IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip SIGC08T65E
发布时间：
2018-05-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
SIGC08T65E
本数据手册详细介绍了SIGC08T65E trench stop IGBT3芯片的技术规格与应用指南。该资料全面涵盖了产品的机械参数、最大额定值、静态及电气特性，旨在为工程师提供详尽的选型与设计参考。SIGC08T65E芯片采用先进的650V trench & field stop技术，具备低VCEsat、低关断损耗以及短尾电流等显著特性。其正温度系数设计使得器件易于并联，非常适合用于驱动器及功率模块等高性能应用场景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型、设计验证及调试服务，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC39T65E
Rev. 2.0
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SIGC06T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC28T65E
Rev. 2.0
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SIGC04T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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SIGC15T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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SIGC04T60GE IGBT3芯片
Edition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC68T170R3E
Rev. 2.4
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SIGC04T60GSE IGBT3芯片
Edition 2.0
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SIGC39T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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SIGC03T60E IGBT3芯片
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC54T65R3E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC81T120R2C IGBT芯片
Eition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC78T65R3E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC42T120C IGBT芯片
Edition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC06565GE
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC25T120C IGBT芯片
Edition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC76T65R3E
Rev. 2.0
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SIGC128T170R3E IGBT3电源芯片
Eition 2.1
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SIGC28T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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采用NPT技术的SIGC156T120R2C IGBT芯片
Edition 2.1
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SIGC06T60GE IGBT3芯片
Edition 2.1
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采用NPT技术的SIGC81T60NC IGBT芯片
Edition 2
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SIGC08T60SE IGBT3芯片
Edition 2.0
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采用NPT技术的SIGC16T120C IGBT芯片
Eition 2.1
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SIGC19T60SE IGBT 3芯片
Edition 1.0
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采用NPT技术的SIGC223T120R2CS IGBT芯片
Edition 2
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SIGC54T60R3E IGBT3芯片
Edition 2.0
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采用NPT技术的SIGC42T60NC IGBT芯片
Edition 2
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SIGC08T60E IGBT3芯片
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采用NPT技术的SIGC61T60NC IGBT芯片
Edition 2
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC06T65E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC07T60UN高速IGBT芯片
Edition 2
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SIGC76T60R3E IGBT3芯片
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采用NPT技术的SIGC121T60NR2C GBT芯片
Edition 2
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IGBT槽顶™ IGBT3芯片SIGC128T170R3E
Rev. 2.4
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采用NPT技术的SIGC15T60UN高速IGBT芯片
Edition 2
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC84T120R3E
Rev. 2.5
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采用NPT技术的SIGC11T60SNC IGBT芯片
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC57T120R3LE
Rev. 2.5
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采用NPT技术的SIGC81T60SNC IGBT芯片
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SIGC84T120R3E IGBT3芯片
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采用NPT技术的SIGC18T60UN高速IGBT芯片
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SIGC15T60SE IGBT3芯片
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采用NPT技术的SIGC25T120CL IGBT芯片
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SIGC10T60E IGBT3芯片
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
IGBT芯片7代技术及工艺发展史
IGBT芯片经历了7代技术及工艺的升级，从平面穿通型（PT）到微沟槽场截止型，IGBT从芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标都进行了不断的优化，断态电压从600V提高到7000V，关断时间从0.5微秒降低至0.12微秒，工艺线宽由5μm降低至0.3μm。
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【产品】适用于嵌入式驱动和工业驱动的IGBT功率模块，击穿电压600V
Vincotech（威科）推出的IGBT功率模块10-FU06PPA015SB-M684B06，击穿电压为600V，标称芯片额定电流为15A，采用PIM+PFC (CIP)拓扑结构，集成分流电阻，发射极开路配置，采用IGBT3 LL作为主开关，可应用于嵌入式驱动，工业驱动等领域。
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逆变器的参考设计-电子移动性和工业的第一个集成解决方案
Infineon Technologies与TDK合作开发了一种用于电动交通和工业应用的逆变器集成解决方案。该设计允许开发者快速轻松地测试和实施驱动概念。新解决方案通过使用最新的IGBT3芯片和改进的HybridPACK™1模块，显著降低了电压尖峰，提高了电机和逆变器的电磁兼容性。此外，EPCOS DC链路电容器和高压DC滤波器进一步增强了系统的性能和效率。
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【产品】采用IGBT3芯片的高集成IGBT模块MG12100W-XN2MM，适用于电机控制应用
LITTELFUSE公司的IGBT模块MG12100W-XN2MM，具有高集成度，采用IGBT3芯片，能够提供1200V集电极-发射极电压。主要应用于交流电机控制、运动/伺服控制、逆变器和电源等领域。
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【产品】600V/15A的IGBT功率模块V23990-P544-*2*-PM，用于工业驱动和嵌入式驱动
Vincotech公司的IGBT功率模块V23990-P544-*2*-PM，属于flowPIM® 0产品系列，使用PIM（CIB）拓扑结构和IGBT3芯片技术，击穿电压600V、额定电流15A，可用于工业驱动和嵌入式驱动。
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