N-channel TrenchMOS standard level FET
发布时间：
2018-04-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK7509-55A
本数据手册详细介绍了Nexperia公司生产的BUK7509-55A N沟道TrenchMOS标准级FET。该器件专为汽车关键应用设计，采用先进的TrenchMOS技术，符合AEC Q101标准，具备低导通损耗与优异的高温性能，可在175°C环境下稳定工作。在电气特性方面，其静态参数VDS为55V，ID为75A，RDSon低至18mΩ，动态参数QGD为25nC，并采用通用的TO-220AB封装形式。凭借这些技术优势，该产品广泛应用于12V和24V负载、通用电源开关、汽车系统以及电机、灯具和电磁阀等控制场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
BUK7509-75A
Rev. 03
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中国RoHS BUK7509-55A
2018/04/24
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中国RoHS BUK7509-55A
2018/03/06
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BUK7509-75A N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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化学成分BUK7509-55A
2018/04/24
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化学成分BUK7509-55A
2018/03/06
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 3
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
1 March 2013
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 03
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
19 May 2016
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
19 June 2015
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 02
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
5 October 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
13 July 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
28 July 2016
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
5 October 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
25 August 2014
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 02
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
28 July 2016
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28 July 2016
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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28 July 2016
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28 July 2016
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5 October 2012
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28 July 2016
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28 July 2016
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
28 July 2016
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