SQS460EN Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
发布时间:
2018-05-22
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
VISHAY(威世)
型号:
SQS460EN; SQ7414AEN; SQ7414AENW; SQ7415AEN; SQ7415AENW; SQS401EN; SQS401ENW; SQS405EN; SQS405ENW; SQS420EN; SQS423EN; SQS462EN; SQS482EN; SQS484EN; SQS490EN; SQS840EN; SQS850EN; SQ7414AEN-T1-GE3; SQ7415AEN-T1-GE3; SQS401EN-T1-GE3; SQS405EN-T1-GE3; SQS420EN-T1-GE3; SQS423EN-T1-GE3; SQS460EN-T1-GE3; SQS462EN-T1-GE3; SQS482EN-T1-GE3; SQS484EN-T1-GE3; SQS490EN-T1-GE3; SQS840EN-T1-GE3; SQS850EN-T1-GE3; SQ7414AEN-T1_GE3; SQ7414AENW-T1_GE3; SQ7415AEN-T1_GE3; SQ7415AENW-T1_GE3; SQS401EN-T1_GE3; SQS401ENW-T1_GE3; SQS405EN-T1_GE3; SQS405ENW-T1_GE3; SQS420EN-T1_GE3; SQS423EN-T1_GE3; SQS460EN-T1_GE3; SQS462EN-T1_GE3; SQS482EN-T1_GE3; SQS484EN-T1_GE3; SQS490EN-T1_GE3; SQS840EN-T1_GE3; SQS850EN-T1_GE3
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司推出的SQS460EN汽车级N通道60V MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET®功率MOSFET技术,并通过了严格的AEC-Q101认证,具备100% Rg和UIS测试保障。其关键规格包括VDS为60V,在VGS=10V时导通电阻低至0.036Ω,连续漏极电流达8A,且工作结温与存储温度范围覆盖-55°C至+175°C,展现出优异的电流承载能力与热性能。该产品采用单通道配置及PowerPAK 1212-8封装,专为汽车电子、工业控制、电机驱动及电源管理等严苛应用场景设计。Vishay在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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加工定制
铭旺电子(Ming wang Electronics)以铲齿铝鳍、回流焊铜底、PWM风扇一体化工艺,为AI服务器/工作站定制CPU散热器,ΔT≤8 ℃@350 W,助力释放芯片极限算力。
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可定制烧结NdFeB磁铁的剩磁最高1.45T,易加工成各种尺寸。充磁方向:径向充磁、轴向充磁、辐射充磁等;镀层:Zn、Sn、Ni、电泳等,最高工作温度220℃。
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资料平台
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SQS401EN汽车P沟道40 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. C
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订购信息PowerPAK®1212-8和PowerPAK 1212-8W
Revision: 25-Aug-15
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SQS850EN Vishay Siliconix Automotive N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. B
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SQS482EN Vishay Siliconix Automotive N沟道30 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. B
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内部手势控制
2019/02/24
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内部手势控制
2017/11/05
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汽车P沟道60 V(D-S)175°C MOSFET SQ7415AENW
Rev. A
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SQS460ENW汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. A
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SQS460ENW汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS460ENW汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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柴油ECU和喷油器驱动器
2019/02/24
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柴油ECU和喷油器驱动器
2017/11/05
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SQS460EN汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. F
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SQS460EN汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS460EN汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. E
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SQS460EN汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
Rev. E
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简写目录清单
2018/03/27
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SQS462EN汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS405EN汽车P通道12 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS405EN汽车P通道12 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS405EN汽车P通道12 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS423EN汽车P沟道30 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS405ENW汽车P通道12 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS405ENW汽车P通道12 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS405ENW汽车P通道12 V(D-S)175°C MOSFET
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汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET SQ7414AEN
