TSOP6(MO-193AA) TSOP6(MO-193AA)
发布时间：
2018-06-20
类型：
商品功能框图，功能框图、系统框图
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
S13443DV; IRF5800; IRF5850; IRF5851; IRF5852; IRF5805; IRF5806; IRF5801; IRF5803; IRF5804; IRF5810; IRF5802; IRLTS6342TRPBF; IRLTS8342TRPBF; IRLTS9342TRPBF; IRLTS2242TRPBF
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IRF5803PbF型
01/27/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表MA001111116
29. August 2013
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| 技术文档 - 英文 |
IRF5805PbF HEXFET®功率MOSFET
04/20/10
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| 技术文档 - 英文 |
IRF5806PbF HEXFET®功率MOSFET
4/20/10
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| 技术文档 - 英文 |
IRF5801TRPbF-1 HEXFET®功率MOSFET
July 15,2014
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| 技术文档 - 英文 |
IRF5801PbF SMPS MOSFET HEXFET®功率MOSFET
04/20/10
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| 技术文档 - 英文 |
IRF5803PbF HEXFET®功率MOSFET
04/20/10
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| 数据手册 - 英文 |
适合工业应用的XMC1100微控制器系列XMC1000系列ARM®Cortex™-M0 32位处理器内核
V1.4
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| 技术文档 - 英文 |
BCR602工程报告60 V、200 mA线性LED控制器演示板工程报告
v1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRF5NJ9540电气特性产品更改通知单
February 8, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
宽带射频LDMOS集成功率放大器15w，28v，1800–2200mhz PTMA210152M
Rev. 09
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| 数据手册 - 英文 |
IPW60R099CPA冷却液™ 功率晶体管
Rev. 2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
组件概要EasyPIMTM模块AG-EASY1B-2-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
AURIXTM族的命名约定
2016/12/03
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| 技术文档 - 英文 |
IRFB4610PbF IRFS4610PbF IRFSL4610PbF HEXFET®功率MOSFET
09/16/10
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| 技术文档 - 英文 |
SPW20N60CFD冷却管™ 功率晶体管
Rev. 2.5
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| 技术文档 - 英文 |
IRLMS1503PbF HEXFET®功率MOSFET
1/14/05
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| 数据手册 - 英文 |
BSZ130N03LS G OptiMOSTM 3功率MOSFET
Rev.2.0
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| 技术文档 - 英文 |
挖沟机™IGB15N60T系列
Rev. 2.6
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| 数据手册 - 英文 |
IR2113E6高低压侧驱动器
05/2011
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| 商品功能框图 - 英文 |
QFN10 3×3包装尺寸
2018/02/08
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表TC1798/93/91、TC1748
Rel.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
NPN硅射频晶体管BFS17S
2011-07-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表BAR 64-05 E6327
29. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
硅沟道MOSFET四极管
2007-04-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表TDK5101F
28. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块FP15R06W1E3
revision:2.1
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息模块 FP15R06W1E3
revision:2.1
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息模块 FP30R06W1E3
revision:2.1
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| 数据手册 - 英文 |
PD-94211E抗辐射功率MOSFET表面贴装（LCC-28）IRHQ57110 100V，四N沟道技术
05/01/15
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息 IGBT-模块 FF100R12KS4
revision: 3.4
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块FS100R12KS4
