Paralleling MOSFETs in high power applications
发布时间：
2021-12-22
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
-
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PNS40010AER-Q 400 V、1 A高功率密度、标准开关时间恢复整流器产品数据手册
v.2
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时，电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南，并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用，分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响，并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
阅读原文 >>
鲁光LGE280N04N SGT MOS，超低特征导通电阻Rsp，更小阈值电压Vth Range，利于并联应用
鲁光LGE280N04N SGT MOSFET产品介绍，具备超低导通电阻、优品质因子、小阈值电压范围、高功率密度等核心优势，广泛应用于新能源汽车、无人机、电动工具等多个领域。
阅读原文 >>
多个MOS管并联时能共用一个栅极电阻吗？这个栅极电阻有什么用呢？又如何避免炸管？
多个MOSFET并联可提升电流能力，但需合理设计栅极电阻以避免炸管。共用栅极电阻易导致驱动延迟不一致和振荡，应为每个MOSFET配置独立栅极电阻，实现均流与稳定开关。栅极电阻可控制开关速度、抑制振荡，并改善并联动态均流。
阅读原文 >>
圣邦微电子推出集成旁路模式和双输入选择器的单节8A开关电容并联电池充电器SGM41606S
圣邦微电子推出SGM41606S，一款I²C控制且集成旁路模式和双输入选择器的单节8A开关电容并联电池充电器。该器件可应用于智能手机和平板电脑。具备5A旁路模式充电能力（以前称为电池开关充电），通过其内置MOSFET实现高效充电。
阅读原文 >>
MOSFET并联在高功率设计中的应用
在高功率电子设计中，为了满足更大的电流需求和提升系统可靠性，常常需要将多个MOSFET器件并联使用。MOSFET的并联应用并非简单的器件堆叠，它涉及诸多技术挑战，如电流均衡、热管理和驱动匹配等。本文将从专业的角度，详细探讨MOSFET并联在高功率设计中的原理、挑战、解决方案和实际应用。
阅读原文 >>
SiC MOSFET并联震荡问题
本文深入探讨了SiC MOSFET芯片在并联应用中产生的震荡现象。文章分析了SiC MOSFET并联的必要性，通过剖析电路及芯片结构，详细阐述了由于器件参数一致性差异导致的LC震荡原理，并介绍了通过优化封装和工艺来抑制震荡的解决方案。
阅读原文 >>
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品，导通电阻降幅高达23%，适合UPS等大功率并联场景
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品BLP038N15/BLP05N15。采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，产品具有极低的开关损耗。
阅读原文 >>
应用笔记 | SiC模块并联驱动振荡的抑制方法
由于并联使用这样的高速元件，有时会发生元件间的并联驱动振荡 (以下简称振荡)。发生振荡的话元件有破坏的危险，因此抑制对策是市场的重要课题之一。本应用笔记将介绍有效抑制功率模块振荡的方法。
阅读原文 >>
蓉矽半导体SiC MOSFET分立器件并联，具有设计灵活、散热均匀、可降低系统成本等优势
蓉矽SiC MOSFET具有更高的Rds(on)温升曲线，拥有更优异的正温度补偿效益，能够帮助并联应用更快达到热平衡从而实现静态均流。本文介绍蓉矽半导体分立器件并联应用优势。
阅读原文 >>
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET，采用TO247-4PLUS封装，方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列，于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0，使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低，具备优越的高压阻断特性，方便用户使用和节省成本。
阅读原文 >>
MOSFET的并联使用教程
与其他半导体器件相比，功率MOSFET的一个显著优点是，很容易将它们并联使用，从而增强电路的驱动能力。虽然这个并联使用的理论是绝对成立的，但是粗心的电路设计者也会遇到一些潜在的问题一个MOSFET是由硅晶圆表面上的并联的单元组成的。这些单元是在同一条件下同时制造出来的。
阅读原文 >>
并联使用功率mosfet
