiconductor公司生产的FEBFAN7688SJXA_CP14U306评估板的用户指南。该评估板基于FAN6982和FAN7688芯片，实现306W的80Plus铂金级电源解决方案。指南详细介绍了评估板的功能、规格、电路图、物料清单、变压器和绕组规格、测试条件与设备、性能测试结果等内容，旨在帮助用户了解和使用该评估板。
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LLC谐振转换器中MOSFET失效模式的分析
本文分析了LLC谐振转换器中MOSFET的潜在故障模式和机制，并提出了防止故障的简单且成本效益的解决方案。文章讨论了启动、过载和输出短路等条件下可能出现的故障模式，并重点介绍了改进的FRFET®器件在提高系统可靠性方面的作用。实验结果表明，FRFET®能够有效减少启动和短路条件下的潜在可靠性问题，同时不影响系统效率和其它操作。
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