Material Composition Declaration ANA LO PWR OP AMP DUAL LM2904DR2G
发布时间：
2018-06-13
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
LM2904DR2G
本资料详细介绍了制造商对元器件物质成分的声明，重点阐述了双路低功率运算放大器LM2904DR2G在RoHS指令下的合规情况。内容涵盖了该器件的材料组成、重量分布以及受限物质的含量详情，并精确列出了元器件的名称、型号、CAS号及供应商认证信息，为用户进行环保合规性审查提供了权威依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
LM2904：运算放大器，单电源，双
5/18/2021
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| 数据手册 - 英文 |
LM2904：运算放大器，单电源，双
12/10/2017
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| 数据手册 - 英文 |
LM2904：运算放大器，单电源，双
10/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
LM2904DR2G材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LM2904DR2G材料成分声明
2019-03-30
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板用户手册
Rev. 0
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板用户手册
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LM2904DR2G
2017-12-05
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| 数据手册 - 英文 |
LM2904运算放大器，单电源，双产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LM2904DR2
2017-12-05
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| 数据手册 - 英文 |
LM258、LM358、LM358A、LM358E、Lm2904、Lm2904A、Lm2904E、NCV2904单电源双通道运算放大器
Rev. 34
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| 测试报告 - 英文 |
LM2904DR2材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LM2904DR2材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
LM258、LM358、LM358A、LM358E、Lm2904、Lm2904A、Lm2904E、Lml2904V、NCV2904单电源双通道运算放大器
Rev. 34
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LM258，LM358，LM358A，LM358E，LM2904，LM2904A，LM2904E，LnCv2904单电源双通道运算放大器
Rev. 34
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LM258，LM358，LM358A，LM358E，LM2904，LM2904A，LM2904E，LnCv2904单电源双通道运算放大器
Rev. 34
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LM258，LM358，LM358A，LM358E，LM2904，LM2904A，LM2904E，LnCv2904单电源双通道运算放大器
Rev. 33
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LM258，LM358，LM358A，LM358E，LM2904，LM2904A，LM2904E，LnCv2904单电源双通道运算放大器
Rev. 33
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ANA LO压水堆运放双LM2904DR2
2018-01-03
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| 测试报告 - 英文 |
LM2904DR2GH型
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LM2904DR2GH材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
FLM2904DR2G材料成分声明
2019-07-15
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FLM2904DR2G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
LM258，LM358，LM358A，LM358E7NBK9〇4TDBI2G〇4A>LM2904E，LM 2904^~NCV2904-单电源双运算放大器
Rev. 34
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材料成分声明LM2904DR2GH
2018-01-03
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材料成分声明FLM2904DR2G
2018-01-03
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FLM2904DR2材料成分声明
2019-07-15
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FLM2904DR2材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明FLM2904DR2
2018-01-03
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| 数据手册 - 英文 |
ATP304 MOSFET–功率，P沟道-60 V，6.5 mΩ，-100 A数据手册
Rev. 3
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BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管数据表
Rev. 10
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NCV51705单通道6 A高速、低端SiC MOSFET驱动器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
