B5819WT Low VF Schottky Barrier Diode
发布时间：
2022-06-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
德芯半导体（Doeshare）
型号：
B5819WT
资料平台
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B5819W肖特基势垒二极管
2022/1/11
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B5817WS-B5819WS肖特基势垒二极管
2021/6/3
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2N7002kW N沟道MOSFET
2020/12/28
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DN2102W N沟道增强型场效应晶体管
2021/2/25
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DN3018KW N沟道增强型MOSFET
2020/1/13
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2N7002KDW SOT-363塑封MOSFET
2020/4/1
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DP2101W P沟道增强型场效应晶体管
2020/1/13
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DN3134KW N沟道增强型场效应晶体管
2020/4/9
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DN3019KT N沟道MOSFET
2020/3/27
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2N7002T N沟道MOSFET
2020/3/27
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DN2122KM N沟道增强型场效应晶体管
2021/1/18
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DN3134KT N沟道增强型场效应晶体管
2020/11/6
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DP3139KT P沟道增强型场效应晶体管
2021/1/29
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DP2121KM P沟道增强型场效应晶体管
2021/5/26
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DN8B20KC 20V/0.8A N通道小信号MOSFET
2022/1/12
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DN3541KM N沟道增强型场效应晶体管
2020/5/13
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DP6B20KC-20V/-0.6A P沟道小信号MOSFET
2022/1/12
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DT40T系列双向晶闸管
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DT25T标准系列双向晶闸管
Version 05
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DT25T高温系列双向晶闸管
Version 04
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DT20T高温双向晶闸管
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DT20T标准系列双向晶闸管
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DT16T标准双向晶闸管
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DT16T高温双向晶闸管
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DT12T标准系列双向晶闸管
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DT8T标准系列双向晶闸管
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DT12T高温双向晶闸管
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DT8T高温双向晶闸管
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DT6T10T-BH双向可控硅
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DT6T10I-BH双向可控硅
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DT6T10N-BH双向可控硅
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DT1T双向晶闸管
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DT4T10X系列双向晶闸管
Version 08
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MMBT2222A SOT-23塑封晶体管（NPN）
2019/12/13
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SODU1A至SODU1M超快表面贴装整流器
2022/1/11
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MMBT3904 SOT-23塑封晶体管（NPN）
2019/12/13
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SODS1A至SODS1M 1.0安培标准表面安装整流器
2022/1/11
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SODR1A至SODR1M 1.0安培快速恢复表面安装整流器
2022/1/6
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SODE1A至SODE1J 1.0安培超快速表面贴装整流器
2022/1/11
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ES3A THUR ES3J超高速表面贴装整流器
2022/1/10
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RS3A THUR RS3M 3.0 Amp表面贴装快速恢复整流器
2022/1/14
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GS3A THUR GS3M 3.0 Amp表面贴装硅整流器
2022/1/10
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世强AI
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应用/方案
新品资料 | 超低VF、低IR肖特基势垒二极管RBE01VYM6AFH
RBE01VYM6AFH是ROHM推出的超低VF、低IR肖特基势垒二极管，专为低电压小功率应用设计，适用于车载ADAS摄像头光生电压保护及消费电子整流，具备高可靠性与广泛适用性。
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SHINDENGEN Expanded low VF Schottky Barrier Diode Lineups on TO-252 Equivalent
SHINDENGEN have added low VF Schottky barrier diode (“SBD“) and ultrafast recovery diodes (“FRD“) to the lineup of TO-252 packages.
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【产品】世晶半导体推出肖特基势垒二极管RB551V40，具高可靠性、低IR等特点，用于高频逆变器和极性保护应用
世晶半导体推出肖特基势垒二极管RB551V40，具有高可靠性、低IR等特点，可应用于高频逆变器和极性保护应用。存储温度范围-50至+150℃。特点：小功率模塑型、低VF、低IR、高可靠性。
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【产品】TO-277B封装的8A/60V超低VF肖特基势垒整流器DST860S
Littelfuse推出的DST860S超低VF肖特基势垒整流器旨在通过提供耐高温、低泄漏和VF更低的产品，达到商业和工业应用的一般要求。非常适合高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
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【产品】3A/65V 低VF肖特基势垒二极管EC30QSA065，峰值正向浪涌电流高达60A
Kyocera的EC30QSA065是一款高品质肖特基势垒二极管，具有高开关频率和低正向压降等优点，主要用于二次侧整流、直流电源设备、DC / DC转换器和循环二极管等应用。
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产品概述NSR0230：肖特基势垒二极管，30伏，200毫安，低VF
NSR0230是一款30V、200mA的肖特基势垒二极管，适用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。其具有极低的正向电压（最大0.325V），低反向电流，适用于手持和便携式应用。该产品符合AEC标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
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新品 | ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管RBE01VYM6AFH
ROHM开发出新型保护用肖特基势垒二极管RBE01VYM6AFH，通过创新结构实现低VF与低IR特性的平衡，适用于高像素图像传感器的光生电压防护，在ADAS摄像头等应用中提供高可靠性保护，符合AEC-Q101标准，采用小型SOD-323HE封装。
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SHINDENGEN Additional Line-up of TO-252 Package: Low Vf Schottky Barrier Diodes and Ultra-fast Recovery Diodes
Our IF(AV)=10 to 20A class large current diodes in TO-263 equivalent packages were extended into the much wanted, popular, and thinner TO-252 equivalent packages previously. This time, we have added our series of low Vf schottky barrier diodes and ultra-fast recovery diodes in the line-up to allow customers to select from a wider range of products to find optimal solutions for their needs.
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