本文探讨了使用多个MOSFET并联以提高开关元件能力的应用。文章详细分析了并联MOSFET可能遇到的问题，并提出了避免这些问题的方法。内容涵盖了静态（DC）操作、动态操作（脉冲和PWM电路）、部分增强（线性模式）操作、门驱动考虑因素、MOSFET封装考虑因素以及电感能量损耗等方面。文章强调了电路设计和布局对MOSFET并联组性能的重要性，并提供了优化建议。
阅读原文 >>
AN11599使用功率MOSFET并联
本资料为Nexperia公司发布的应用笔记，主要探讨了在并联使用功率MOSFET时可能遇到的问题及解决方案。内容包括：MOSFET并联时电流分配不均、热稳定性、散热设计、动态操作中的功率分配、部分增强模式下的功率分配、栅极驱动考虑、MOSFET封装选择、电感能量损耗等。资料提供了详细的电路设计和布局建议，旨在优化MOSFET并联组的性能和可靠性。
阅读原文 >>
在并行应用笔记中使用功率MOSFET
本文探讨了使用多个MOSFET并联以提高开关元件能力的方法。文章分析了并联MOSFET可能遇到的问题，并提出了避免这些问题的方法。内容涵盖了MOSFET的静态和动态操作、热性能、功率分配、布局设计以及门极驱动等方面。文章强调了在设计并联MOSFET电路时，需要考虑MOSFET的参数变化、热阻匹配和电路布局等因素，以确保电路的可靠性和效率。
阅读原文 >>
瞻芯电子紧凑型IVCR1412比邻驱动芯片助力多管并联均流，集成负压和抗米勒效应，消除栅极电阻开关更快
在大功率变换系统中，多管并联能提升电流承载能力，增加输出功率，常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战，这影响了系统中器件的温度分布，进而影响系统可靠性，最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流，瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动™IVCR1412芯片开展了均流研究，在不同均流驱动方案和不同条件下，测试影响均流的因子，以提供均流方案建议。
阅读原文 >>
280A电流承载力的MOSFET DI280N10TL用于电池供电电锯，在制作圣诞树时享受宁静森林
电动工具的设计往往要求很高的灵活性，并有严格的功率和安全要求。DIOTEC的DI280N10TL是一款280A/100V的N沟道MOSFET，可以提供高达280A的最大电流承载能力，需要较少的并联连接，导通电阻非常低（典型值为1.6毫欧），满足低噪音电池供电的电锯设计需要。
阅读原文 >>
【应用】捷捷微电中、低压功率MOSFETs用于BMS，阈值电压一致性好，生产时分档处理以支持多管并联应用
江苏捷捷微电子股份有限公司是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业，同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。本文主要介绍江苏捷捷微电子产品在电池管理系统应用方案。
阅读原文 >>
【产品】高阻断电压和低导通电阻的1200V碳化硅功率MOSFET裸片SPM2-1200-0025A，易于并联和驱动简单
SMC推出的一款1200V/81A碳化硅功率MOSFET裸片SPM2-1200-0025A，该器件具有高阻断电压、低导通电阻，高速开关、低电容，易于并联、驱动简单，抗闩锁效应等特性。
阅读原文 >>
【应用】威兆推出的新工艺MOSFET，工作稳定可靠，用于LEV（轻型电动车）可保证系统并联高均流性
LEV（轻型电动车）在日常通勤中越来越多，相应的技术也在不断更新，使得其输出功率也越来越大，这需要多个低内阻的功率器件并联来实现。威兆推出的新工艺MOSFET严格分档，具有极高的一致性，以保证系统并联高均流性，工作稳定可靠。
阅读原文 >>
【产品】N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120L，易于并联和驱动，具有高阻断电压和低通态电阻
WM2A040120L是中电国基南方推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，该器件具有高阻断电压、低通态电阻、低寄生电容等特性，可用于高速开关。
阅读原文 >>
【产品】VDD供电为25V的低侧栅极驱动器SL4427，双通道可并联应用于大电流驱动，具有独立的使能输入
SL4427是双通道4A高速的低侧栅极驱动器， 可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。可以选择带/不带热焊盘的SOP-8封装，由于具有低传播延迟和失配等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。
阅读原文 >>
【产品】SiC MOSFET模块ASC1000N1200MD3，具有超低损耗、高频工作和易于并联等特点
ASC1000N1200MD3是爱仕特推出的一款SiC MOSFET模块，具有超低损耗、高频工作和易于并联等特点，并且能够减轻过电压保护、降低散热需求和系统成本，实现紧凑、质量轻和高效的系统。
阅读原文 >>
【产品】4.5-24V宽供电电压的栅极驱动器，双通道并联输出，高达4A的峰值驱动拉电流和灌电流
芯洲科技SCT52242STDR、SCT52243STDR是两款宽供电电压、双通道、高速、低侧栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱动能力，并实现轨到轨输出。
