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CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
发布时间: 2018-06-20
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CSICD05-1200
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CSICD05-1200表面贴装硅碳化物肖特基整流器。该器件是一款额定电流5.0安培、耐压1200伏的高性能功率半导体产品,专为高频系统设计,旨在显著提升系统的能效表现与热管理性能。资料重点阐述了该整流器的核心技术特性,包括采用低剖面封装设计以适应紧凑型电路板布局,具备极低的开关损耗以减少能量耗散,以及在宽温度范围内保持稳定的切换性能,确保在极端温度条件下依然可靠运行。在应用层面,该产品广泛适用于电源逆变器、电机驱动、开关模式电源以及功率因数校正等多种工业级与消费级电子场景。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
订货型号 CMHZ4690 TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMHZ4690
品类 稳压二极管
描述/说明 Surface mount Diode-Zener Single: Low Level
封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Pd-功率耗散 275 mW
电压容差 1.05
Ir - 最大反向漏电流 10 uA
Zz - 齐纳阻抗 45 Ohms
最小工作温度 - 65 ℃
最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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订货型号 CMR1-10M TR13 PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMR1-10M
品类 整流器
描述/说明 Surface mount Rectifier-General Purpose Single
封装/外壳/尺寸 SMA
最小包装量 5,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V
电流 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 1.1 V @ 1 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容 8pF @ 4V,1MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.3305
库存:
11,375
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订货型号 CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CBRHDSH1-40L
品类 桥式整流器
描述/说明 Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 - 峰值反向(最大值) 40 V
电流 - 平均整流 (Io) 1.2 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 440 mV @ 1 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 µA @ 40 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.7332
库存:
8,810
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订货型号 CTLSH01-30L TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CTLSH01-30L
品类 整流器
描述/说明 Diode-Schottky (<1A)
封装/外壳/尺寸 TLM2D3D6
最小包装量 8,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 30 V
电流 平均整流 (Io) 100mA
不同 If 时电压 正向 (Vf) 370 mV @ 10 mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 反向泄漏 7 µA @ 10 V
不同 Vr、F 时电容 7pF @ 0V,1MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
8,200
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订货型号 CMNT3904E TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMNT3904E
品类 Transistors
描述/说明 Transistors
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 已停产(EOL)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW
频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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订货型号 CET3904E TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CET3904E
品类 Transistors
描述/说明 Transistors
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW
频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0424
库存:
8,200
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订货型号 CMPT3820 TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMPT3820
品类 Transistor
描述/说明 Transistor-Small Signal (<=1A)
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 0.041666666666666664
电压 集射极击穿(最大值) 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 280mV @ 100mA,1A
电流 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,5V
功率 最大值 350 mW
频率 跃迁 150MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.4513
库存:
6,415
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订货型号 CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMDFSHC3-100
品类 整流器
描述/说明 Rectifier-Schottky (>=1A)
封装/外壳/尺寸 SMC
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V
电流 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 850 mV @ 3 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 500 µA @ 100 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0628
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货6,000,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
订货型号 CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMDFSHC5-100
品类 整流器
描述/说明 Rectifier-Schottky (>=1A)
封装/外壳/尺寸 SMC
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V
电流 平均整流 (Io) 5A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 850 mV @ 5 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 500 µA @ 100 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.2217
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货6,000,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE交期查询服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
订货型号 CMPT491E TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMPT491E
品类 Surface mount Transistor
描述/说明 Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 0.041666666666666664
电压 集射极击穿(最大值) 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 100mA,1A
电流 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,5V
功率 最大值 350 mW
频率 跃迁 150MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.5403
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMPT491E TR PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货6,000,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Central Semiconductor快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制车载智能天线频率:20kHz、114.5 kHz、120- kHz、125 kHz、134 kHz、134.2kHz、134.5 kHz;工作温度范围:-40ºC to ~125ºC;电感范围:100~734;符合AEC-Q200(汽车质量标准)和IP68标准;
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可定制三防平板尺寸范围5~15.6寸,win10/11/安卓90/10.0/110/120/Linux/麒麟系统等多系统定制,IP65防尘防水,在-10°C~50°C稳定运行,支持一维/二维、NFC等功能模块、指纹识别模块自由选配。
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资料平台
数据手册 - 英文
CSICD05-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器5.0安培,1200伏
12-October 2017
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数据手册 - 英文
CSICD05-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器5.0安培,1200伏
R2
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数据手册 - 英文
CSICD05-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器5.0安培,1200伏
R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体)DPAK-2L和TO-220-2封装的碳化硅肖特基整流器产品停产通知(PDN01142)
2020年2月04日
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技术文档 - 英文
新产品UltraMOSTM MOSFET
2017/10/24
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数据手册 - 英文
CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
12-October 2017
