Dual N-channel 80 V, 30 mΩ logic level MOSFET
发布时间：
2018-04-08
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK9K30-80E
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BUK9K30-80E双通道、80 V、30 mΩ逻辑电平MOSFET
12 May 2018
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中国RoHS BUK9K30-80E
2019/01/07
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中国RoHS BUK9K30-80E
2018/09/05
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中国RoHS BUK9K30-80E
2018/04/24
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中国RoHS BUK9K30-80E
2018/03/06
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热RC网络（Foster）SPICE热模型BUK9K30-80E
15/6/2017
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化学成分BUK9K30-80E
2019/02/25
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化学成分BUK9K30-80E
Version 1
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化学成分BUK9K30-80E
2018/09/05
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化学成分BUK9K30-80E
2018/04/24
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化学成分BUK9K30-80E
2018/03/06
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LFPAK56D终极双MOSFET
August 2017
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双N沟道30v，5.8mΩ逻辑电平MOSFET
2 September 2015
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双N沟道60v，55mΩ逻辑电平MOSFET
24 February 2015
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双N沟道60V，11.5MΩ逻辑电平MOSFET
8 May 2014
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双N沟道80V，20MΩ逻辑电平MOSFET
17 August 2017
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双N沟道100v，159mΩ逻辑电平MOSFET
10 December 2013
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双N沟道30V，5.3MΩ逻辑电平MOSFET
2 September 2015
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双N沟道60v，35mΩ逻辑电平MOSFET
12 November 2014
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双N沟道40V，19.5MΩ逻辑电平MOSFET
16 March 2016
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双N沟道40v，29mΩ逻辑电平MOSFET
10 December 2013
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双N沟道60v，17mΩ逻辑电平MOSFET
19 March 2014
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双N沟道100v，33mΩ逻辑电平MOSFET
10 December 2013
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双N沟道60V，12.5MΩ逻辑电平MOSFET
2 September 2015
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双N沟道80v，22mΩ逻辑电平MOSFET
17 August 2017
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BUK9K20-80E双通道、80 V、20 mΩ逻辑电平MOSFET
11 May 2018
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双N沟道40v，9.4mΩ逻辑电平MOSFET
10 December 2013
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双N沟道40V，7.2MΩ逻辑电平MOSFET
5 December 2013
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BUK9K12-80L 双N沟道80V，12毫欧逻辑电平MOSFET，封装为LFPAK56D。
12 December 2024
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BUK9K49-80L 双N沟道80V，49毫欧逻辑电平MOSFET，封装为LFPAK56D。
3 September 2024
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双N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
23 April 2013
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双N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
23 April 2013
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双N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
26 March 2013
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双N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
28 March 2013
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BUK9K61-100L 双N沟道100V，61毫欧逻辑电平MOSFET，封装为LFPAK56D。
20 January 2025
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BUK9K35-100L 双N沟道100V，35毫欧逻辑电平MOSFET，封装为LFPAK56D。
12 December 2024
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| 数据手册 - 英文 |
BUK9K31-100L 双N沟道100V，31毫欧逻辑电平MOSFET，封装为LFPAK56D。
17 December 2024
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NX3020NAKS-Q - 30V，双N沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002AKRA-Q 60V，双N沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BSS138AKRA-Q 60V，双N沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002BKV 60V，340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002BKS 60V，300mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002HS 60 V双通道N沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.3
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2N7002PV 60 V，350 mA N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT765-1塑料，超薄收缩小外形封装；8根引线；0.5毫米间距；2毫米x 2.3毫米x 1毫米机身
3 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1116塑料、无引脚超薄小型封装；8个端子；0.3毫米节距；1.2毫米X 1毫米X 0.35毫米机身
2 June 2022
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世强AI
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应用/方案
【产品】共漏极双N沟道功率MOSFET VSA007N02KD，2.5V逻辑电平控制，具有增强模式
威兆半导体推出共漏极双N沟道功率MOSFET VSA007N02KD，漏源击穿电压为20V，连续漏极电流为13A，具有低导通电阻特性，采用TDFN2x3-6L封装。产品已通过100%雪崩测试，无铅，符合RoHS标准。
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产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NVMFD5873NL：功率MOSFET 60V，58A，13mOhm，双N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFD5873NL是一款60V、58A、13 mOhm的双通道N沟道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。提供可湿边选项，以增强光学检查。该MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。特点包括低RDS(on)、低导通损耗、低电容、低输入损耗、低栅极电荷。产品无铅、无卤素、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。封装尺寸为5 x 6 x 1 mm，适用于小型PC板和模块，适用于电机控制、底盘控制模块和高侧/低侧开关等应用。
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产品概述NVMFD5853N：功率MOSFET 40V，53A，10 mOhm，双N沟道，SO8-FL，逻辑电平
NVMFD5853N是一款40V、53A、10 mOhm的功率MOSFET，采用双N通道设计，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品具有小型化（5x6mm）设计，低导通电阻和低电容，适用于汽车应用，包括电机控制、发动机控制模块、车身控制模块和底盘控制模块。产品符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，支持自动化光学检查。
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