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OctalNAND Flash: fast, low-cost alternative to Octal NOR Flash in densities of 1Gbit and higher
发布时间: 2021-12-24
类型: 商品及供应商介绍,产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌:
华邦电子(Winbond Electronics)
型号:
W35N; W35N Series; W35N01JW; W35N02JW; W35N04JW
本产品资料详细介绍了Winbond推出的全球首款x8接口OctalNAND Flash,该产品作为Octal NOR Flash的低成本替代方案,提供1Gbit及更高密度存储选择。资料重点阐述了该系列器件采用46nm SLC NAND制造工艺,涵盖1Gbit W35N01JW、2Gb W35N02JW和4Gb W35N04JW等型号,支持1.8V电压并采用BGA24封装。其核心技术优势在于具备高速读写性能、高数据完整性以及长期数据保留能力,能够完美契合汽车及工业等对可靠性要求严苛的应用场景。基于该方案,Winbond在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。此外,平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
数据手册 - 英文
八NAND闪存
Feb 2025
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测试报告 - 中英文
W35N01JW RoHS and Halogen Free Compliance Report(W35N01JW 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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数据手册 - 英文
八通道NAND闪存快速、低成本,可替代八通道NOR闪存,密度为1Gbit或更高
Version: Aug.2021
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测试报告 - 中英文
W35N02JWTBAF RoHS and Halogen Free Compliance Report(W35N02JWTBAF 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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数据手册 - 英文
汽车认证闪存存储器
Aug 2024
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测试报告 - 中英文
W35N02JWTBKF RoHS and Halogen Free Compliance Report( W35N02JWTBKF 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W35N01JWTBJG RoHS and Halogen Free Compliance Report( W35N01JWTBJG 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W35N01JWTBJT RoHS and Halogen Free Compliance Report(W35N01JWTBJT 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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数据手册 - 英文
高带宽与低功耗存储解决方案
2025/06/26
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数据手册 - 英文
高性能QSPIN和闪存
Mar.2023
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数据手册 - 英文
W29N04GVxxAF 4G位3.3V NAND闪存
Revision E
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数据手册 - 英文
W29N04GVxxAA 4G位3.3V NAND闪存
Revision E
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数据手册 - 英文
W25Q128JW 1.8V 128M位串行闪存,具有双通道、四通道SPI,适用于工业和工业增强级
Revision H
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数据手册 - 英文
W25Q80RV 3V 8M位串行闪存,具有双通道/四通道SPI、QPI工业增强级
Revision D
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数据手册 - 英文
W25Q32JW_DTR 1.8V 32M位串行闪存,具有双通道/四通道SPI、QPI和DTR,适用于工业和工业增强级
Revision J
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数据手册 - 英文
W25Q12PW-DTR 1.8V 128M位串行闪存,具有双通道/四通道SPI、QPI和DTR
Revision C
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数据手册 - 英文
W25Q12PW 1.8V 128M位串行闪存,具有双通道、四通道SPI
Revision C
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数据手册 - 英文
W25Q01NW 1.8V 1G位(双芯片)串行闪存,具有双通道/四通道SPI,适用于工业和工业增强级
Revision C
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数据手册 - 英文
W25Q512NW-DTR 1.8V 512M位串行闪存,具有双通道/四通道SPI、QPI和DTR,适用于工业和工业增强级
Revision D
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数据手册 - 英文
W25Q02NW-DTR 1.8V 2G位(四芯片)串行闪存,具有双通道/四通道SPI、QPI和DTR
Revision B
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数据手册 - 英文
W956D8MW 64MB HyperRAM
Revision: A01-006
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数据手册 - 英文
W959D6NFKx 512MB HyperRAM 3.0 x16 PSRAM
Revision: A01-001
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数据手册 - 英文
W634GU8RB 64M X 8组X 8位DDR3L SDRAM
Revision: A01
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数据手册 - 英文
W957D6NBGX 128MB HyperRAM 3.1 x16 PSRAM
Revision: A01-001
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数据手册 - 英文
W25N02KW 1.8V 2G位SLC QSPIN和闪存,具有双/四SPI缓冲器读取和顺序读取功能
Revision E
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测试报告 - 中英文
