FAM65HR51DS: Power Integrated Module (PIM), H-Bridge for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter
发布时间：
2021-10-22
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FAM65HR51DS; FAM65HR51DS1; FAM65HR51DS2; FAM65HR51DS3
加工定制
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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资料平台
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FAM65HR51DS电源集成模块（PIM）、LLC用H桥和相移DC-DC转换器产品概述
5/12/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FAM65HR51DS2材料成分声明
2020-04-13
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FAM65HR51DS2材料成分声明
2019-07-22
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FAM65HR51DS：采用APM16系列的H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
5/5/2020
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
Rev. 4
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS1、FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51DS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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FAM65HR51DS1 H桥
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FAM65HR51DS2 H桥
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APM16系列中的FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列中的FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和相移DC-DC转换器
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APM16系列FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥，用于LLC和移相DC-DC转换器
Rev. 3
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FAM65HR51XS1、FAM65HR51XS2 H桥
Rev. 1
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用于LLC和移相DC-DC转换器的APM16系列H桥：FAM65HR51xS1、FAM65HR51xS2
Rev. 3
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FPF2G120BF07ASP电源集成模块产品概述
7/12/2019
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NXH80B120H2Q0电源集成模块产品概述
7/13/2019
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NXH80B120L2Q0电源集成模块产品概述
7/13/2019
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FPF1C2P5MF07AM：功率集成模块，F1，IGBT+MOSFET，650V，30A
12/9/2017
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世强AI
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应用/方案
基于功率模块的电动汽车车载控制系统设计与仿真
本文详细介绍了ON Semiconductor开发的电动汽车车载充电器（OBC）系统设计，包括PFC和DC/DC（LLC）转换器的设计和模拟。文章首先概述了OBC系统及其组成部分，然后详细分析了PFC块和DC/DC转换器的设计和性能。此外，文章还讨论了PFC和DC/DC转换器的关键组件，如MOSFET、二极管和变压器，以及它们在系统中的功能和性能。最后，文章通过仿真验证了所提出的设计方案的有效性。
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FAM65CR51DZ1/2和FAM65HR51DS1/2 650V电源模块介绍
ON Semiconductor推出两款适用于电动汽车和混合动力汽车车载充电器和DC/DC转换应用的650V功率模块FAM65CR51DZ1/2和FAM65HR51DS1/2。这些模块包括PFC电路和DC/DC转换阶段，适用于典型OBC系统。资料详细介绍了模块的DC、AC和热特性，并提供了安装指南。
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电动汽车OBC系统设计与仿真中使用功率模块的应用说明
本文详细介绍了基于功率模块的电动汽车车载充电器（OBC）系统的设计与仿真。主要内容包括OBC系统的工作原理、PFC块和DC/DC（LLC）转换器的结构、关键组件的设计规格和性能分析。通过使用FAM65CR51DZ1 PFC模块和FAM65HR51DS1 H-桥模块进行仿真，验证了这些模块在OBC系统中的性能。
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用于XEV OBC系统设计的650 V SUPERFET®-III MOSFET电源模块应用
本文介绍了ON Semiconductor的650 V SF3 SJ MOSFET基于的功率模块，适用于OBC系统设计。文章详细阐述了OBC系统设计的基本信息，包括PFC模块和DC/DC转换模块的性能和设计规范。此外，文章还介绍了PFC转换器的工作原理、CCM和CRM模式、两相交错PFC电路、输出电容、输入整流二极管等关键组件的设计和性能。同时，文章还讨论了DC/DC（LLC）转换器的操作、LLC谐振罐电路分析、全桥LLC转换器电路、MOSFET功率损耗、ZVS操作等。最后，文章通过系统级仿真评估了PFC模块和H桥模块的性能。
