MASW-011131-CS0185 Connectorized Millimeter Wave Reflective SP2T Switch with TTL Driver, 7.5 - 50 GHz
发布时间：
2022-05-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MACOM
型号：
MASW-011131-CS0185; MASW-011131
本数据手册详细介绍了MASW-011131-CS0185这款反射式SP2T开关，该器件工作频段覆盖7.5至50 GHz，采用1.85 mm射频可更换连接器，并集成了TTL驱动器，支持+5 VDC和-10 VDC双电压供电。产品具备独特的双射频端口隔离状态，在30 GHz频率下可实现2.2 dB的低插入损耗和35 dB的高隔离度，电压驻波比（VSWR）为1.3:1，切换速度达28 ns，重量仅为32克，专为需要密封硬件封装的严苛环境设计。该开关主要应用于航空航天、防务及空间技术等高频领域。Macom在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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MASW-011131毫米波反射式SP2t，带ttL驱动器，8-50 GHz
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MASW-011131毫米波反射式SP2T，带TTL驱动器7.5-50 GHz
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MASW-000834-000SMB样本板应用MASW-000834-13560T T/R开关样本板操作说明
REV.3
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MASWCC0006 GaAs SP6T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
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MASWCC0006 GaAs SP6T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
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MASWCC0009 GaAs SP4T开关，吸收式DC-3.0 GHz
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无阻塞电容器的MASWSS0167（观察低频性能）
2019/10/16
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用于0.05-6 GHz高功率应用的MASW-000936 PIN二极管单刀双掷120 W开关
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MASWCC0010 GaAs SP4T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
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MASWCC0010 GaAs SP4T开关，吸收式，单电源DC-4.0 GHz
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MACOM的AlGaAs引脚开关产品
2017/11/16
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MASW-007107砷化镓宽带单刀双掷开关DC-8 GHz
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MASW-007107 GaAs宽带单刀双掷开关DC-8.0 GHz
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MASW-000932 HMIC™PIN二极管单刀双掷80 W开关，适用于0.01-6.0 GHz高功率应用
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MASW-008899砷化镓单刀双掷开关DC-3.0 GHz
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MASW-000936用于0.05-6.0 GHz更高功率应用的120瓦PIN二极管单刀双掷开关
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MASW-000936用于0.05-6.0 GHz更高功率应用的120瓦PIN二极管单刀双掷开关
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MASW-007074带ASIC驱动器的GaAs SP3T吸收式开关，DC-3.0 GHz
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MASWSS0130 GaAs宽带DPDT分集开关0.5-3.0 GHz
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MASW-007587高功率GaAs DPDT分集开关DC-4.0 GHz
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MASW-008543单刀双掷高隔离端接开关0.01-4.0 GHz
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MASW-007588 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0180 GaAs单刀双掷端接开关DC-2.5 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASW-009588 GaAs SP2T开关DC-4.0 GHz
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MASW-000822-1277OT HMICTMPIN二极管SP2T 10瓦开关，适用于0.05-6.0 GHz更高功率应用
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MASW-009444 GaAs SP2T 1.8 V开关DC-6.0 GHz
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MASW-000932 HMICTMPIN 80瓦单刀双掷二极管开关，适用于0.01-6.0 GHz更高功率应用
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MASW-000822 HMIC™PIN二极管SP2T 10 W开关，适用于0.05-6.0 GHz高功率应用
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MASWSS0178单刀双掷高隔离端接开关0.01-3.0 GHz
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MASWSS0161高功率GaAs单刀双掷开关DC-2.0 GHz
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MASWSS0176 GaAs单刀双掷开关0.05-3 GHz
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MASWSS0190 GaAs宽带DPDT分集开关2.0-6.0 GHz
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MASWSS0157 GaAs单刀双掷开关DC-2.5 GHz
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应用/方案
应用说明S2079砷化镓场效应晶体管开关和数字衰减器驱动器
本应用笔记介绍了如何使用驱动器控制M/A-COM Technology Solutions的GaAs FET开关和数字衰减器。内容涵盖GaAs FET开关和数字衰减器的工作原理、电路拓扑、驱动方式以及相关驱动器IC的应用。此外，还讨论了不同驱动器IC的性能特点、设计注意事项以及与开关和衰减器的配合使用。
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MASW-000834-000SMB样本板应用MASW-000834-13560T T/R开关样本板操作说明
本资料为M/A-COM公司关于MASW-000834-13560T T/R开关的样本板操作指南。指南详细介绍了如何使用MASW-000834-13560T与M/A-COM提供的样本板结合使用，包括单正电源和可选的双极性电源的操作。资料中涵盖了开关的电气/热图、样本板的构造、偏置网络、组件选择以及不同偏置方案下的性能参数。
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GaAs场效应管开关驱动器和数字衰减器应用说明
本应用笔记介绍了如何使用驱动器控制M/A-COM Technology Solutions的GaAs FET开关和数字衰减器。内容涵盖GaAs FET开关和数字衰减器的工作原理、电路拓扑、驱动方式以及相关驱动器的选择和应用。此外，还讨论了不同驱动器的性能参数和设计注意事项，以实现最佳RF线性、快速切换速度、低功耗和小型板尺寸。
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应用M515技术实现GaAs微波单片集成电路开关芯片的高隔离度
本文介绍了使用GaAs MMIC开关芯片实现高隔离的技术。主要内容包括：1. 芯片安装技术，如直接将芯片底部安装在接地平面上，使用短连接线连接接地焊盘和接地平面；2. 通过降低接地焊盘与接地平面之间的电感来提高隔离度；3. 减少寄生效应，如接地路径电感和射频路径间的串扰。文章还提到了M/A-COM公司采用的技术和产品信息。
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MASW-000834-13560T T/R开关样板操作应用说明
本资料为M/A-COM公司关于MASW-000834-13560T T/R开关的样品板操作指南。指南详细介绍了如何使用单正电源和其他可选的双极性电源来操作T/R开关。资料中包含了MASW-000834-13560T开关的详细技术参数、样品板的组装图、电路图以及不同偏置方案下的性能分析。
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【产品】100MHz~8GHz高线性度单刀双掷（SP2T）Wi-Fi RF开关F2950，很宽的带宽下也能提供极低的插损
IDT（Renesas收购）F2950是一款高功率反射式50Ω的单刀双掷（SP2T）RF开关。 该器件覆盖100MHz至8GHz频率范围，可支持各种应用，包括WLAN 802.11。F2950使用单个正电源，兼容1.8V和3.3V控制逻辑。F2950在带宽很宽的情况下也能提供极低的插入损耗，同时在其工作范围内提供了高线性度。
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【产品】工作频段30MHz到6GHz的单刀双掷反射式射频开关F2977，支持多种无线射频应用
IDT最新推出的50Ω 单刀双掷（SP2T）反射式射频开关F2977，线性度高，带宽宽。在30MHz到6GHz的工作频段都具有极优的性能，可支持多种无线射频应用。
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