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2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
发布时间: 2018-06-20
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
2N6027; 2N6028
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的硅可编程单结晶体管2N6027和2N6028。这些器件采用环氧树脂封装,专为需要调整特性的电路设计而开发,其核心优势在于具备可编程能力,允许用户根据实际需求对谷电流(IV)、峰值电流(IP)以及固有standoff比率(η)进行精确设定。资料详细列出了该系列器件的关键电气参数,包括最大栅极-阴极正向电压与阳极-阴极反向电压均为40V,峰值非重复正向电流可达5.0A,直流正向阳极电流为150mA,功耗为300mW。此外,器件具有较宽的工作结温范围(-50至+100°C)和存储温度范围(-55至+150°C),并提供了完整的最大额定值及典型电学特性数据,为设计人员提供了详尽的技术参考。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
订货型号 2N6027 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 2N6027 品类 双极结型晶体管
描述/说明 Transistors 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
最大直流电集电极电流 200 mA 集电极—发射极最大电压 VCEO 40 V
集电极—基极电压 VCBO 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 400 mV Pd-功率耗散 300 mW
增益带宽产品fT 6 MHz 最小工作温度 - 50 ℃
最大工作温度 + 100 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥10.1382
库存:
170
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订货型号 2N6028 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 2N6028 品类 Transistors
描述/说明 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT 封装/外壳/尺寸
最小包装量 2,500 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 40V 功率耗散(最大值) 300 mW
电压 - 输出 6V 电压 - 补偿 (Vt) 600 mV
电流 - 栅极至阳极泄漏 (Igao) 10 nA 电流 - 谷值 (Iv) 25 µA
电流 - 峰值 150 nA
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥11.8887
库存:
0
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订货型号 CMHZ4690 TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMHZ4690 品类 稳压二极管
描述/说明 Surface mount Diode-Zener Single: Low Level 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Pd-功率耗散 275 mW 电压容差 1.05
Ir - 最大反向漏电流 10 uA Zz - 齐纳阻抗 45 Ohms
最小工作温度 - 65 ℃ 最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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订货型号 CMR1-10M TR13 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMR1-10M 品类 整流器
描述/说明 Surface mount Rectifier-General Purpose Single 封装/外壳/尺寸 SMA
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V 电流 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 1.1 V @ 1 A 速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 5 µA @ 1000 V 不同 Vr、F 时电容 8pF @ 4V,1MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.3305
库存:
11,375
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订货型号 CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CBRHDSH1-40L 品类 桥式整流器
描述/说明 Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 - 峰值反向(最大值) 40 V 电流 - 平均整流 (Io) 1.2 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 440 mV @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 µA @ 40 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.7332
库存:
8,810
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订货型号 CTLSH01-30L TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CTLSH01-30L 品类 整流器
描述/说明 Diode-Schottky (<1A) 封装/外壳/尺寸 TLM2D3D6
最小包装量 8,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 30 V 电流 平均整流 (Io) 100mA
不同 If 时电压 正向 (Vf) 370 mV @ 10 mA 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 反向泄漏 7 µA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容 7pF @ 0V,1MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
8,200
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订货型号 CMNT3904E TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMNT3904E 品类 Transistors
描述/说明 Transistors 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 已停产(EOL) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA 电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW 频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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订货型号 CET3904E TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CET3904E 品类 Transistors
描述/说明 Transistors 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA 电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW 频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0424
库存:
8,200
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订货型号 CMPT3820 TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMPT3820 品类 Transistor
描述/说明 Transistor-Small Signal (<=1A) 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 0.041666666666666664 电压 集射极击穿(最大值) 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 280mV @ 100mA,1A 电流 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,5V 功率 最大值 350 mW
频率 跃迁 150MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.4513
库存:
6,415
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订货型号 CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMDFSHC3-100 品类 整流器
描述/说明 Rectifier-Schottky (>=1A) 封装/外壳/尺寸 SMC
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V 电流 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 850 mV @ 3 A 速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 500 µA @ 100 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0628
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
数据手册 - 英文
2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
4-February 2014
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数据手册 - 英文
2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