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用于xEV OBC系统设计的基于FAM65CR51xxZ1/2、FAM65HRxxDS1/2 650 V SuperFET®-III MOSFET的电源模块应用
本文介绍了ON Semiconductor的650 V SF3 SJ MOSFET基于的功率模块，适用于OBC系统设计。文章详细阐述了OBC系统设计的基本信息，包括PFC模块和DC/DC转换模块的设计和性能。此外，还介绍了PFC功能模块、PFC转换器操作、DC/DC (LLC) 转换器操作、LLC谐振罐电路分析等内容，并提供了相关模块的电气和热特性数据。
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3.3 kW APM OBC演示板测试报告
本报告详细介绍了3.3 kW APM OBC（车载充电器）的测试报告。报告涵盖了OBC的关键特性、系统架构、电路描述以及关键元件的功能。OBC采用2CH Interleave PFC、Full Bridge LLC、Flyback和Buck DCDC拓扑结构，具有高效率和功率密度。报告还详细介绍了PFC控制器、LLC控制器和PWM控制器等关键元件的技术规格和功能。
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汽车解决方案手册
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产品概述STK5Q4U352J-E：智能电源模块（IPM），600 V，8 A
STK5Q4U352J-E是一款600V、8A的智能功率模块（IPM），集成了高压驱动器、六个IGBT和热敏电阻，适用于驱动永磁同步（PMSM）电机、无刷直流（BLDC）电机和交流异步电机。该模块具有三相桥式配置，适用于多种控制算法，并具备全面保护功能，包括交叉导通保护、外部关断和欠压锁定功能。特点包括低热阻DBC基板、紧凑的封装、集成自举二极管和电阻，适用于工业、家用电器的电机控制。
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产品概述STK5Q4U362J-E：智能电源模块（IPM），600 V，10 A
STK5Q4U362J-E是一款600V、10A的智能功率模块（IPM），适用于永磁同步（PMSM）、无刷直流（BLDC）和交流异步电机驱动。该模块集成高压驱动器、六个IGBT和热敏电阻，具有跨导通保护、外部关断和欠压锁定等功能。特点包括三相同步10A/600V IGBT模块、紧凑的双列直插封装、可调过流保护级别、集成自举二极管和电阻等。适用于工业、家用电器的风扇、泵、压缩机、洗衣机和冰箱等。
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FPF2C8P2NL07A：电源集成模块，F2，IGBT，650V，30A
FPF2C8P2NL07A是一款650V、30A的功率集成模块，采用IGBT技术，适用于太阳能逆变器、UPS等高效率、稳健设计的应用。该模块具有低导通和开关损耗，内置NTC温度监测功能，采用STEALTH TM二极管和场停IGBT，提供高效、可靠的操作。
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用于1100V太阳能升压级功率集成模块的1200V SiC MOSFET和SiIGBT的性能比较
本文对比了两种功率集成模块（PIM）在1100 V太阳能逆变器升压阶段的性能。一种PIM使用先进的1200 V硅IGBT（型号NXH100B120H3Q0），定义为PIM-IGBT；另一种PIM使用新的1200 V碳化硅MOSFET（型号NXH40B120MNQ0），定义为PIM-SIC。这两种PIM采用相同的Q0封装技术，并使用碳化硅肖特基升压二极管。它们具有引脚兼容性，允许客户从硅IGBT升级到碳化硅MOSFET版本。由于碳化硅器件具有更快的开关特性，本文解释了在使用快速开关器件（如碳化硅MOSFET）时必须考虑的门极驱动器和PCB布局问题。性能比较显示，在相同的工作条件下，PIM-SIC的总损耗比PIM-IGBT显著降低。此外，文章还讨论了电路设计、布局和测量方法的重要性。
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产品概述FPF2C8P2NL07A：电源集成模块，F2，IGBT，650V，30A
FPF2C8P2NL07A是一款650V、30A的功率集成模块，采用IGBT技术，适用于太阳能逆变器、UPS等需要高效和坚固设计的应用。该模块具有低导通和开关损耗，内置NTC温度监测功能，采用Press-Fit技术，提供简单可靠的安装方式。
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长工微电子推出8A电源解决方案ISM6401A电源模块，内部集成16V DC/DC转换器、屏蔽电感器和无源元件
Innovision Semiconductor推出的ISM6401A电源模块是一种高度集成的8A电源解决方案，内部集成16V输入降压DC/DC转换器、屏蔽电感器和无源元件，使用热增强型QFN封装中。7mmx7mmx4mm、46引脚QFN封装。
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【技术】探讨电源模块的概念以及使用集成电源模块与分立式降压开关稳压器的优势
较新的基础设施可能在一个系统中使用20-40个负载点（降压）转换器，每个转换器具有不同的输出电压和输出电流需求，这给系统电源设计工程师带来了挑战。在本文中，瑞萨（Renesas）将比较使用集成电源模块与分立式降压开关稳压器的优势。
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用于1100V太阳能升压级功率集成模块的1200V SiC MOSFET和Si IGBT性能比较
本文档比较了两种功率集成模块（PIM）在1100V太阳能逆变器升压阶段的性能。一种PIM使用先进的1200V硅IGBT（型号NXH100B120H3Q0），定义为PIM-IGBT，另一种PIM使用新的1200V碳化硅MOSFET（型号NXH40B120MNQ0），定义为PIM-SIC。这两种PIM都使用了相同的Q0封装技术，并配备了碳化硅肖特基升压二极管。它们具有引脚兼容性，允许客户从硅IGBT升级到碳化硅MOSFET版本。由于碳化硅器件具有更快的开关特性，本文解释了在使用快速开关器件（如碳化硅MOSFET）时必须考虑的栅极驱动器和PCB布局问题。性能比较显示，在相同的操作条件下，PIM-SIC的总损耗比PIM-IGBT显著降低。
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