阅读原文 >>
【产品】采用TO-247-3封装的N沟道SiC功率MOSFET，易于并联，驱动简单
长联推出的CL1M0060065D N沟道SiC功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压为650V（VGS=0V, ID=1mA ），漏源导通电阻为60mΩ（VGS=20V, ID=20A），在Tc=25℃条件下，ID@(VGS=20V,25℃)为37A，可应用于电源、高压DC/DC转换器、电机驱动等领域。
阅读原文 >>
功率MOSFET应用手册设计工程师指南
本手册深入探讨了功率MOSFET的应用，涵盖了数据表参数的理解、单次和重复雪崩鲁棒性评级、RC热模型的使用、LFPAK MOSFET的热设计、并联使用功率MOSFET、设计RC吸收电路、功率MOSFET上的电气过应力故障特征以及常见问题解答。内容旨在帮助工程师更好地设计和应用功率MOSFET，解决常见问题并避免潜在风险。
阅读原文 >>
AN11158功率MOSFET应用手册设计工程师指南
本手册为设计工程师提供了关于功率MOSFET应用的全面指南，涵盖了数据表参数理解、单次和重复雪崩鲁棒性评估、RC热模型应用、LFPAK MOSFET热设计、并联使用功率MOSFET、设计RC吸收电路、功率MOSFET上的电应力故障特征以及常见问题解答等内容。旨在帮助工程师更好地理解和设计使用功率MOSFET的系统。
阅读原文 >>
【产品】国产硅基N沟道MOSFET2SK3065，具有低导通电阻特点，适用于口袋产品
科信新推出的2SK3065硅基N沟道MOSFET，具有低导通电阻，高速开关等特点，其驱动电路简单，易于并联使用，对静电放电有很强抗干扰能力，同时，驱动电压低（2.5V 驱动），适用于口袋产品。
阅读原文 >>
【经验】功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因及解决方案
MOSFET工作于高频率开关状态，任何电气特性差异和电路杂散电感均可导致瞬时电压峰值，以及并联MOSFET之间的电流分配不平衡。这是非常有害的，因为电流不平衡可能导致功率损耗过大并损坏器件。合科泰半导体将在本文介绍功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因及解决方案。
阅读原文 >>
【经验】以TMP120N10A为例说明MOSFET并联使用的注意事项
TMP120N10A是无锡紫光微电压100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品阻抗小、开关快，并联使用非常适合于低压、大电流情况下工作，主要应用于开关电源、硬开关、电机驱动、高频电路和不间断电源。本文以TMP120N10A为例，说明MOSFET并联使用需要关注的点。
阅读原文 >>
【产品】新型C3M平面MOSFET技术N沟道增强模式碳化硅MOSFET，无需外部反并联二极管
Wolfspeed以裸片形式推出其最新的C3MTM SiC MOSFET技术。在整个工作温度范围内具有900V的阻断电压，管芯可以并联配置，以实现更高的电流处理能力，或者可以串联连接以实现更高的阻断能力。
阅读原文 >>
浅谈多并联SiC MOSFETs不均流问题
随着宽禁带功率器件的发展，电力电子系统具有同时实现高效率和高功率密度的潜力。随着对更高驱动功率需求的增加，牵引逆变器中的开关器件对电流能力的要求越来越高。单个芯片的热机械应力限制了芯片上的有效面积，单个SiC MOSFET芯片的电流等级也受到限制。多芯片并联已成为提高电力电子系统电流能力的必然途径。然而，由于不对称的版图、不匹配的器件参数和不同的冷却条件，并联芯片之间的不平衡电流是不可避免的。
阅读原文 >>
【经验】用1枚MOSFET进行PWM驱动时的电机电流和再生电流关系
有多种方法可以实现电机的PWM驱动，其中包括通过在电机和接地间插入MOSFET来实现开关的简单方法。使用通过在电机和接地间插入MOSFET来实现开关的这种方法时，与电机并联连接的二极管会流过再生电流，本文将介绍流过电机的电机电流与这种再生电流之间的关系。
阅读原文 >>
【视频】瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低高可靠性抗米勒效应1200V
瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，抗米勒效应，适用于1200V电压等级。方案通过优化驱动电路和器件选择，实现多管并联均流，提高系统性能和稳定性。
阅读原文 >>
【产品】易于并联的N沟道增强型SiC功率MOSFET WM1A120065K，通态漏源电阻为120mΩ
中电国基南方推出采用一代MOSFET技术的N沟道增强型SiC功率MOSFET WM1A120065K，具有低导通电阻、快开关速度和易于并联等特点，其漏源电压650V；通态漏源电阻的典型值为120mΩ；可用于开关电源，DC-DC，电机驱动等。
阅读原文 >>
【技术】解析MOS管并联二极管的原因及作用
MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？本文SLKOR将分析为什么要并联这个二极管？是否可以删除呢？
阅读原文 >>
