BC856B, BC857B, BC858A General Purpose Transistors PNP Silicon Data sheet
发布时间：
2022-01-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
BC858A; BC857B; BC856B; BC856BWT1G; SBC856BWT1G; BC857BWT1G; SBC857BWT1G; BC857CWT1G; NSVBC857CWT1G; BC858AWT1G; BC858BWT1G
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| 数据手册 - 英文 |
BC856B、BC857B、BC858A PNP硅通用晶体管
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SBC856BWT1G
2018-01-28
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| 数据手册 - 英文 |
BC856B、BC857B、BC858A通用晶体管
Rev.5
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| 测试报告 - 英文 |
SBC856BWT1G材料成分声明
2019-09-03
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| 数据手册 - 英文 |
BC856B、BC857B、BC858A通用晶体管PNP硅
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BWT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BW：PNP双极晶体管
5/19/2021
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BW：PNP双极晶体管
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SBC857BWT1G
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857CWT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BW PNP双极晶体管产品概述
8/13/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSVBC857CWT1G
2018-03-31
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BC858AWT1G材料成分声明
2019-08-12
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| 数据手册 - 英文 |
BC857BW：PNP双极晶体管
2/1/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC858AWT1G
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC857BW:PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
BC856BWT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
BC858CW通用晶体管产品概述
8/16/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BC858CW：通用晶体管产品概述
3/7/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC856BWT1G
2018-01-28
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW：PNP双极晶体管
2/1/2018
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BWT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC858AW PNP双极晶体管产品概述
9/1/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC857BWT1G
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC858AW：PNP双极晶体管
2/1/2018
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| 测试报告 - 英文 |
BC858AWT1材料成分声明
2019-08-12
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| 数据手册 - 英文 |
BC856ALT1G系列通用晶体管
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC858AWT1
2018-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
BC857CWT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC856B双PNP双极晶体管产品概述
8/11/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC857CWT1G
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BDW1T1G系列，SBC856BDW1T1G系列，BC857BDW1系列，SBC857BDW1系列，BC858CDW1系列双通道通用晶体管PNP双通道数据手册
Rev. 10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BWT1材料成分声明
2019-08-09
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| 数据手册 - 英文 |
BC856B：双通道PNP双极晶体管
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
BC856BWT1材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BDW1T1G、SBC856BDW1T1G系列、BC857BDW1T1G、SBC857BDW1系列、BC858CDW1系列双通道通用晶体管
Rev. 10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC856BWT1
2018-01-28
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| 数据手册 - 英文 |
BC856ALT1G系列-通用晶体管PNP硅
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
BC856ALT1G系列通用晶体管PNP硅
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC857BWT1
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC856- BC860 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Rev. B
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| 测试报告 - 英文 |
BC857CWT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明BC857CWT1
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC856ALT1G系列通用晶体管PNP硅数据表
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSVBC858AWT1G
2018-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
BC857BDW1双PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC858AWT1G材料成分声明
2019-08-12
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| 数据手册 - 英文 |
BC856系列PNP双极晶体管产品概述
8/13/2019
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世强AI
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应用/方案
CS5171跟踪升压稳压器
本文档为ON Semiconductor公司提供的DN06022/D设计笔记，主要介绍了一种基于CS5171的跟踪升压稳压器设计。该设计通过在典型升压电路中添加电流镜电路，使用户能够选择升压电压量，并确保输入和输出电压之间的恒定差值。该电路适用于高侧驱动应用，并可在低输入电压条件下确保PWM控制器能够正确启动。设计笔记中详细描述了电路的工作原理、关键元件的选择以及电路的优缺点。
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