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CHX2095a99F 7.5-30GHz Frequency Multiplier GaAs Monolithic Microwave IC
发布时间: 2018-04-20
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
UMS
型号:
CHX2095a99F; CHX2095a99F/00
本数据手册详细介绍了CHX2095a99F,这是一款覆盖7.5至30GHz频段的频率倍增器GaAs单片微波集成电路。该器件采用先进的0.25微米栅长pHEMT工艺制造,结合了基板通孔、空气桥和电子束光刻技术,具备卓越的微波性能。其芯片背面接地设计有效简化了组装流程,适用于从军事到商业通信系统的广泛应用场景。在关键特性方面,该倍增器在6.25-8.25GHz频率范围内表现出色,在+12dBm输入功率下可提供11dBm的输出功率,直流功耗为75mA(@3.5V),且封装尺寸仅为2.02 x 0.89 x 0.10mm,非常适合对空间和功耗有严格要求的射频设计。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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UMS官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供UMS的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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UMS——24G雷达解决方案全球出货量第一供应商
United Monolithic Semiconductors (UMS)是欧洲领先的射频MMIC产品和专门市场的foundry service代工服务,包括国防和航天、电信、汽车雷达和24G工业雷达传感器。
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现货平台 / UMS 授权代理店
订货型号 CHX2095A99F 品牌 UMS
型号系列 CHX2095A99F 品类 Frequency Multiplier, GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 7.5-30GHz Frequency Multiplier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 封装/外壳/尺寸
最小包装量 100 包装形式 盒装
生命周期 不推荐用于新设计(NRND/NFND) 停产时间
Xn X4 Input Bandwidth (GHz)min 6.25
Input Bandwidth (GHz)max 8.25 Output Bandwidth (GHz)min 25
Output Bandwidth (GHz)max 33 Input Power(dBm) 12
Output Power(dBm) 11 Bias(mA) 75
Bias(V) 3.5 Case Die
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥176.9309
库存:
0
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订货型号 CHA3666-QAG/20 品牌 UMS
型号系列 CHA3666-QAG/20 品类 Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package 封装/外壳/尺寸 16L-QFN
最小包装量 120 包装形式 管装
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
RF Bandwidth (GHz)min 5.8 RF Bandwidth (GHz)max 17
Gain(dB) 21 Noise Figure(dB) 1.8
P1dB OUT(dBm) 16 Bias(mA) 80
Bias(V) 4
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥191.1053
库存:
2,985
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订货型号 CHA2069-99F 品牌 UMS
型号系列 CHA2069-99F 品类 Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 18-31GHz Low Noise Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 封装/外壳/尺寸
最小包装量 100 包装形式 盒装
生命周期 不推荐用于新设计(NRND/NFND) 停产时间
RF Bandwidth (GHz)min 16 RF Bandwidth (GHz)max 31
Gain(dB) 22 Gain Flatness(+/dB) 1
Noise Figure(dB) 2.5 P1dB OUT(dBm) 10
Bias(mA) 55 Bias(V) 4.5
Case Die
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥183.5117
库存:
2,350
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订货型号 CHA3666-QAG/21 品牌 UMS
型号系列 CHA3666-QAG/21 品类 Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,卷带 封装/外壳/尺寸 16L-QFN
最小包装量 120 包装形式 卷带
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
RF Bandwidth (GHz)min 5.8 RF Bandwidth (GHz)max 17
Gain(dB) 21 Noise Figure(dB) 1.8
P1dB OUT(dBm) 16 Bias(mA) 80
Bias(V) 4
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥191.1053
库存:
1,753
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订货型号 CHS2411-QDG/21/LOGS01K 品牌 UMS
型号系列 CHS2411-QDG 品类 GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 23-26GHz Reflective SP4T Switch.GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package 封装/外壳/尺寸
最小包装量 1,000 包装形式 卷带
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
RF Bandwidth (GHz)min 23 RF Bandwidth (GHz)max 26
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥177.5640
库存:
1,503
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订货型号 CHX1191-98F 品牌 UMS
型号系列 CHX1191-98F 品类 Frequency Multiplier, GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 13.5-40.5GHz Frequency Multiplier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 封装/外壳/尺寸
最小包装量 100 包装形式 盒装
生命周期 不推荐用于新设计(NRND/NFND) 停产时间
Xn X3 Input Bandwidth (GHz)min 11.25
Input Bandwidth (GHz)max 14.5 Output Bandwidth (GHz)min 33.75
Output Bandwidth (GHz)max 43.5 Input Power(dBm) -1
Output Power(dBm) 6 Bias(mA) 80
Bias(V) 5 Case Die
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥225.1503
库存:
1,300
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订货型号 CHA3218-99F/00 品牌 UMS
型号系列 CHA3218 品类 低噪声放大器
描述/说明 CHA3218-99F是一个两级甚宽带低噪声放大器。与2dB低噪声系数相关的宽频带使得该电路对于非常高性能的系统非常通用。它是为广泛的应用而设计的,从军事到商业通信系统。该电路采用pHEMT电子迁移率晶体管工艺制造,栅长0.15μm,通孔穿过衬底,空气桥和电子束栅光刻。它以芯片形式提供 封装/外壳/尺寸
最小包装量 50 包装形式 盒装
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥449.5891
库存:
1,000
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订货型号 CHV2270-98F 品牌 UMS
型号系列 CHV2270-98F 品类 GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 Fully Integrated Ku-band HBT VCO Low cost / High linearity; GaAs Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 封装/外壳/尺寸
最小包装量 100 包装形式 盒装
生命周期 不推荐用于新设计(NRND/NFND) 停产时间
Central Output Freq(GHz) 12.7 Resonator Freq 1.2
Tuning(MHz) -100 Noise @ 100KHz(dBc/Hz) 14
Output Power(dBm) 150 Bias(mA) 4.5
Case Die
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥178.3705