【产品】1200V SiC MOSFET模块ASC600N1200MH1，易于并联，实现系统紧凑轻便高效
爱仕特SiC MOSFET模块ASC600N1200MH1，具有超低损耗、高频操作、易于并联等特点，内部还集成NTC温度传感器。系统优势包括：实现紧凑、轻便、高效的系统，恶劣的室外环境安装，减轻过压保护，降低热需求，降低系统成本。
阅读原文 >>
【产品】650V/118A N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M017065D，易于并联，驱动简单
长联（CLTC）推出的CL1M017065D是采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，漏源电压VDS为650V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为118A。
阅读原文 >>
【经验】碳化硅MOSFET在并联应用中的动态和静态特性研究
本文将着重介绍碳化硅MOSFET在并联应用中的动态和静态特性，以及器件结温的敏感特性。本文选择的样品WOLFSPEED的1200V/10A第一代（Gen-I）碳化硅MOSFET CMF10120D和C2MTM碳化硅MOSFET C2M0160120D
阅读原文 >>
【技术】适用于新型光伏逆变器的MOSFET-IGBT并联技术功率模块
由于太阳能电池板效率瓶颈的存在，人们对于光伏太阳能逆变器效率是特别的关注，效率已经是光伏太阳能逆变器最重要的衡量指标。本文详细介绍了一种高效光伏逆变器拓扑，并针对此拓扑介绍Vincotech 公司的太阳能专用模块以及通用的驱动设计。
阅读原文 >>
【产品】易于并联的N沟道SiC功率MOSFET S4504，漏源电压为750V，导通电阻低至45mΩ
S4504是罗姆（ROHM）推出的一款N沟道SiC功率MOSFET。在绝对最大额定值方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为61A，等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。该器件还具有开关速度快、反向恢复快、易于并联和驱动简单的特点。
阅读原文 >>
瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案：成本低高可靠性抗米勒效应1200V
瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，有效抗米勒效应。该方案适用于1200V电压等级，旨在提高SiC MOSFET模块的功率密度和性能。方案涉及多管并联测试条件、影响因素分析以及驱动电路影响分析，旨在优化并联均流性能。
阅读原文 >>
【产品】易于并联的SiC MOSFET模块ASC600N1200HPD，漏源电压为1200V
ASC600N1200HPD是爱仕特推出的一款SiC MOSFET模块，其具有超低损耗、高频操作、易于并联等特点。其系统优势包括：实现紧凑、轻便、高效的系统，恶劣的室外环境安装，减轻过压保护，降低散热需求，降低系统成本。
阅读原文 >>
【产品】ROHM推出N沟道碳化硅功率MOSFET裸片S4604，易于并联，规格为1200V/26A
S4604是ROHM推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET裸片，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单的特点。该产品漏源电压1200V，连续漏极电流26A，静态漏源导通电阻典型值低至62mΩ。
阅读原文 >>
【视频】爱仕特车规级高耐压低电容高速开关N通道SiC MOSFET，易于并联驱动简单
阅读原文 >>
【产品】采用无铅电镀的N沟道SiC功率MOSFET SCT4013DR，驱动电路简单，易于并联使用
罗姆（ROHM）最近推出了一款TO-247-4L封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4013DR，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
阅读原文 >>
【产品】低电容高速开关N通道SiC MOSFET器件ASR320N650D88，易于并联驱动简单
ASR320N650D88是爱仕特公司推出的一款N沟道SiC MOSFET，与硅相比具备更出色的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，其优势包括更高的效率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。
阅读原文 >>
【产品】600V/±11A/124W的N沟道功率MOSFET R6011END3，易于并联使用
罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6011END3，漏源电压额定值为600V，连续漏极电流最大±11A，静态漏源导通电阻最大值仅为390mΩ，可使MOSFET在电路中自身损耗更低。产品为无铅电镀产品，符合RoHS标准，易于并联使用，具有低导通电阻和低辐射噪声的特点，是开关应用领域的优秀选择。
阅读原文 >>
