CHT4016-99F 4-16GHz 6-bit digital attenuator GaAs Monolithic Microwave IC
发布时间:
2018-04-20
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
UMS
型号:
CHT4016-99F; CHT4016-99F/00
本数据手册详细介绍了CHT4016-99F,这是一款基于GaAs pHEMT工艺制造的4-16GHz 6位数字衰减器单片微波集成电路。该器件具备卓越的宽带性能,覆盖4至16GHz频率范围,并配备6位数字控制接口,能够提供精确的0.5dB衰减步进,总动态范围可达31.5dB。在技术指标方面,其均方根衰减误差控制在0.5dB以内,且采用了紧凑的3.64x1.54x0.1mm封装尺寸,非常适用于对空间和精度有严苛要求的设计场景。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外,平台专职FAE团队可提供选型、设计验证及调试支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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UMS官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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UMS——24G雷达解决方案全球出货量第一供应商
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现货平台 / UMS 授权代理店
| 订货型号 | CHT4016-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHT4016-99F | 品类 | 6-bit digital attenuator, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 4-16GHz 6-bit digital attenuator.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 4 | RF Bandwidth (GHz)max | 16 |
| Number of(Bits) | 6 | Insertion Loss(dB) | 6.5 |
| Amplitude Control(dB) | 31.5 | Attenuation error (dB)-min | -1.5 |
| Attenuation error (dB)-max | 1 | P-1dB IN(dBm) | 18 |
| Case | Die | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥404.2330
库存:
0
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/20 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥191.1053
库存:
2,985
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| 订货型号 | CHA2069-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA2069-99F | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 18-31GHz Low Noise Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 16 | RF Bandwidth (GHz)max | 31 |
| Gain(dB) | 22 | Gain Flatness(+/dB) | 1 |
| Noise Figure(dB) | 2.5 | P1dB OUT(dBm) | 10 |
| Bias(mA) | 55 | Bias(V) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥183.5117
库存:
2,350
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/21 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/21 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,卷带 | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥191.1053
库存:
1,753
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| 订货型号 | CHS2411-QDG/21/LOGS01K | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHS2411-QDG | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 23-26GHz Reflective SP4T Switch.GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 23 | RF Bandwidth (GHz)max | 26 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥177.5640
库存:
1,503
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| 订货型号 | CHX1191-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHX1191-98F | 品类 | Frequency Multiplier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 13.5-40.5GHz Frequency Multiplier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Xn | X3 | Input Bandwidth (GHz)min | 11.25 |
| Input Bandwidth (GHz)max | 14.5 | Output Bandwidth (GHz)min | 33.75 |
| Output Bandwidth (GHz)max | 43.5 | Input Power(dBm) | -1 |
| Output Power(dBm) | 6 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 5 | Case | Die |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥225.1503
库存:
1,300
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| 订货型号 | CHA3218-99F/00 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3218 | 品类 | 低噪声放大器 |
| 描述/说明 | CHA3218-99F是一个两级甚宽带低噪声放大器。与2dB低噪声系数相关的宽频带使得该电路对于非常高性能的系统非常通用。它是为广泛的应用而设计的,从军事到商业通信系统。该电路采用pHEMT电子迁移率晶体管工艺制造,栅长0.15μm,通孔穿过衬底,空气桥和电子束栅光刻。它以芯片形式提供 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥449.5891
库存:
1,000
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| 订货型号 | CHV2270-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2270-98F | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated Ku-band HBT VCO Low cost / High linearity; GaAs Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 12.7 | Resonator Freq | 1.2 |
| Tuning(MHz) | -100 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 14 |
| Output Power(dBm) | 150 | Bias(mA) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥178.3705
库存:
100
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| 订货型号 | CHA5350-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA5350-99F | 品类 | Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 17-24GHz Medium Power Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 17 | RF Bandwidth (GHz)max | 24 |
| Gain(dB) | 26 | IP3(dBm) | 35.5 |
| P-1dB OUT(dBm) | 26.5 | Sat. Output Power(dBm) | 27 |
| Bias(mA) | 300 | Bias(V) | 6 |
| Case | Die | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥305.8959
库存:
100
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| 订货型号 | CHA3398-98F/00 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3398-98F/00 | 品类 | Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC in bare die |
| 描述/说明 | 36-43.5GHz Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC in bare die(Bare chip) | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 36 | RF Bandwidth (GHz)max | 43.5 |
| Gain(dB) | 24 | IP3(dBm) | 29 |
| P-1dB OUT(dBm) | 18 | Sat. Output Power(dBm) | 19 |
| Bias(mA) | 200 | Bias(V) | 4 |
| Case | Die | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥204.2679
库存:
100
世强硬创平台提供CHA3398-98F/00在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
UMS CHT4016-99F数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHT4016-QEG数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
4-14GHz 6位数字衰减器
DSCHT4016-QEG0301 - 27 Oct 20
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| 数据手册 - 英文 |
CHT4016-QEG4-14GHz 6位数字衰减器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