W25N01KVTCIU RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25N01KVTCIU 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W25N01KVZEIU RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25N01KVZEIU 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W25N01KVTCIR RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25N01KVTCIR 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W25N01KVTBIR RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25N01KVTBIR 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W25N01KVSFIU RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25N01KVSFIU 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W25N01KVSFIR RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25N01KVSFIR 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W63AH6NBVADO RoHS and Halogen Free Compliance Report(W63AH6NBVADO 不使用禁用物质证明书)
2021/04/23
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测试报告 - 中英文
W63AH6NBVACI RoHS and Halogen Free Compliance Report( W63AH6NBVACI 不使用禁用物质证明书)
2019/08/19
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测试报告 - 中英文
W25Q64NEXGIG RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25Q64NEXGIG 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W63AH6NBVADE RoHS and Halogen Free Compliance Report(W63AH6NBVADE 不使用禁用物质证明书)
2019/08/19
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测试报告 - 中英文
W25Q64NESSIG RoHS and Halogen Free Compliance Report(W25Q64NESSIG 不使用禁用物质证明书)
2020/10/16
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测试报告 - 中英文
W66BP6NBUAFW RoHS and Halogen Free Compliance Report(W66BP6NBUAFW 不使用禁用物质证明书)
2020/01/03
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测试报告 - 中英文
W66BP6NBUAFK RoHS and Halogen Free Compliance Report(W66BP6NBUAFK 不使用禁用物质证明书)
2020/01/03
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测试报告 - 中英文
W66BP6NBUAFI RoHS and Halogen Free Compliance Report(W66BP6NBUAFI 不使用禁用物质证明书)
2020/01/03
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测试报告 - 中英文
W66BP6NBUAFA RoHS and Halogen Free Compliance Report(W66BP6NBUAFA 不使用禁用物质证明书)
2019/11/29
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W989D2DBJ-FT RoHS and Halogen Free Compliance Report(W989D2DBJ-FT 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W989D6KBGX6E RoHS and Halogen Free Compliance Report(W989D6KBGX6E 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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测试报告 - 中英文
W989D2KBJX6I RoHS and Halogen Free Compliance Report( W989D2KBJX6I 不使用禁用物质证明书)
2022/01/27
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技术论坛
W968D6DAGX7I WINBOND/华邦 需求替代其他品牌替代或者原厂其他型号替代
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华邦电子的物料W9825G6KH75J有没有P2P的
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应用/方案
华邦机密QSPINAND闪存坏块管理
本资料介绍了Winbond QspiNAND和OctalNAND闪存的坏块管理(BBM)功能,包括支持的命令集、不同型号的密度和电压支持情况。资料详细说明了BBM命令的使用方法,包括设置坏块与好块之间的链接、读取BBM查找表等。此外,还提供了坏块管理的操作流程和注意事项,以及与复制回操作的结合使用方法。
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SM2262EN SM2262EN-PB-201805超高速PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3固态硬盘控制器产品简介
SM2262EN是一款高性能PCIe Gen3 x4 SSD控制器,适用于客户端固态硬盘。它具备四通道同时数据流和八通道NAND闪存,通过优化硬件和软件,实现超高性能和可靠性。SM2262EN支持3D NAND,采用NANDXtend™ ECC技术,增强3D NAND的耐用性和数据保护。其低功耗设计在低功耗和活动状态下均提供超低功耗。主要特性包括超高性能、数据路径保护、最佳低功耗和NANDXtend™ ECC技术。
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高性能QSPINAND闪存:为复杂的汽车显示应用提供更高密度的存储选择
Winbond推出新型W25N SLC NAND Flash IC,采用46nm工艺制造,具有高可靠性。该产品数据传输速率比并行NAND和现有串行NAND快四倍,支持高达166MB/s的数据传输速率,适用于高级驾驶辅助系统、仪表盘应用、信息显示屏等汽车显示应用。产品提供不同密度和I/O选项,支持硬件复位引脚,方便汽车应用设计。
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汽车用闪存
Winbond公司作为串行闪存市场的领导者,其TS16949认证的AEC-Q100合格内存支持汽车应用。汽车电子设备日益复杂,Winbond的SpiFlash®内存通过高速处理器和实时2D/3D图像渲染技术,支持数字仪表盘、ADAS、舒适、娱乐和导航系统。产品包括W25Q Quad SpiFlash® Multi-I/O Memories、W25N QspiNAND和W29N ONFi NAND,提供多种密度和电压选项,适用于不同温度范围和汽车应用。
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TrustMe®Secure Flash-W77Q:全新内置替代安全闪存,革新物联网安全
W77Q Secure Flash是一款基于W25QJW系列的串行SPI NOR Flash,旨在为物联网设备提供安全存储解决方案。它支持安全启动、安全固件更新、数据保护和完整性保护等功能,满足CC EAL2安全认证要求。W77Q可作为标准串行NOR Flash的替代品,支持XIP、密钥管理、安全数据存储等,适用于成本敏感的平台。该产品采用单芯片安全解决方案,支持多种SPI模式,具有低功耗、宽温度范围和多种封装选项。
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