FSCQ0765RT/FSCQ0965RT/FSCQ1265RT/fscq1565RT绿色模式Fairchild电源开关（FPS）
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FPF2595 IntelliMAX™28 V过压、过流保护负载开关，带可调限流控制数据表
Rev. 2
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NCP51563 5 kV-RMS、4.5 A/9 A隔离式双通道栅极驱动器数据手册
Rev. P2
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用于自由运行准谐振操作的NCP1338 PWM电流模式控制器
Rev. 3
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NCS7101，NCV7101 1.8伏轨对轨运算放大器
Rev. 5
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NCV5705B、NCD5705B高电流IGBT栅极驱动器
Rev. 3
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mbrm120lt1g，nrvbm120lt1g，mbrm120lt3g，nrvbm120lt3g 1.0 A，20 V表面贴装肖特基功率整流器
Rev. 7
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FDB035N10A MOSFET–N沟道，PowerTrench®
Rev. 3
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板用户手册
本资料为NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板的用户手册。该评估板适用于控制高性能临界导通模式（CrM）LED驱动器，提供高功率因数和低输入电流总谐波失真。主要特点包括：宽输入电压范围、高电压启动、直接驱动外部功率MOSFET、频率抖动以降低EMI特性、最大导通时间保护、过压保护和短路保护。支持1-10V和PWM调光控制信号，默认配置支持标准1-10V调光。
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NCL30060GEVB离线临界传导模式PFC LED驱动器评估板用户手册
本资料为NCL30060GEVB离线临界导通模式（CrM）LED驱动器评估板的用户手册。该评估板适用于高功率因数和低总谐波失真输入电流的LED驱动器控制，提供恒定电流输出，支持1-10V和PWM调光控制。手册详细介绍了评估板的特性、操作、安全注意事项、电路图、性能参数和设计计算等。
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产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
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产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
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产品概述FAN4800AU：功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，线路下垂保护
FAN4800AU是一款集成的功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，专为包含升压PFC和PWM的电源设计。它具有多种保护功能和补偿能力，外部组件需求极少。该产品支持电流模式或电压模式PWM操作，适用于桌面电脑、LCD电视和显示器等应用。FAN4800AU与ML4800、FAN4800、CM6800和CM6800A兼容，具有低功耗、创新开关电荷倍增器、平均电流模式输入电流整形、PFC过压和欠压保护等特点。
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产品概述FSCQ1265RT:140瓦离线反激变换器650V集成电源开关
FSCQ1265RT是一款650V集成功率开关，适用于140Watt离线反激式转换器。该产品采用准谐振转换器（QRC）技术，相比传统硬开关转换器，具有更低的EMI和更高的功率转换效率，适用于对噪声敏感的应用，如彩色电视和音频设备。FSCQ系列产品集成了PWM控制器和SenseFET，专为低外部元件的准谐振离线开关模式电源设计。该PWM控制器具备固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化栅极驱动器、内部软启动、温度补偿精确电流源和自保护电路等功能。与分立MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSCQ系列可降低总成本、组件数量、尺寸和重量，同时提高效率、生产力和系统可靠性。该产品提供了一种经济高效的准谐振开关反激式转换器设计平台。主要特点包括优化准谐振转换器、低于1W待机功耗的先进脉冲模式操作、脉冲电流限制、过载保护、过压保护、异常过流保护和内部热关断等。
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产品概述NCP1082：集成PoE PD和DC-DC转换器控制器，13 W，带辅助电源支持
NCP1082是一款集成的PoE-PD和DC-DC转换器控制器，支持13W功率输出，并具备辅助电源支持功能。该产品由ON Semiconductor推出，旨在满足对以太网应用的高要求。NCP1082集成了符合IEEE 802.3af规范的增强型PoE-PD接口和灵活可配置的DC-DC转换器控制器。它支持从非PoE到PoE网络的平滑过渡，同时还能从辅助电源（如AC适配器和电池）获取电力，无需第二个开关电源。NCP1082采用独特的制造工艺和设计改进，可提供高达13W的稳定功率，适用于VoIP电话、无线局域网接入点、安全摄像头、销售点终端、RFID读取器、工业以太网设备等多种产品。该控制器支持隔离和非隔离的flyback、forward和buck转换器拓扑，具备可编程开关频率、高达80%的占空比、斜率补偿和软启动等功能。
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具有电压和电流限制的离线临界传导开关电源应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的两种关键控制IC，MC33364和MC33341，用于设计高效、低EMI的离线开关电源和电池充电器。MC33364作为主控IC，支持宽输入电压范围，全栅极驱动，频率钳位和初级侧控制。MC33341作为次级控制器，提供精确的电压参考和电流限制。文章还讨论了传统阻塞振荡器和经典次级侧控制方法的局限性，并提供了设计实例和变压器设计指南。
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