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汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET SQ7414AEN
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汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET SQ7414AEN
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SQ7414AEN Vishay Siliconix Automotive N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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SQS484EN汽车N沟道40 V(D-S)175°C MOSFET
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SQ7414AEN汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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SQ7414AENW汽车N沟道60 V(D-S)175°C MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
主要元件
车身电子
资料主要介绍了VISHAY公司在汽车元器件领域的多种产品,包括车身电子、信息娱乐、照明等。产品特点包括通过AEC认证、高功率密度、小尺寸、耐用和可定制。具体产品涵盖MOSFETs、DIODES、RECTIFIERS、RESISTORS、OPTOELECTRONICS、INDUCTORS、TANTALUM CAPACITORS等。
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车身电子设备的关键部件
该资料主要介绍了Vishay公司在汽车电子领域的关键元器件,包括体电子、舒适门控、窗控、信息娱乐、导航、音频、内饰LED照明等。产品包括整流器、二极管、MOSFET、电阻、光电器件、电感器、钽电容和陶瓷电容等,强调其AEC认证、高功率密度、低剖面、耐用性和定制化优势。
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医疗批准的植入式应用工艺流程和设备
Vishay提供一系列经过批准的MOSFET,适用于植入式医疗应用。产品具有严格的制造流程控制,确保高质量和可靠性。应用包括药物输送系统、除颤器、起搏器和助听器等。产品包括N通道和P通道配置,包装尺寸小至1.6mm x 1.6mm,具有超低导通电阻,适用于小输入电压。产品分为A和B两类,A类产品经过特殊优化工艺设计,B类产品符合AEC-Q101标准。
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内部手势控制
本文介绍了VISHAY元器件在车内手势控制应用中的使用。涵盖了电源、传感器、保护元件、开关模式电源等关键组件,包括MOSFET、TVS、电容、电阻、热敏电阻、电感、变压器等。文章详细描述了每种元器件的特性和应用,旨在为汽车内饰交互界面的设计提供技术支持。
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内部手势控制
本文介绍了VISHAY元器件在车内手势控制应用中的使用。涵盖了电源、传感器、保护元件、开关模式电源等关键组件,包括MOSFET、TVS、电容、电阻、热敏电阻、电感、变压器等。文章详细描述了每种元器件的特性和应用,旨在为汽车内饰交互界面的设计提供技术支持。
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内部手势控制
本文介绍了VISHAY元器件在车内手势控制应用中的使用。涵盖了电源、传感器、保护元件、开关模式电源等关键组件,包括MOSFET、TVS、电容、电阻、热敏电阻、电感、变压器等。文章详细描述了每种元器件的特性和应用,旨在为汽车内饰交互界面的设计提供技术支持。
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内部手势控制
本资料介绍了VISHAY元器件在车内手势控制应用中的使用。内容包括红外发射器、电压/电流检测器、MOSFET、ESD保护、TVS保护、手势传感器、缓冲电容器、电流感应、EMI滤波器、整流器和MOSFET等。资料详细描述了每种元器件的特性和应用,旨在为汽车内饰交互界面的设计提供技术支持。
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内部手势控制
本文档介绍了VISHAY元器件在室内手势控制应用中的使用。内容包括红外发射器、电压/电流检测器、MOSFET、ESD保护、TVS保护、手势传感器、电容器、电阻、热敏电阻、电感/EMI滤波器、变压器等。重点介绍了这些元器件在汽车内饰控制中的应用,如手势控制车顶天窗、抬头显示和音响系统,以提高驾驶安全性、直观性和用户体验。
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电动车辆用HV逆变器-新
本文档详细介绍了电动汽车高压逆变器所需的元器件。内容涵盖控制板、输入滤波器、电源、反向极性保护、浪涌保护、直流链接、放电电路、负载泄放保护、温度传感器、电压传感器、驱动器、门极驱动器、门极电阻、输入级、输入滤波器、逆变器桥、主动钳位、门极电阻、缓冲器、温度传感器、相电流传感器、电流传感器和隔离放大器等。文档中列出了多种元器件的名称、描述、特性、封装和Q级等信息,为电动汽车高压逆变器的设计和制造提供了全面的元器件选择指南。
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电动车辆用HV逆变器-新
本文档详细介绍了电动汽车高压逆变器所需的元器件。内容涵盖了控制板、输入滤波器、电源、反向极性保护、浪涌保护、直流链接、放电电路、负载泄放保护、温度传感器、电压传感器、驱动器、门极驱动器、门极电阻、输入级、输入滤波器、逆变器桥、主动钳位、门极电阻、缓冲器、温度传感器、相电流传感器、电流传感器和隔离放大器等关键组件。文档中列出了各种元器件的名称、描述、特性、封装和Q级等信息,为电动汽车高压逆变器的设计和制造提供了全面的元器件选择指南。
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电动车辆用HV逆变器-新
本文档详细介绍了电动汽车高压逆变器所需的元器件。内容涵盖了控制板、输入滤波器、电源、反向极性保护、浪涌保护、直流链接、放电电路、负载泄放保护、温度传感器、电压传感器、驱动器、门极驱动器、门极电阻、输入级、输入滤波器、逆变器桥、主动钳位、门极电阻、缓冲器、温度传感器、相电流传感器、电流传感器和隔离放大器等关键组件。文档中列出了各种元器件的名称、描述、特性、封装和Q级等信息,为电动汽车高压逆变器的设计和制造提供了全面的元器件选择指南。
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带接近传感器的触觉反馈-新增
本文档介绍了使用接近传感器实现触觉反馈的应用,主要应用于汽车领域,以替代机械开关。文档详细列出了用于实现这一功能的元器件,包括触觉反馈执行器、低边开关、肖特基二极管、MOSFET、电阻、多层陶瓷片电容器、TVS二极管、LED、功率电感器、分流电阻器、厚膜电阻器、齐纳二极管等。此外,还涉及了SMPS、手表控制和显示、CAN ESD保护、滤波器、保护等方面的内容。
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带接近传感器的触觉反馈-新增
本文档介绍了使用接近传感器实现触觉反馈的应用,主要应用于汽车领域,以替代机械开关。文档详细列出了所需的元器件,包括触觉反馈执行器、功率MOSFET、CAN ESD保护、多层陶瓷片状电容器(MLCC)、TVS保护、LED、功率电感器、分流电阻器、厚膜电阻器、肖特基二极管、齐纳二极管等。文档还提供了每个元器件的详细规格和特性描述。
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带接近传感器的触觉反馈-新增
本文档介绍了使用接近传感器实现触觉反馈的应用,主要应用于汽车领域,以替代机械开关。文档详细列出了用于实现这一功能的元器件,包括触觉反馈执行器、低边开关、肖特基二极管、MOSFET、电阻、多层陶瓷片电容器、TVS二极管、LED、功率电感器、分流电阻器、厚膜电阻器、齐纳二极管等。此外,还涉及了SMPS、手表控制和显示、CAN ESD保护、滤波器、保护等方面的内容。
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