JST8205S 20V Dual N-Channel Mosfet
发布时间：
2022-06-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
JESTEK（江智）
型号：
JST8205S
本数据手册详细介绍了JST8205S双通道N沟道MOSFET的技术特性与应用参数。该器件专为负载开关、电池保护及电源管理等场景设计，具备优异的电气性能。其核心优势在于低导通电阻，典型值仅为18.0mΩ，在VGS=4.5V条件下最大不超过21mΩ，有效降低了导通损耗。此外，该MOSFET支持20V的最大漏源电压和6A的连续漏极电流，最大功耗达1.25W，并具有快速的开关响应速度（导通延迟9ns，关断延迟32ns），能够适应高效率的电源转换需求。器件的结温范围为150℃，存储温度覆盖-55℃至+150℃，确保了在严苛环境下的工作稳定性。基于该方案，JST在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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JESTEK官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是JESTEK的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供JESTEK的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于半导体功率器件设计、生产与销售的高新技术型企业——JESTEK（江智）
JESTEK（江智）成立于2001年，注册资本：3000 万，主要产品（车规功率 MOS,SJMOS,SIC MOS），（分立器件：二极管，ESD，TVS，三极管），（模拟器件：同步整流），集设计，生产，销售及服务于一体的高新技术型企业，产品种类众多，封装型式齐全，且都有实际上车案列。
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现货平台 / JESTEK 授权代理店
| 订货型号 | JST8205S-4.8A | 品牌 | JESTEK |
| 型号系列 | JST8205S-4.8A | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Channel:DN,BVDSS(V):20,Vth(V):0.72V | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23-6L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Channel | DN | BVDSS（V） | 20 |
| Vth(V) | 0.72V | Rdson（mR）Typ@VGS=4.5V | 19.8m |
| Rdson（mR）Typ@VGS=2.5V | 24m | ID(A)Tc=25℃ | 4.8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
JST8205S 20V双N沟道MOSFET
Version：0-0.1
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| 数据手册 - 英文 |
JST42GDN85D5-Q 85V双通道N沟道MOSFET
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JST8305 24V双N沟道MOSFET
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| 技术文档 - 英文 |
JST200GN40D5-Q N沟道MOSFET
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JST200GN40HD5-Q
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40V N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
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JST80N60T2-Q 60V N沟道MOSFET
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JST15P60T2-Q-60V P沟道MOSFET
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JST260GN60HT3-Q 60V N沟道MOSFET
Version：11-Q1.0
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JST42GDN60D5-Q 60V双通道N沟道MOSFET
Version：0-Q1.0
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JST42GN60D5-Q 60V N沟道MOSFET
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JST45GN60D3-Q 60V N沟道MOSFET
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JST35GN85D3-Q 85V N-Channel Mosfet
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JST55N60D3-Q 60V N沟道MOSFET
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JST60N30T2 N沟道功率MOSFET
2019/5/9
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ES5ABF系列表面贴装超快恢复整流器
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JST3400 30V N沟道MOSFET
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