4-February 2014
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4-February 2014
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2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
4-February 2014
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数据手册 - 英文
2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
4-February 2014
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数据手册 - 英文
2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
4-February 2014
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数据手册 - 英文
2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
4-February 2014
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数据手册 - 英文
工艺CP517功率晶体管PNP-Darlington芯片
22-March 2010
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测试报告 - 英文
工艺CP517功率晶体管PNP-Darlington芯片
R4
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产品变更通知及停产信息 - 英文
【EOL】中央半导体2N6071产品报废通知(PDN01148)
6/02/20
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数据手册 - 英文
2N6027 2N6028硅可编程单结晶体管
R2
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产品变更通知及停产信息 - 英文
2N6052 PNP功率晶体管产品/工艺更改通知(237)
R0
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数据手册 - 英文
TO-92 CASE 2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
R2
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数据手册 - 英文
TO-92 CASE 2N6027 2N6028 SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
R2
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产品变更通知及停产信息 - 英文
PCN#217:以下PNP功率晶体管在晶圆厂中发生变化,导致芯片尺寸从162x 162mils变为110x 110mils。
R0
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产品变更通知及停产信息 - 英文
PCN#218:以下NPN功率晶体管在晶圆厂中发生变化,导致芯片尺寸从131 x 131密耳变为110 x 110密耳。
R0
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数据手册 - 英文
硅可编程单结晶体管中央半导体2N6027 2N6028
REV:R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
【PCN】2N6059模具尺寸从162x162密耳更改为131x131密耳(PCN#198)
R0
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数据手册 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体) 2n6027-6028 数据手册
2016年08月22日
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产品变更通知及停产信息 - 英文
PCN#229产品/工艺变更通知
18 March 2024
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数据手册 - 英文
2N5172 NPN 2N6076 PNP互补硅晶体管
R1
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数据手册 - 英文
2N5172 NPN 2N6076 PNP互补硅晶体管
7-February 2014
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数据手册 - 英文
2N5172 NPN 2N6076 PNP互补硅晶体管
R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
PCN#229:互补晶圆工艺CP230(NPN)和CP630(PNP)已停产
R0
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技术文档 - 英文
功率晶体管TO-126外壳
6-December 2004
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数据手册 - 英文
功率晶体管TO-126外壳
2023/2/11
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产品变更通知及停产信息 - 英文
CP230和CP630晶圆工艺产品停产通知(PDN01249)
REV 002
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产品变更通知及停产信息 - 英文
BUX11功率晶体管已停产,现在被归类为寿命终止(EOL)(PDN01155)
2/10/23
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产品变更通知及停产信息 - 英文
以下功率晶体管已停产,现已报废(EOL)(PDN01250)
2/10/23
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世强AI
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应用/方案
2N6027 2N6028硅可编程单结晶体管
本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的2N6027和2N6028硅可编程单结晶体管。这些器件采用环氧封装,具有可调整的特性,如谷电流(IV)、峰值电流(IP)和固有 standoff 比率(η)。资料中提供了最大额定值、电气特性、典型电气特性以及机械尺寸图。此外,还提供了产品支持、设计师支持/服务以及联系方式等信息。
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可编程UJT晶闸管SCR晶闸管Triac晶闸管
该资料提供了一系列可编程UJT晶闸管、SCR晶闸管和晶闸管的详细规格参数。内容包括最大反向阻断电压、最大电流、最大触发电流、最大导通电压、芯片尺寸、芯片厚度以及上下金属化层的厚度。资料中列出了多个产品型号,并提供了查看详细信息的链接。
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2N5172 NPN 2N6076 PNP互补硅晶体管
本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的2N5172和2N6076两款互补硅小信号晶体管。这些晶体管适用于通用应用,具有TO-92封装。资料详细列出了其最大额定值、电气特性、典型电气特性以及机械尺寸。此外,还提供了产品支持、设计师支持/服务、产品镀层请求和联系方式等信息。
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【产品】硅NPN达林顿功率晶体管,直流增益可达15K
Central推出的CP230-CZT122,CP230-TIP122和CP230-2N6039都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片,其中,CP230-CZT122和CP230-TIP122参数特性完全一致。它们专为低速开关和放大器应用而设计,具有高耐压、大电流、饱和压降低以及增益系数高等特点。
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【产品】100V硅PNP达林顿功率晶体管裸片,专为低速开关和放大器应用
Central推出的CP630-CZT127,CP630-TIP127,CP630-2N6036是硅PNP达林顿功率晶体管裸片,专为低速开关和放大器应用而设计。具有高耐压、高电流、低饱和压降以及放大系数高等特点。集电极持续工作电流最大额定值分别为4/5/5A,峰值集电极电流最大额定值均可达8A,可满足一般大电流设备的应用需求。
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【产品】25V/100mA 2N5172、2N6076互补硅晶体管管,专用于高频小信号应用
2N5172和2N6076是Central Semiconductor推出的一款互补型硅晶体管对,该组产品通用于小信号输入的电路应用。该组器件均为TO-92插件型封装。该组晶体管的设计明显针对小信号输入应用,相关特性突出。极其切合于小信号高频放大电路的应用。适合用于快速响应开关电路。该组晶体管的理论功耗最大值为625mW,其实际功耗更是远低,是一款节能环保产品。
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达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格,包括最大集电极-发射极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶部和底部金属化层厚度等参数。资料中列出了多种型号的达林顿晶体管,涵盖了不同的电压和电流规格,适用于不同的应用场景。
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达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格,包括最大集电极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶层和底层金属化层厚度等信息。资料中列出了不同型号的晶体管,并提供了查看详细产品信息的链接。
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