N-channel TrenchMOS standard level FET
发布时间：
2018-04-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK764R4-60E
本数据手册详细介绍了Nexperia公司生产的BUK764R4-60E N沟道TrenchMOS标准级FET。该器件采用先进的TrenchMOS技术，并封装于SOT404中，专为高性能汽车应用设计，完全符合AEC Q101标准。在产品特性方面，该FET具备重复雪崩额定值，能够在高达175°C的极端高温环境下稳定工作，且拥有真正的标准级栅极，确保在高温下VGS(th)大于1V。其技术优势使其特别适用于12V汽车系统，能够胜任电机、灯具和电磁阀控制，以及Start-Stop微混合应用、传动控制和超高性能功率开关等多种复杂场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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中国RoHS BUK764R4-60E
2019/01/06
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中国RoHS BUK764R4-60E
2018/09/05
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中国RoHS BUK764R4-60E
2018/04/24
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中国RoHS BUK764R4-60E
2018/03/06
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热网（Foster）
11/4/2013
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化学成分BUK764R4-60E
Version 4
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化学成分BUK764R4-60E
2018/09/05
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化学成分BUK764R4-60E
2018/04/24
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化学成分BUK764R4-60E
2018/03/06
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
1 March 2013
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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11 September 2012
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11 September 2012
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11 September 2012
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19 May 2016
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11 September 2012
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11 September 2012
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19 June 2015
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5 October 2012
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13 July 2012
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28 July 2016
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25 August 2014
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28 July 2016
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