CHR3362-QEG 10-16GHz Integrated Down Converter GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package
发布时间：
2023-07-21
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
UMS
型号：
CHR3362-QEG; CHR3362-QEG/XY; CHR3362-QEG/20; CHR3362-QEG/21
本数据手册详细介绍了CHR3362-QEG这一款10-16GHz集成下变频器。该器件属于GaAs单片微波集成电路，采用0.25μm栅极长度的pHEMT工艺制造，结合了基板通孔、空气桥和电子束光刻等先进技术。作为一款多功能单片电路，CHR3362-QEG内部集成了平衡冷FET混频器、本振缓冲器以及带有增益控制的射频低噪声放大器（LNA）。其关键性能指标包括13dB的转换增益、2dBm的输入IP3、9dB的增益控制范围以及15dBc的图像抑制比，并具备ESD保护功能。该产品提供符合RoHS标准的24LQFN4x5 - MSL1无引线SMD封装，适用于广泛的ISM和商业通信系统。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台还提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 订货型号 | CHR3362-QEG | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHR3362-QEG | 品类 | Integrated Down Converter, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 10-16GHz Integrated Down Converter,GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | 24LQFN |
| 最小包装量 | 73 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 10 | RF Bandwidth (GHz)max | 16 |
| LO Bandwidth (GHz)min | 6.5 | LO Bandwidth (GHz)max | 19.5 |
| IF Bandwidth (GHz) min | DC | IF Bandwidth (GHz) max | 3.5 |
| Conv. Gain(dB) | 13 | Noise Figure(dB) | 3.2 |
| P-1dB IN(dBm) | -6 | LO Input Power(dBm) | 0 |
| Bias(mA) | 310 | Bias(V) | 4 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥504.7210
库存：
11
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/20 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
2,985
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| 订货型号 | CHA2069-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA2069-99F | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 18-31GHz Low Noise Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 16 | RF Bandwidth (GHz)max | 31 |
| Gain(dB) | 22 | Gain Flatness(+/dB) | 1 |
| Noise Figure(dB) | 2.5 | P1dB OUT(dBm) | 10 |
| Bias(mA) | 55 | Bias(V) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥183.5117
库存：
2,350
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/21 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/21 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,卷带 | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
1,753
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| 订货型号 | CHS2411-QDG/21/LOGS01K | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHS2411-QDG | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 23-26GHz Reflective SP4T Switch.GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 23 | RF Bandwidth (GHz)max | 26 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥177.5640
库存：
1,503
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| 订货型号 | CHX1191-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHX1191-98F | 品类 | Frequency Multiplier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 13.5-40.5GHz Frequency Multiplier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Xn | X3 | Input Bandwidth (GHz)min | 11.25 |
| Input Bandwidth (GHz)max | 14.5 | Output Bandwidth (GHz)min | 33.75 |
| Output Bandwidth (GHz)max | 43.5 | Input Power(dBm) | -1 |
| Output Power(dBm) | 6 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 5 | Case | Die |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥225.1503
库存：
1,300
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| 订货型号 | CHV2411AQDG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2411AQDG, CHV2411 | 品类 | Fully Integrated HBT K-band VCO, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated HBT K-band VCO GaAs Monolithic Microwave IC in QFN package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 90 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 24.125 | Resonator Freq | 2 |
| Tuning(MHz) | -90 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 16 |
| Output Power(dBm) | 220 | Bias(mA) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CHV2270-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2270-98F | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated Ku-band HBT VCO Low cost / High linearity; GaAs Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 12.7 | Resonator Freq | 1.2 |
| Tuning(MHz) | -100 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 14 |
| Output Power(dBm) | 150 | Bias(mA) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥178.3705
库存：
100
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CHV2270-98F 样品申请 >>
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| 订货型号 | CHA5350-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA5350-99F | 品类 | Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 17-24GHz Medium Power Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 17 | RF Bandwidth (GHz)max | 24 |
| Gain(dB) | 26 | IP3(dBm) | 35.5 |
| P-1dB OUT(dBm) | 26.5 | Sat. Output Power(dBm) | 27 |
| Bias(mA) | 300 | Bias(V) | 6 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥305.8959
库存：
100
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| 订货型号 | CHA2159-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA2159-99F | 品类 | Low Noise / Medium Power Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 55-65GHz Low Noise / Medium Power Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 55 | RF Bandwidth (GHz)max | 65 |
| Gain(dB) | 20 | Gain Flatness(+/dB) | 1 |
| Noise Figure(dB) | 4 | P1dB OUT(dBm) | 14 |
| Bias(mA) | 115 | Bias(V) | 3.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥232.8701
库存：
100
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供UMS快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制，语音时长：40秒~3小时（外挂flash），可以外挂TF卡或U盘扩容。
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世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
