Reliability Results for Product Type BSS84AKW
发布时间：
2018-04-20
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BSS84AKW
该可靠性测试报告详细记录了产品型号为BSS84AKW的元器件在2015年第四季度至2016年第三季度的测试结果。测试涵盖了高温反向偏置、高温栅极偏置、温度循环、高湿度高温度反向偏置及间歇运行寿命等多种严苛条件。报告数据显示，所有测试项目均未出现故障，计算出的故障因数（FIT）仅为0.69，平均无故障时间（MTBF）高达165476年，充分验证了该器件在长期运行中的高稳定性与可靠性。针对文中所述的高性能器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试服务，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
50v，150ma P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AKW
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AKW
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AKW
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AKW
2018/04/24
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中国RoHS BSS84AKW
2018/03/06
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| 技术文档 - 英文 |
BSS84AKT型设备的产品质量信息
Apr 2014
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| 数据手册 - 英文 |
50v，180ma P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKT
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKMB 50 V、单P沟道Trench MOSFET产品数据表
v.2
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Quality Information for Product Type BSS84AKW
2017/12/21
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50v，单P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKQB 50 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKT 50 V，150 mA P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AKW
Version 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AKW
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AKW
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AKW
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
50v，170ma双P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
BSS84AKW型产品可靠性结果产品可靠性
2019/05/19
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| 数据手册 - 英文 |
50v，230ma P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
50v，160ma双P沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET符合AEC-Q101标准的MOSFET，采用小型有引脚SMD和无引脚DFN封装
April 2018
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET 数据手册
2018年4月
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AK
2019/02/25
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AK
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BSS84AK
2018/09/05
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中国RoHS BSS84AK
2018/04/24
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中国RoHS BSS84AK
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
大容量小信号MOSFET
November 2019
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type BSS84AK
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type BSS84AK
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AK
Version 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AK
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AK
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BSS84AK
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
BSS84AK型产品可靠性结果产品可靠性产品可靠性
2019/05/19
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中国RoHS BSS84AKS
2019/01/06
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中国RoHS BSS84AKS
2018/09/05
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中国RoHS BSS84AKS
2018/04/24
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中国RoHS BSS84AKS
2018/03/06
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中国RoHS BSS84AKV
2019/01/06
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
小巧轻便的车规 二极管和晶体管
Nexperia推出一系列车规级DFN封装的二极管和晶体管，满足AEC-Q101标准，具有可焊性侧面，旨在节省空间并降低重量。这些器件适用于汽车系统，提供高热传导性能和可靠性，支持AOI检测。产品组合包括双极性晶体管、MOSFET、二极管、LED驱动器等，封装类型多样，满足不同应用需求。
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小型和轻型汽车二极管和晶体管
Nexperia推出适用于汽车行业的紧凑型DFN（Discretes Flat no-leads）封装的二极管和晶体管，旨在满足车辆日益增长的电子功能需求。这些封装具有侧湿边，节省空间并减轻重量，同时确保在高温度下的性能和效率。产品包括通用和低VCEsat双极型晶体管、数字晶体管、开关二极管、齐纳二极管、ESD保护二极管和小信号MOSFET等。
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小型和轻型汽车二极管和晶体管
Nexperia推出适用于汽车行业的紧凑型DFN（Discretes Flat no-leads）封装的中小型二极管和晶体管。这些封装具有侧湿边，旨在节省空间并减轻重量，同时满足车辆日益增长的电子功能需求。产品包括各种二极管、双极型晶体管和MOSFET，具有高效的热性能和可靠性，适用于高温度环境。DFN封装系列涵盖了多种尺寸和性能，旨在提供空间节省的解决方案。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于移动和便携式设备的低噪声MOSFET，包括WLCSP和免铅DFN封装。产品特点包括高功率能力、最小DFN解决方案的空间效率、侧湿边设计以及自动光学检查（AOI）兼容性。应用领域涵盖笔记本、无线充电、智能手机、LED驱动、水平转换器等。资料还提供了不同型号的详细规格参数，包括功率、电压、电流和ESD保护等级。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1等应用的低噪声MOSFET产品。产品特点包括：高功率能力、空间效率、ESD保护等。产品适用于笔记本、智能手机、LCD电视、LED驱动器等多种应用场景。资料还详细列出了不同封装类型和型号的产品规格参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和规格的详细参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和配置的详细参数。
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