26,Jul,13
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHT4694-99F数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHT4694-QAG数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHT4660-QAG数据手册
2016年07月01日
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| 技术文档 - 英文 |
5-30GHz 衰减器 GaAs 单片微波 IC,采用 SMD 无引线封装
CHT4690-QAG0301
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHT4690-99F数据手册
2016年07月01日
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| 技术文档 - 英文 |
线性发射机的构造块
2019/08/14
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| 技术文档 - 英文 |
线性发射机的构造块
2018/04/19
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| 数据手册 - 英文 |
CHT4694-QAG 25-40GHz GaAs衰减器单片微波IC SMD无引线封装
27 Oct 20
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UMS CHT4699-QDG数据手册
2016年07月01日
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用于6-44GHz高功率放大器和驱动器的线性发射机的构造块
2018/06/09
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CHT4660-QAG DC-16GHz GaAs衰减器单片微波IC SMD无引线封装
27 Oct 20
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UMS CHT4012-QDG数据手册
2016年07月01日
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利用UMS氮化镓和砷化镓设备和产品解决方案实现5G项目
2018/06/09
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UMS CHT4012a98F数据手册
2016年07月01日
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用于多用途相控阵雷达的X波段AESA芯片组氮化镓和GaAs解决方案
2018/06/09
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UMS CHT4690-QAG数据手册
2016年07月01日
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X波段AESA芯片组
2018/04/19
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SMD无铅封装的CHT4690-FAA 5-30GHz可变衰减器砷化镓单片微波集成电路
18 Apr 18
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SMD无铅封装的CHT4690-FAB 5-30GHz可变衰减器砷化镓单片微波集成电路
31 Mar 20
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UMS CHT4690-FAA单片微波IC官方数据手册
2018年12月20日
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CHT4699-QDG 36-44GHz可变衰减器砷化镓单片微波集成电路
27,Apr,12
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CHT4660-FAB 0.5-16GHz可变衰减器
23 Dec 20
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CHT4694-99F 25-45GHz衰减器砷化镓单片微波集成电路
31,Oct,12
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CHT4690-99F 5-30GHz GaAs单片微波衰减器IC
27 Oct 20
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CHT4690-99F符合RoHS标准的5-30GHz衰减器GaAs单片微波集成电路
30,Jul,10
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CHT4012a98F RoHS兼容DC-6GHz 6位数字衰减器砷化镓单片微波集成电路
03,Apr,15
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采用SMD封装的5-30GHz GaAs单片微波电压可变衰减器
23 Aug 17
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40QAS46GHz单片微波衰减器
30,Jul,2010
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CHT4694-99F
DSCHT46940301 - 27 Oct 20
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技术论坛
有没有DIe的AGC推荐一波啊,要求频率范围10MHz到2GHz以内?给电最好是+5V的?
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研发寻样,35-55GHz的模拟衰减芯片,可调压控的,衰减大于20dB,即可
--13所的不用找了,用过不行,想替换
--UMS的CHT4699-QDG,频率36-44GHz,频率不够
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无人机避撞雷达,使用了压控衰减器CHT4690-QAG,规格书上P-1in为25dBm,最大输入为30dBm,那输入功率在二者之间会怎么样?
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研发选型寻样,35-55GHz的模拟衰减芯片,可调压控,(13所的不用找了,用过不行,想替换)
频段:35~55GHz
插入损耗:3.5dB
电调衰减量:0~22dB
通态输入/输出驻波:1.4
我们用37-43GHz,衰减大于20dB,满足这两个指标就可以
国内国外品牌不限,按道理美国应该是有的,因为星链用的也是这个频率
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为了增加无人机避撞雷达的探测的动态范围,需要在发射端增加一款压控衰减器,好像没找到能到这个频率的压控,有推荐吗?
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求推荐数控衰减器用于6Ghz,0.25dB步进,31dB衰减量
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应用/方案
UMS 单一控制电源配置UMS CHT4690-QAG和CHT4690-99F应用笔记
本资料为AN0023,针对CHT4690-QAG和CHT4690-99F单控制电源配置的GaAs单片封装微波集成电路提供应用指南。内容涵盖单控制电源在CHT4690-QAG和CHT4690-99F中的应用,包括电气特性、典型结果和注意事项。资料重点介绍了单控制电源对线性和动态范围的影响,并提供了不同配置下的性能数据。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案,涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等,支持多种频段,如26、28、39、47GHz等。此外,还提供了多种封装选项,包括QFN、DFN等,以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数,如增益、IP3、OP1dB等。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案,涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装(SiP)、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数,如增益、饱和功率、线性度等,并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs,涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)和频率转换器,适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移,并提供多种封装解决方案,满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs,涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)和频率转换器,适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术,满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证,适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移,并提供广泛的封装解决方案,覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS公司提供适用于新太空、近地轨道(LEO)、地球同步轨道(GEO)、深空任务、地球观测和通信的太空解决方案。公司拥有超过100,000个飞行的MMICs,采用先进的GaAs和GaN技术,提供裸片或封装的目录产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS的产品已在GEO轨道以上飞行,并符合ESA/ESCC标准。
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs,采用GaAs和GaN先进技术,提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列,包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs,以及封装产品。此外,UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型GaN和GaAs元器件,用于雷达和电子战应用。产品包括LNA放大器和MPA放大器,涵盖不同频段和性能参数。详情请访问UMS官方网站www.ums-rf.com。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型号国防级射频放大器,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(MPA)和高功率放大器(HPA),适用于雷达和电子战应用。产品涵盖不同频段和功率等级,满足不同应用需求。详情请访问UMS官方网站。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型号国防级射频放大器、功率放大器、移相器和衰减器,适用于雷达和电子战应用。产品包括LNA、MPA、HPA、移相器和衰减器,覆盖不同频段和带宽,满足不同应用需求。产品详细信息可在UMS官方网站查询。
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