UN600N88DE N-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2023-11-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
优恩半导体（UNSEMI）
型号：
UN600N88DE
本数据手册详细介绍了UN600N88DE型N沟道增强型MOSFET的技术规格与应用特性。该器件采用先进的trench工艺技术，具备低阈值电压和快速开关速度等显著优势，能够有效满足便携式设备对高性能功率管理的需求。在可靠性方面，产品支持高达2kV的HBM ESD防护，并符合无卤素及无铅的环保标准。基于这些特性，UN600N88DE主要适用于便携式设备的负载切换以及电压控制的小信号开关场景，为相关电路设计提供了高效的解决方案。UN600N88DE在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。针对该器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，确保研发过程的顺利进行。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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优恩半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是优恩半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供优恩半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注EMC防护 · 赋能电子系统安全——优恩半导体（UN Semiconductor）
优恩半导体（UNSEMI）是一家专注于电磁兼容（EMC）防护技术的国家级高新技术企业，集EMC防护元器件的研发、生产、制造与应用解决方案于一体，致力于为全球电子产品客户提供全方位、全链条的EMC技术支撑服务。
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资料平台
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UN600N88DE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600系列径向引线可复位聚合物PTC
Revision: March 1,2022
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UN600系列径向引线可复位聚合物PTC
Revision March 4, 2020
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UN600系列径向引线可复位聚合物PTC
Revision October 18, 2013
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UN600系列径向引线可复位聚合物PTC
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UN600系列径向引线可复位聚合物PTCs数据表
Revision May 18, 2018
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UN600系列径向引线可复位聚合物PTCs数据表
Revision October 18,2013
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UN600N32TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N32TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N23TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N23TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN60系列径向引线可复位聚合物PTC
Revision: March 1,2022
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UN60系列径向引线可复位聚合物PTC
Revision April 12, 2021
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UN60系列径向引线可复位聚合物PTC
Revision March 3, 2020
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UN600N52TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N52TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N72TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N72TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600N72TE N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600DN36TE双N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN600DN36TE双N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN60系列径向铅可复位聚合物PTCs数据表
Revision May 18, 2018
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UN60系列径向铅可复位聚合物PTCs数据表
Revision October 18,2013
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UN600-60KA双电极气体放电管（GDT）数据表
Revision February 2, 2015
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UN600-80KA表面贴装2电极气体放电管（GDT）数据表
Revision February 2,2015
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UN600-40KA表面贴装2电极气体放电管（GDT）数据表
Revision February 2, 2015
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径向引线可复位聚合物PTCs
Revision March 1, 2022
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UN609P23T P沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN609P23T P沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN302N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN302N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN300N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN300N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN200N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN200N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN304N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN304N23T N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UNNM2312 20V N沟道增强型MOSFET
Revision December 18 , 20 2
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UN2N7002K N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN657N1K2-T20F N沟道增强型MOSFET
Revision March 5 ,2024
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UN0410N3R2-T52 N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UNNM2300 20V N沟道增强型MOSFET
Revision December 18, 2021
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UN0812N4R6-T63 N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN1021N2R0-T63 N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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UN0813N4R5-T63 N沟道增强型MOSFET
Revision March 1,2022
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