库存:
100
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订货型号 CHA5350-99F 品牌 UMS
型号系列 CHA5350-99F 品类 Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC
描述/说明 17-24GHz Medium Power Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 封装/外壳/尺寸
最小包装量 100 包装形式 盒装
生命周期 不推荐用于新设计(NRND/NFND) 停产时间
RF Bandwidth (GHz)min 17 RF Bandwidth (GHz)max 24
Gain(dB) 26 IP3(dBm) 35.5
P-1dB OUT(dBm) 26.5 Sat. Output Power(dBm) 27
Bias(mA) 300 Bias(V) 6
Case Die
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥305.8959
库存:
100
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订货型号 CHA3398-98F/00 品牌 UMS
型号系列 CHA3398-98F/00 品类 Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC in bare die
描述/说明 36-43.5GHz Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC in bare die(Bare chip) 封装/外壳/尺寸
最小包装量 100 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
RF Bandwidth (GHz)min 36 RF Bandwidth (GHz)max 43.5
Gain(dB) 24 IP3(dBm) 29
P-1dB OUT(dBm) 18 Sat. Output Power(dBm) 19
Bias(mA) 200 Bias(V) 4
Case Die
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥204.2679
库存:
100
世强硬创平台提供CHA3398-98F/00在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CHA3398-98F/00 在线购买 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
数据手册 - 英文
UMS CHX2095a99F数据手册
2016年07月01日
下载
数据手册 - 英文
CHA8254-99F 10W K波段Doherty功率放大器数据手册 (DSCHA82546090)
2026年03月31日
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数据手册 - 英文
DC-12GHz反射式SPDT氮化镓单片微波集成电路
DSCHS70120301 - 27 Oct 20
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技术文档 - 英文
55-60GHz低噪声/中等功率放大器
DSCHA21570301
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数据手册 - 英文
24-27.5GHz 5W功率放大器
DSCHA66823348
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技术文档 - 英文
5-30GHz 衰减器 GaAs 单片微波 IC,采用 SMD 无引线封装
CHT4690-QAG0301
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数据手册 - 英文
CHA1077a98F
DSCHA1077a0301
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数据手册 - 英文
高级信息:AI2310
January 2026
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数据手册 - 英文
高级信息:AI2514
5 Nov 25
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测试报告 - 英文
REACH合规声明
14/10/2022
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数据手册 - 英文
HP07 0.7μm MESFET铸造工艺数据表
2024/6/10
下载
数据手册 - 英文
GH25-10铸造工艺数据表
2024/6/10
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数据手册 - 英文
采用QFN封装的2W RF前端37-41 GHz氮化镓单片微波IC
08 Apr 24
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数据手册 - 英文
裸片形式的CHA8362-99F 27.5-31GHz 25W高功率放大器氮化镓单片微波集成电路
4 Dec 23
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数据手册 - 英文
CHA6357-QKB 27-31 GHz 4W功率放大器SMD无铅封装氮化镓单片微波IC
15 Dec 23
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产品变更通知及停产信息 - 英文
鉴定报告UMS PCN_2023_003:Gelpak制造商搬迁(PCN_2023_003)
Versions 1.0
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数据手册 - 英文
高级信息:AI2304 24-27.5GHz 5W氮化镓功率放大器氮化镓单片微波IC
27 Nov 23
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数据手册 - 英文
采用QFN封装的27.5-30 GHz 4W HPA,带SPDT氮化镓单片微波IC高级信息
11 Sep 2023
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数据手册 - 英文
CHA3063-99F 5.5-23GHz GaAs单片微波驱动放大器
27 Oct 20
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数据手册 - 英文
CHT4690-99F 5-30GHz GaAs单片微波衰减器IC
27 Oct 20
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数据手册 - 英文
SMD无铅封装的CHA3664-QAG 5-21GHz驱动放大器砷化镓单片微波集成电路
27 Oct 20
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数据手册 - 英文
CHA6015-99f2-8GHz高功率放大器GaAs单片微波集成电路
27 Oct 20
下载
数据手册 - 英文
CHA2098B99F 20-40GHz高增益缓冲放大器GaAs单片微波集成电路
27 Oct 20
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数据手册 - 英文
CHA5266-99F 10-16GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
27 Oct 20
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CHA4220-qgg0.5-20GHz驱动砷化镓单片微波集成电路
27 Oct 20
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CHT3091aQAG DC-12GHZ衰减器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
27 Oct 20
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CHR2291-99F 12-17GHz集成下变频器GaAs单片微波IC
27 Oct 20
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CHA3396-QDG 27-33.5GHz中功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
27 Oct 20
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CHR3861-QEG 6-9GHz集成下变频器GaAs单片微波IC,采用SMD无引脚封装
27 Oct 20
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SMD无铅封装的CHA4102-QEG S波段数字VGA砷化镓单片微波集成电路
27 Oct 20
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CHA6262-99F 17.3-21.5GHz 4W氮化镓功率放大器
12 May 23
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CHA7250-QAB 10-12.75GHz高功率放大器
16 Dec 22
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CHA6282-QCB 17.3-21.5GHz氮化镓功率放大器:采用SMD无引线封装的氮化镓单片微波IC
30 Nov 22
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CHA8254-99F 10W K波段Doherty功率放大器:氮化镓单片微波集成电路
20 Oct 22
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技术论坛
请问UMS的混频器CHX2095a99F与CHX2095a99F/00有什么区别?
