IPU80R4K5P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7 Power Transistor
发布时间:
2018-05-24
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
INFINEON(英飞凌)
型号:
IPU80R4K5P7; CoolMOSTM P7
本数据手册详细介绍了Infineon公司推出的IPU80R4K5P7型号800V CoolMOS™ P7系列功率晶体管。该产品基于先进的800V超级结技术,在性能与可靠性方面表现优异,具备卓越的FOMRDS(on)和DPAKRDS(on)指标,同时最小化了Qg、Ciss和Coss等关键参数。器件集成了齐纳二极管ESD保护,最佳V(GS)th为3V且变化范围控制在±0.5V以内,完全符合工业级应用标准。凭借其优化的产品组合特性,该晶体管被广泛应用于LED照明、低功耗充电器及适配器、音频设备、工业电源、消费类应用的PFC阶段以及太阳能逆变器等多种场景。Infineon在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
4pu80mosp800v功率晶体管
Rev. 2.0
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材料含量数据表IPU80R2K8CE
29. August 2013
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SPW47N65C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 1.2
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IPD80R450P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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材料含量数据表IPU80R1K0CE
29. August 2013
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SPP08N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPS80R1K4P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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材料含量数据表IPU80R1K4CE
29. August 2013
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SPA06N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPP80R450P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPA02N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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1IPA80R1K4P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPI08N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPW80R280P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPA04N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPP80R280P7 MOSFET 800V CoolMOSTMP7功率晶体管
Rev.2.0
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SPW11N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPD80R280P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPA11N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.92
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IPD80R1K4P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPP02N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPD80R4K5P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPW17N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.92
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IPA80R450P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPD02N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.92
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IPA80R280P7 MOSFET 800V CoolMOSTM P7功率晶体管
Rev. 2.0
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SPD04N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.92
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IPA50R199CP CoolMOSTM功率晶体管
Rev.2.0
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SPP06N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPA50R140CP CoolMOSTM功率晶体管
Rev.2.1
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SPP04N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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IPA50R190CE MOSFET 500V CoolMOSTM CE功率晶体管
Rev.2.4
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SPP24N60CFD CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 1.3
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MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管COOLMOSC6 600V CoolMOSTM C6功率晶体管IPW60R041C6
Rev.2.1
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SPD06N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.92
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产品简介800 V CoolMOS™ P7系列是效率和热性能的新基准
07 / 2016
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SPP15N60CFD CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 1.3
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IPN60R2K1CE MOSFET 600V CoolMOSTM CE功率晶体管
Rev. 2.0
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SPA15N65C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.0
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IPT65R105G7 MOSFET 650V CoolMOSTMC7金系列(G7)功率晶体管
Rev. 2.1
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SPA08N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 3.1
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IPAW70R950CE MOSFET 700V CoolMOSTM CE功率晶体管
Rev. 2.0
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SPP11N80C3 CoolMOSTM功率晶体管
Rev. 2.91
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MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管CoolMOSTMC3 800V 800V CoolMOSTMC3功率晶体管SPW55N80C3
Rev.2.0
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IPAW70R600CE MOSFET 700V CoolMOSTM CE功率晶体管
Rev. 2.0
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应用/方案
Infineon(英飞凌) solutions for switch mode power supplies Bringing energy efficiency to the next level
Infineon提供针对开关电源的高效半导体解决方案,满足能源效率、功率密度和可靠性方面的最高要求。产品包括600 V CoolMOS™ C7 MOSFETs和2EDN EiceDRIVER™门驱动器,适用于高效和成本驱动应用。
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Infineon(英飞凌) solutions for switch mode power supplies Bringing energy efficiency to the next level
Infineon提供针对开关电源的高效半导体解决方案,以应对更严格的规格、更短的周期时间和更高的成本压力。其产品组合包括600 V CoolMOS™ C7高压MOSFETs,以及2EDN EiceDRIVER™门驱动器,旨在优化标准、超级结MOSFETs和GaN的效率。
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800伏CoolMOS™ P7系列是效率和热性能的新基准
800 V CoolMOS™ P7系列是Infineon推出的新一代800 V超级结技术产品,以其高效能和优异的热性能成为行业新标杆。该系列产品在效率上比800 V CoolMOS™ C3提高了0.1%至0.6%,同时降低了2°C至8°C的MOSFET温度。产品特点包括最佳FOM RDS(on) * Eoss、降低Qg、Ciss和Coss、280 mΩ的DPAK RDS(on)、3 V的V(GS)th和±0.5 V的V(GS)th变化,以及集成的Zener二极管ESD保护。这些特性使得P7系列在提高功率密度设计、降低BOM成本和组装成本方面具有显著优势。
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先进硅器件应用与技术趋势
本文探讨了硅器件与氮化镓器件在关键性能指标上的比较,以及在硬开关和谐振电路中的应用对比。文章详细分析了硅器件的优化和改进,包括超结器件的性能提升和GaN器件在功率密度和效率方面的优势。此外,还讨论了布局实践、封装技术对器件性能的影响,以及GaN在谐振转换器中的应用前景。
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