N-channel TrenchMOS logic level FET
发布时间：
2018-04-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK953R5-60E
本数据手册详细介绍了Nexperia公司生产的BUK953R5-60E N沟道TrenchMOS逻辑电平FET。该器件采用TrenchMOS技术，封装形式为SOT78，专为高性能汽车应用设计，并严格符合AEC Q101标准。产品具备重复雪崩额定值，真逻辑电平栅极在175°C高温下VGS(th)仍大于0.5V，确保了在极端环境下的可靠性。其最高工作温度可达175°C，适用于12V汽车系统中的电机、灯具和电磁阀控制，以及Start-Stop微混合应用、变速箱控制和超高性能功率开关等场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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中国RoHS BUK953R5-60E
2019/01/07
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中国RoHS BUK953R5-60E
2018/09/05
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中国RoHS BUK953R5-60E
2018/04/24
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中国RoHS BUK953R5-60E
2018/03/06
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热RC网络（Foster）SPICE热模型BUK953R5-60E
17/4/2013
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化学成分BUK953R5-60E
Version 5
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化学成分BUK953R5-60E
2018/09/05
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化学成分BUK953R5-60E
2018/04/24
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化学成分BUK953R5-60E
2018/03/06
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
13 July 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
28 July 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
28 July 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
26 May 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
1 March 2013
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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11 September 2012
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19 May 2016
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11 September 2012
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19 June 2015
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5 October 2012
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28 July 2016
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
25 August 2014
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
28 July 2016
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
28 July 2016
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