CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
发布时间:
2018-05-11
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CZT955
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CZT955型硅高电流PNP晶体管。该器件采用外延平面工艺制造,并配备表面贴装式封装,专为满足高压和高电流放大器应用需求而设计。在关键技术特性方面,CZT955具备140V的高集电极-基极电压,连续集电极电流与峰值集电极电流均达到10A,功耗为3.0W。其工作和存储结温范围覆盖-65°C至+150°C,热阻为41.7°C/W,最大反向漏电流为180nA,最小正向导通电压为600mV,开关时间分别为33ns和25ns。这些优异的电气性能参数使其在电路设计中能够提供可靠的功率控制与信号放大功能。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CZT955 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CZT955 | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 0.16666666666666666 | 电压 集射极击穿(最大值) | 140 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 360mV @ 300mA,3A | 电流 集电极截止(最大值) | 20nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,5V | 功率 最大值 | 3 W |
| 频率 跃迁 | 200MHz | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.5255
库存:
200
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| 订货型号 | CZT953 BK PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CZT953 | 品类 | SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR |
| 描述/说明 | 100V,5A,3W Surface mount Transistor-Bipolar Power(>1A) PNP Low VCE(SAT) | 封装/外壳/尺寸 | SOT-223 |
| 最小包装量 | 350 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| VCEO | 100V | IC | 5A |
| PD | 3W | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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原厂认证
价格:
¥1.5255
库存:
10
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW | 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA | Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ | 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000 V | 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A | 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V | 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V,1MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.3305
库存:
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L | 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向(最大值) | 40 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.7332
库存:
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) | 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 30 V | 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V | 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V,1MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 200 mA | 电压 集射极击穿(最大值) | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 200 mA | 电压 集射极击穿(最大值) | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0424
库存:
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 0.041666666666666664 | 电压 集射极击穿(最大值) | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 280mV @ 100mA,1A | 电流 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V | 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.4513
库存:
6,415
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| 订货型号 | CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC3-100 | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) | 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 100 V | 电流 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0628
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICONHIGH CURRENTPNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
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CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
所有采用SOT-223封装制造的器件产品停产通知(PDN01275)
REV 003
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| 技术文档 - 英文 |
表面贴装硅大电流PNP晶体管
R4 (10-May 2019)
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955表面贴装硅大电流PNP晶体管SOT-223外壳
11-June 2013
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SOT-223 CASE CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
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PROCESS CP763V Power TransistorPNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
R0
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
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Central Semiconductor(中央半导体) CP763V-CZT955数据手册
2016年07月01日
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工艺CP763V功率晶体管PNP大电流晶体管芯片
2-August 2012
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CP763V-CZT955 PNP - High Current Transistor Die4.0 Amp, 140 Volt
29-October 2015
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CP763V-CZT955 PNP - High Current Transistor Die 4.0 Amp, 140 Volt
29-October 2015
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CP763V-CZT955 PNP - High Current Transistor Die4.0 Amp, 140 Vol
29-October 2015
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CZT751表面贴装硅大电流PNP晶体管
11-December 2017
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CZT751表面贴装硅大电流PNP晶体管
R5
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CZT953表面贴装硅大电流PNP晶体管
R6
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CZT953表面贴装硅大电流PNP晶体管
R5
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表面贴装硅大电流PNP晶体管
R7 (10-May 2019)
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CZT953 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R7
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CZT953 SURFACE MOUNT SILICONHIGH CURRENTPNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT953 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT953 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT953 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT953 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R6
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Central Semiconductor(中央半导体) CZT751 表面贴装PNP硅晶体管官方数据手册
R5
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SOT-223 CASE CZT751 SURFACE MOUNT SILICONHIGH CURRENTPNP TRANSISTOR
R5
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SOT-223 CASE CZT751 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
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SOT-223 CASE CZT751 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R5
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SOT-223 CASE CZT953 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R6
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CZT751 SURFACE MOUNT SILICONHIGH CURRENTPNP TRANSISTOR
11-December 2017
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CZT751 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格,包括最大集电极-发射极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶部和底部金属化层厚度等参数。资料中列出了多种型号的达林顿晶体管,涵盖了不同的电压和电流规格,适用于不同的应用场景。
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达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格,包括最大集电极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶层和底层金属化层厚度等信息。资料中列出了不同型号的晶体管,并提供了查看详细产品信息的链接。
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【方案】更高速率的色选机吹气阀控制板优选器件方案
色选机吹气阀控制板传统采用光耦作为高速数据隔离器件,传输速率低、传输延迟时间长,会导致色选机系统响应速度慢,使得效率降低。本方案采用更快的高速数据隔离芯片以及高速存储器,及其它相关器件,更好地提高了控制精度,提升了系统响应速度及效率,使得色选颗粒的品质一致性好,带出比小。
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【产品】180V/4A表面贴装硅高电流PNP晶体管CZT955,额定功率损耗为3W,可作为高压和高电流放大器使用
Central Semiconductor公司推出了一款表面贴装硅高电流PNP晶体管CZT955,其漏源电压为180V,额定漏极电流为4A,峰值漏极电流最大为10A,可见其额定电流很大,属于高电流晶体管系列,可作为高压和高电流放大器使用。另外表面贴装硅高电流PNP晶体管CZT955的额定功率损耗为3W,低的功耗可减少发热量,降低热故障率。
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【产品】200MHz高压大电流硅PNP晶体管CP763V-CZT955,助力高频大功率应用
CENTRAL公司推出的CP763V-CZT955系列芯片是为高电压和高电流应用而设计的一种硅PNP晶体管。适用于高可靠性系统的设计。
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