revision: 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
Technische信息IGBT模块FS300R12KE4
revision:2.0
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表TLE5025C E6747
28. August 2013
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| 技术文档 - 英文 |
BSP373N OptiMOS公司™ 小信号晶体管
Rev 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
SPA20N60C3材料含量数据表
2. June 2015
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| 技术文档 - 英文 |
强红外场效应晶体管™ IRFR7440PbF IRFU7440PbF HEXFET®功率MOSFET
January 6,2015
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| 技术文档 - 英文 |
IRF1407PbF HEXFET®功率MOSFET
07/14/10
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
HITFET：智能、受保护的MOSFET
本应用笔记详细介绍了HITFET（高集成温度保护FET）器件，从其历史起源到当前复杂应用。内容涵盖其工作模式、故障模式和保护功能。此外，还提供了所有现有产品、封装、可用性、趋势和联系信息。HITFET低边开关是适用于汽车和工业应用的通用功率晶体管，具有内置智能和防护功能，可显著降低成本和PCB尺寸，缩短上市时间，并提高性能和可靠性。笔记还讨论了HITFET的故障检测和诊断功能，以及如何选择合适的保护开关。
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HITFET：智能、受保护MOSFET应用说明
本应用笔记详细介绍了HITFET（高集成温度保护FET）器件，包括其工作模式、故障模式和保护功能。HITFET器件具有全面保护特性，适用于汽车和工业应用，包括短路、过载、电压浪涌、过温以及静电放电等。笔记还概述了Infineon Automotive Power的HITFET产品组合，包括不同型号、封装、保护类型和应用场景。此外，还讨论了HITFET的电路故障、操作模式以及参数变化等内容。
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用于触摸和LED显示控制的7按钮应用套件解决方案
本资料介绍了基于Infineon XC822微控制器的7按钮应用套件解决方案，该套件集成了电容式触摸按钮和LED显示屏控制功能。套件包含7个带有2mm亚克力玻璃覆盖的电容式触摸按钮，每个按钮对应一个LED指示灯。XC822微控制器负责触摸感应控制和LED矩阵驱动，内置优化代码以简化配置和校准。应用示例代码存储在微控制器闪存中，可通过Infineon的DAVE™ Bench开发工具链访问和修改。资料还提供了XC822系列微控制器的详细规格和可用型号。
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DAvE Drive Application Code Generator for PMSM and BLDC Motor Control with Infineon（英飞凌）’s 8- and 16-bit Microcontrollers
DAvE Drive是一款基于图形界面的软件工具，旨在帮助开发者高效配置Infineon的8位和16位微控制器，以控制无刷同步三相电机。该工具支持多种电机类型和控制算法，并提供灵活的代码生成功能。DAvE Drive基于DAvE软件，可生成源代码，适用于工业、交通、消费和家电等领域的电机控制应用。
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【产品】270W，28V，925-960 MHz的热增强型大功率RF LDMOS FET
PTFB092707FH射频功率放大器采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，快速散发产生的热量，保证了产品的寿命和稳定性
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【产品】30W级RF LDOMOS FET，适用于2620MHz-2690MHz频段多标准蜂窝网络功率放大应用
针对多标准蜂窝网络功率放大应用，德国Infineon（英飞凌）公司推出了一款30W级RF LDOMOS FET，型号为PTAC260302SC。采用先进的LDMOS工艺制造及大批量全自动装配生产线，并利用热增强型陶瓷进行无耳法兰封装，具有出色的散热性能和非常高的可靠性。
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【产品】输出功率220W的射频功率放大器PTFA092201E，工作带宽为920MHz到960MHz
Infineon推出的PTFA092201E是一款功率为220W的射频功率放大器，内部匹配适用于EDGE和WCDMA应用的LDMOS FET，工作带宽为920MHz到960MHz，采用先进的LDMOS工艺制造，热稳定性和可靠性水平优异。
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MOSFET技术提高了处理器电源DC-DC变换器的效率
本文介绍了国际整流器公司开发的新型沟槽MOSFET技术，该技术有效解耦了MOSFET单元中的导通电阻和栅极-漏极电荷，从而提高了DC-DC转换器的效率。该技术制造的MOSFET具有最低的Rdson X gate charge产品（132mΩ-nC）和Rdson X Qswitch产品（34mΩ-nC），在多种电路拓扑中实现了基准效率水平。文章详细分析了现有MOSFET技术的局限性，并阐述了新型沟槽MOSFET技术的优势，包括降低导通损耗、开关损耗和栅极驱动损耗，同时减小芯片尺寸，提高功率密度。
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专为TV广播发射器设计的RF高功率晶体管，效率极佳！
英飞凌新型RF功率晶体管PTVA042502FC瞄准UHF TV功率放大器设计，不仅能够提供出色的散热性能和卓越的可靠性，还具备领先的RF品质参数，受到众多工程师的一致好评和青睐。
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应用说明AN-1102 IRS210（9,94）和IR210（9,94）比较
本文介绍了IRS210(9,94\)和IR210(9,94\)两款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的差异。IRS210(9,94\)与IR210(9,94\)在引脚兼容性上保持一致，但IRS210(9,94\)具有更快的开关速度和更低的逻辑输入电压。此外，IRS210(9,94\)的输出驱动器具有更低的导通电阻，提高了对Miller效应的免疫能力。
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