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数据手册 - 英文
CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
12-October 2017
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CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
12-October 2017
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CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
12-October 2017
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CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
R2
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DPAK-2L Case CSICD05-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 5.0 AMP, 1200 VOLT
R2
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产品简介CSICD05-1200(5A)CSICD10-1200(10A)DPAK-2L封装1200V碳化硅肖特基整流器
2017/08/08
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数据手册 - 英文
CSICD10-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器10安培,1200伏
R3
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CSICD10-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器10安培,1200伏
13-October 2017
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CSICD10-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器10安培,1200伏
R3
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CSICD10-1200表面贴装碳化硅肖特基整流器10安培,1200伏
R2
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CSICD10-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 10 AMP, 1200 VOLT
13-October 2017
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CSICD10-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 10 AMP, 1200 VOLT
13-October 2017
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CSICD10-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 10 AMP, 1200 VOLT
13-October 2017
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CSICD10-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 10 AMP, 1200 VOLT
13-October 2017
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CSICD10-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 10 AMP, 1200 VOLT
R3
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DPAK-2L Case CSICD10-1200 SURFACE MOUNT SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER 10 AMP, 1200 VOLT
R3
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封装信息/封装结构图 - 英文
包装细节HD DIP箱
Version: R4
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封装信息/封装结构图 - 英文
DFN123F箱包详细信息
R1
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测试报告 - 英文
分立半导体设计与制造注册证书(AGS-US120321-1)
December 03,2021
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数据手册 - 英文
适用于超级结MOSFET的超高速整流器产品简介
R0
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数据手册 - 英文
D40C1 NPN硅达林顿功率晶体管
Version: R1
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测试报告 - 英文
CE/2019/82440(SGS)试验报告
2019/08/23
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测试报告 - 英文
A2190203657101001E(CTI)试验报告
2019.08.13
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测试报告 - 英文
041297-2 CE/2019/82399A(SGS)试验报告
2019/08/21
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数据手册 - 英文
CZ5334B THRU CZ5388B SILICON ZENER DIODES 3.3 THRU 200 VOLT 5W, 5% TOLERANCE
R9
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
R1
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数据手册 - 英文
3SMC5.0CA THRU 3SMC170CA SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 3000 WATT, 5.0 THRU 170 VOLT
R12
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数据手册 - 英文
CLL914 SURFACE MOUNT HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
R3
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技术文档 - 英文
中央半导体的超级工业™ 解决方案解决了设计师面临的最严峻挑战新闻稿
February 27, 2019
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数据手册 - 英文
CMR1-02M CMR1-06M CMR1-04M CMR1-10M SURFACE MOUNT SILICON GENERAL PURPOSE RECTIFIERS 1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLT
R4
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数据手册 - 英文
CBCP68 NPN CBCP69 PNP SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL TRANSISTORS
R6
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数据手册 - 英文
CUD10-02 CUD10-04 CUD10-06 SURFACE MOUNT SILICON ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS 10 AMP, 200 THRU 600 VOLT
R3
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数据手册 - 英文
CUDD8-02 CUDD8-04 CUDD8-08 SURFACE MOUNT SILICON ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS 8.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT
R5
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数据手册 - 英文
CSD-4M CSD-4N SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT
R2
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数据手册 - 英文
CSDD-16M CSDD-16N SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 16 AMP, 600 THRU 800 VOLT
R2
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数据手册 - 英文
CTLSH10-45L SURFACE MOUNT LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
R1
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数据手册 - 英文
CS223-4MCS223-4N SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 4.0 AMP, 600 AND 800 VOLT
R4
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数据手册 - 英文
CQDD-8M CQDD-8N SURFACE MOUNT 8.0 AMP SILICON TRIACS 600 THRU 800 VOLT
R3
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数据手册 - 英文
CPZ28 Zener Diode 0.5 Watt Zener Diode Chip
R2
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数据手册 - 英文
CBAS17 SURFACE MOUNT LOW VOLTAGE SILICON STABISTOR
R6
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CMPD1001 CMPD1001A CMPD1001S SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE
R6
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应用/方案
中央半导体为无线充电系统提供整流器、MOSFET和保护二极管,助力提高充电效率
无线充电器已成为一种流行的技术,它可以简化便携式电子产品的充电过程。要获得高效率,关键是所有半导体器件的传导和开关损耗要尽量小。Central Semiconductor(中央半导体)可提供适合无线充电系统的高效整流器、MOSFET和保护二极管。
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【产品】中央半导体推出650/1200V碳化硅肖特基整流器裸片,电流分别为4~30/2~50A
2020年8月25日,创新型分立半导体解决方案制造商Central Semiconductor推出了新的碳化硅肖特基整流器(裸片形式),针对高温应用进行了优化,提供电流4~30A的650V产品,及电流2~50A的1200V产品。
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PoE销售点(POS)终端应用简介
本文档主要介绍了PoE POS终端的设计要点,包括能量效率、拓扑结构、I/O保护、电机驱动、卡读器、显示/驱动等方面的元器件选择。文中详细列出了多种半导体器件,如瞬态电压抑制器(TVS)、MOSFET、齐纳二极管等,并提供了相关产品的型号和应用信息。
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