UMS CHR3362-QEG数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
CHR3362-QEG RoHS兼容10-16GHz集成下变频器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
31,Jan,14
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| 技术文档 - 英文 |
6-86GHz低噪声放大器和下变频线性接收机的构造块
2018/06/09
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHR3352-QEG数据手册
2016年07月01日
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| 技术文档 - 英文 |
线性接收机用积木
2018/04/19
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| 数据手册 - 英文 |
UMS CHR3394-QEG数据手册
2016年07月01日
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| 技术文档 - 英文 |
线性接收机的构造块
2019/08/14
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
UMS CHR3394-QEG 37-40GHz降压转换器数据手册
2020年2月6日
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SMD无铅封装CHR3394-QEG37-40GHz下变频器砷化镓单片微波集成电路
27 Oct 20
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SMD无铅封装CHR3394-QEG37-40GHz下变频器砷化镓单片微波集成电路
14 Apr 20
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CHR3352-QEG 12-16GHz集成下变频器GaAs单片微波IC，采用SMD无引脚封装
27 Oct 20
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UMS CHR3364-QEG数据手册
2016年07月01日
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CHR3364-QEG 17-24GHz下变频器GaAs单片微波IC，采用SMD无引脚封装
27 Oct 20
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UMS CHR3364-QEG 17-24GHz下变频器数据手册
2019年10月17日
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CHR3394-QEG RoHS兼容37-40GHz集成下变频器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
11,Jul,11
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CHR3352-QEG RoHS兼容12-16GHz集成下变频器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
31,Jan,13
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CHR3364-QEG RoHS兼容17-24GHz下变频器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
11,Jul,11
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CHR3664-QEG 17-27GHz下变频器GaAs单片微波IC，采用SMD无引脚封装
27 Oct 20
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CHP3015-99F X波段6位数字移相器 GaAs单片微波集成电路
2025-08-27
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CHR3764-QEG 21-27GHz下变频器GaAs单片微波IC，采用SMD无引脚封装
27 Oct 20
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CHA4105-99F 2-4GHz GaAs单片微波驱动器IC
27 Oct 20
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5-30GHz 衰减器 GaAs 单片微波 IC，采用 SMD 无引线封装
CHT4690-QAG0301
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CHA3514-99F 6-18GHz 4位数字可变放大器GaAs单片微波IC
27 Oct 20
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CHA3513-99F 6-18GHz 3位数字可变放大器GaAs单片微波IC
27 Oct 20
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20-30GHz低噪声放大器 CHA2193-99F GaAs单片微波集成电路
DSCHA21930301 - 27 Oct 20
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CHA3512-99F 6-18GHz低噪声数字可变放大器GaAs单片微波IC
27 Oct 20
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CHV2240-99F多功能K波段VCO和Q波段倍频器GaAs单片微波集成电路
27 Oct 20
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CHR3664-QEG RoHS兼容17-27GHz下变频器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
11,Jul,11
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应用/方案
L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供多种封装解决方案，满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术，满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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UMS卫星通信产品：L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段的高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术，满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器和下变频器。
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UMS AN0018 GaAs单片包装的微波芯片裸片和塑料封装的热管理应用笔记
本文档主要介绍了热管理在芯片级和塑料封装（QFN）中的应用。内容涵盖了热管理的基本规则、定义和简化方法，旨在帮助进行温度评估。文章强调了保持结温低于最大结温（Tjmax）的重要性，以确保可靠性。此外，还讨论了芯片级热源、热功率计算、热阻估计以及封装产品的热管理。最后，通过一个实际案例展示了结温的计算过程。
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l、s、c、X、Ku和Ka波段的高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku和Ka频段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaAs技术，满足客户对高性能的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，支持GEO和LEO卫星通信。
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线性接收机的构造块
该资料介绍了多种低噪声放大器（LNA）和下变频器，适用于线性接收机。产品包括不同频段、带宽、增益和噪声系数的器件，提供表面贴装和无引脚封装选项。此外，还提供了详细的参数表格，列出了各型号的产品编号、射频带宽、增益、噪声系数等关键性能指标。资料强调了产品的可靠性、易用性以及空间评估技术，并提供了联系信息和网站链接以便进一步咨询。
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UMS卫星通信公司生产L、S、C、X、Ku和Ka波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku和Ka频段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaAs技术，满足客户对卫星通信设备的需求。公司提供空间评估技术和产品认证流程，确保产品适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信的上行和下行链路。产品目录包括多种放大器、衰减器和转换器，适用于不同频率和带宽需求。
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UMS AN0020 GaAs单片包装芯片相关静电放电敏感度数据应用笔记
本文档主要针对UMS公司的GaAs单片微波集成电路（MMIC）的静电放电（ESD）敏感度进行了详细分析。内容包括ESD敏感性的基本考虑、组件特性、产品特性、设计考虑、ESD处理注意事项以及ESD与电过应力（EOS）的区别。文档还提供了不同类型产品（如FET、HBT、二极管）的ESD等级和典型失效水平，以及如何通过设计考虑和ESD保护措施来提高产品的ESD鲁棒性。
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UMS AN0019 GaAs单片包装芯片相关环境数据应用笔记
本应用笔记详细介绍了UMS公司GaAs单片微波集成电路（MMIC）的环境数据。UMS致力于提供环保产品，其产品主要基于QFN封装。笔记中包含了产品标识、材料组成、环境数据、健康危害信息、生态信息、火灾信息、处理和储存指南、运输信息、法规信息、危害类别和类别以及其他相关信息。此外，还提供了产品的生命周期分析，包括制造、分销、使用和生命终结阶段的环境影响评估。
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【产品】RF带宽12~16GHz，转换增益13dB，GaAs集成下频变频器助力商业通信系统
UMS是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应，该公司近期发布的新产品CHR3352-QEG是一款集成式下频变频器IC，它是一款基于GaAs射频HEMT的工艺的多功能单片集成电路，集成了平衡FET混合器，LO缓冲器和增益可控的射频LNA等组件，具有高频，高增益等特点。该产品备受信息工业市场青睐，在ISM和商业通信系统等领域的应用尤为广泛。
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【产品】37-40GHz高集成下变频器芯片CHR3394-QEG，采用24L-QFN4x5封装
CHR3394-QEG芯片的转换增益典型值为13dB，噪声系数典型值为3.5dB（IF＞0.1GHz），栅极长度为0.15µm，使用电子束门光刻技术，基材和空气桥通过通孔链接。
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