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求用于24-26GHz的LNA国产器件,也可以考虑非国产的,但不优先考虑,求推荐
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为了提高避撞雷达的性能,采用分立方案,需要一款24GHz的有源下变频器,有没推荐?
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CHV2421-QDG的1脚P是做什么用的?
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现在有一个高频发射组件的项目,需要一款末级PA,要求是频率范围8GHz-12GHz,增益>18dB,有合适的型号推荐吗?
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目前有一个特种安检门微波组件,需要一款高增益功率放大器,要求是射频带宽在20GHz-40GHz,增益可以达到19dB,有合适的型号推荐吗?
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应用/方案
【应用可提供4倍频的倍频器IC CHX2095a99F,专为23-26GHz卫星通信系统设计
对于23-26GHz卫星通信系统中倍频器解决方案的选取,本文推荐采用UMS公司推出的具备4倍频的倍频器IC——CHX2095a99F,支持6.25GHz~8.25GHz的输入频率,输出频率范围为25GHz~33GHz,偏置电流为75mA,工作温度范围为-40℃~+85℃,存储温度范围为-55℃~+125℃,其输出功率典型值为11dBm,具备低损耗优势。
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【产品】6.25~8.25GHz输入频率范围的4倍频GaAs单芯片倍频器CHX2095a99F
UMS推出的CHX2095a99F是一款4倍频GaAs单芯片倍频器,为GaAs单芯片微波IC,芯片背面采用RF和DC接地,简化了装配工艺。改款产品的电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25μm,通孔穿过基板,空气桥和电子束栅极光刻。CHX2095A99F的芯片尺寸为2.02 x 0.89 x 0.10mm, 适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。
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UMS评估板应用笔记(EVB)
本资料为UMS评估板(EVB)的使用指南,包括设备需求、评估板描述、测试准备、热信息、校准和去嵌入、偏置序列以及预期结果等内容。资料详细介绍了评估板的RF线路布局、电源和RF输入输出、测量注意事项、测试准备、热信息、校准和去嵌入、偏置序列以及预期结果等,旨在帮助用户评估产品的性能。
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UMS Releases New CHA6354-QQA – 27.5-30GHz 4W HPA with SPDT
The CHA6354-QQA is a three stage monolithic GaN High Power Amplifier reaching 4W output power over 27.5-30GHz bandwidth. It includes a SPDT switch at the output. It is well suited for SatCom uplink and 5G communication applications.
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At the front end of Data Short Range Communication 5.8GHz TAG/On Board Unit for Electronic Toll Collection
UMS has already developed the CHR2270-QRG, the ideal solution for your Electronic TAG solution. It is a 5.8GHz TRX for Electronic TAG, compatible with ETSI ES 200 674/EN 300 674 pattern.
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尝试使用UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和代工服务的氮化镓GH15 MPW
UMS推出基于GH15 GaN工艺的共享晶圆代工服务,适用于高频功率应用。GH15技术基于0.15µm HEMT GaN-on-SiC衬底,支持40GHz频率。服务包括PDK和模型支持,适用于HPA、LNA等电路设计。报价针对新设计概念评估和原型制作,工程晶圆价格为3200欧元/平方毫米,最小面积为4mm²。提交GDS文件截止日期为2023年11月24日。
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尝试使用UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和代工服务的氮化镓GH15 MPW
UMS推出基于GH15 GaN工艺的共享晶圆代工服务,适用于高频功率应用,最高可达40GHz。该服务支持设计HPA、LNA等电路,提供精确的非线性可扩展模型、电磁仿真堆栈和布局规则验证工具。此服务面向新设计概念评估和原型制作,价格为3200欧元/平方毫米,适用于工程晶圆,无筛选和测试检验。MPW启动日期为2023年5月26日,需在截止日期前提供GDS文件。
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