P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
发布时间：
2023-09-08
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
P6SMB6.8A; P6SMB250A; P6SMB6.8A series; P6SMB7.5A; P6SMB8.2A; P6SMB9.1A; P6SMB10A; P6SMB11A; P6SMB12A; P6SMB13A; P6SMB15A; P6SMB16A; P6SMB18A; P6SMB20A; P6SMB22A; P6SMB24A; P6SMB27A; P6SMB30A; P6SMB33A; P6SMB36A; P6SMB39A; P6SMB43A; P6SMB47A; P6SMB51A; P6SMB56A; P6SMB62A; P6SMB68A; P6SMB75A; P6SMB82A; P6SMB91A; P6SMB100A; P6SMB110A; P6SMB120A; P6SMB130A; P6SMB150A; P6SMB160A; P6SMB170A; P6SMB180A; P6SMB200A; P6SMB220A
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的P6SMB系列单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器（TVS），涵盖电压范围从6.8V至250V的多个型号。该系列器件专为保护敏感电子组件免受高电压瞬变损害而设计，采用单向玻璃钝化结结构，具备优异的电压钳位能力。其最大峰值功耗可达600瓦，并能在-65°C至+150°C的宽温范围内稳定工作，封装形式采用通用的SMB表面贴装规格，适用于各类严苛环境下的电路保护需求。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到系统调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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| 数据手册 - 英文 |
SMB CASE P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
在SMB包中制造的所有产品产品/工艺变更通知（232）
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P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICONUNI-DIRECTIONALGLASS PASSIVATED JUNCTIONTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
22-August 2016
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22-August 2016
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P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
22-August 2016
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P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
22-August 2016
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P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
瞬态电压抑制器产品停产通知（PDN01288）
REV 003
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Central Semiconductor（中央半导体） P6SMB6.8A-P6SMB250A 数据手册
2016年08月22日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
减少源产品支持EOL
11 November 2019
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P6SMB6.8A至P6SMB250A表面安装硅单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8至250伏
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P6SMB6.8A至P6SMB250A表面安装硅单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8至250伏
REV:R1
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P6SMB6.8A至P6SMB250A表面安装硅单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8至250伏
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Central Semiconductor（中央半导体） P6SMB6.8CA,P6SMB200CA数据手册
2016年06月27日
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P6SMB6.8CA THRU P6SMB250CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
22-August 2016
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P6SMB6.8CA THRU P6SMB250CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
22-August 2016
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P6SMB6.8CA THRU P6SMB250CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
22-August 2016
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P6SMB6.8CA THRU P6SMB250CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
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P6SMB6.8CA到P6SMB250CA表面贴装硅双向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8到250伏
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P6SMB6.8CA到P6SMB250CA表面贴装硅双向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8到250伏
22-August 2016
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P6SMB6.8CA到P6SMB250CA表面贴装硅双向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8到250伏
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P6SMB6.8CA到P6SMB250CA表面贴装硅双向玻璃钝化结瞬态电压抑制器600瓦，6.8到250伏
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SMB CASE P6SMB6.8CA THRU P6SMB250CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
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SMB CASE P6SMB6.8CA THRU P6SMB250CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
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SMB CASE P6SMB6.8CATHRUP6SMB250CASURFACE MOUNT SILICONBI-DIRECTIONALGLASS PASSIVATED JUNCTIONTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT
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应用/方案
特别推荐：CMNTVS12V 四阵列TVS
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电子式电能表（智能表）应用简介
本资料介绍了智能电表（电子能源计量器）的拓扑结构及其关键元器件。内容涵盖电压/电流感应与测量、显示驱动、控制电路、电源和I/O接口等部分，详细列出了Central Semiconductor公司生产的适用于这些功能的离散半导体产品，包括桥式整流器、稳压二极管、双向瞬态电压抑制器、小信号二极管、MOSFET、限流二极管、小信号晶体管等。资料还提供了产品型号、参数和应用信息，旨在帮助用户了解和选择合适的元器件。
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报警传感器电路应用简介
该资料介绍了中央半导体公司（Central Semiconductor）提供的用于报警传感器电路的元器件。内容包括快速开关的晶体管、高速MOSFET、桥式整流器、瞬态电压抑制器等，旨在确保报警系统的快速响应和可靠性。资料还提供了不同型号的元器件及其规格参数，适用于不同单元的接收器和主控制台。
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无线充电器应用简介
本资料介绍了无线充电技术及其所需的元器件。主要内容包括：无线充电的工作原理，强调电磁感应场和高效MOSFETs的重要性；Central Semiconductor提供的适用于无线充电系统的元器件，包括整流器、MOSFETs和保护器件；具体列举了不同型号的元器件及其参数，如桥式整流器、MOSFETs和瞬态电压抑制器等。
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【应用】中央半导体为报警传感器电路提供高可靠性分立器件组合，保证系统安全运行
安全系统是保护任何建筑物及其内容物的极其重要的组成部分，为了及时通知业主有人闯入，集成在报警电路中的半导体器件必须有快速的响应时间和高度的可靠性。Central Semiconductor公司拥有广泛的分立器件产品组合，这些器件响应速度快且产品质量最高，保证了系统安全运行。
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Highly Efficient Rectifiers, MOSFETs, and Protection Devices Ideal for Wireless Charging Systems
Wireless chargers have become a popular technology to simplify charging portable electronic products. It is critical that conduction and switching losses are minimized in all semiconductor devices to achieve a high level of efficiency. Central Semiconductor‘s diverse portfolio contains highly efficient rectifiers, MOSFETs, and protection devices ideal for wireless charging systems.
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中央半导体为无线充电系统提供整流器、MOSFET和保护二极管，助力提高充电效率
无线充电器已成为一种流行的技术，它可以简化便携式电子产品的充电过程。要获得高效率，关键是所有半导体器件的传导和开关损耗要尽量小。Central Semiconductor（中央半导体）可提供适合无线充电系统的高效整流器、MOSFET和保护二极管。
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