PESD2510AQ05 4 Channel Ultra-low Capacitance ESD Protection
发布时间：
2023-12-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
DCY（登辰易）
型号：
PESD2510AQ05
加工定制
提供消费和车载电子静电摸底测试服务，测试接触放电和空气放电士20KV±20%，并将针对测试出的问题给出ESD整改方案。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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PESD0603MS05 0603 1通道超低电容ESD保护
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PESD0603MS03单通道超低电容ESD保护
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PESD2510AQ12 4通道超低电容ESD保护
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PESD0603MS12单通道超低电容ESD保护
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PESD0603MS24单通道超低电容ESD保护
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PESD0402MS12单通道超低电容ESD保护
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PESD0402MS16单通道超低电容ESD保护
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PESD0201MS03单通道超低电容ESD保护
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PESD0201MS05 1通道超低电容ESD保护
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PESD0402MS24单通道超低电容ESD保护
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PESD0603MS18单通道超低电容ESD保护
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PESD0603MS16单通道超低电容ESD保护
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PESD0402MS05单通道超低电容ESD保护
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PESD0402MS18单通道超低电容ESD保护
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PESD0402MS03单通道超低电容ESD保护
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PESD0201MS12 1通道超低电容ESD保护
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PESD0201MS16 1通道超低电容ESD保护
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PESD0201MS18 1通道超低电容ESD保护
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DCYT642U05 4通道超低电容ESD保护二极管
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DCYT641U05 4通道超低电容ESD保护二极管
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DCY 642U06 4通道超低电容ESD保护二极管
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DM3400Bi 30V N沟道增强型MOSFET
2022/6/29
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DM3400AI 30V N沟道增强型MOSFET
2022/6/29
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DM2P15MI-150V P沟道增强型MOSFET
2022/6/30
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DM2P15Li-150V P沟道增强型MOSFET
2023/11/1
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DM2N7002AI 60V N沟道增强型MOSFET
2022/7/1
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SMF5.0A至SMF220CA表面贴装ESD保护二极管
Revision: 2017
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SMCJ系列表面贴装瞬态电压抑制器
2023/2/10
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P6SMB系列表面贴装瞬态电压抑制器
2023/2/10
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SMBJ系列表面贴装瞬态电压抑制器
REV 2.0
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SMAJ系列表面贴装瞬态电压抑制器
REV 2.0
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DM2N06Bi 60V N沟道增强型MOSFET
2022/7/1
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DM2N20MI 200V N沟道增强型MOSFET
2020/7/29
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DM2320MI 20V N沟道增强型MOSFET
2022/6/28
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DM2312MI-L 20V N沟道增强型MOSFET
2023/11/1
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DM2312MI 20V N沟道增强型MOSFET
2022/6/28
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DM2312AI 20V N沟道增强型MOSFET
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DM2311MI-12V P沟道增强型MOSFET
2022/6/29
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DM2311Bi-12V P沟道增强型MOSFET
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DM2311AI-12V P沟道增强型MOSFET
2022/6/30
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技术论坛
使用在电站设备上的屏闭功率电感，用过一段时间总是生诱，造成产品失效，如何避免处理？
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同样是一体成型电感，DCY登辰易品牌却有金属色和灰色两种，有什么区别吗？
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世强AI
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应用/方案
【产品】具有超低电容的4通道ESD抑制器41206ESDA，可提供快速响应时间的静电放电保护
Eaton Bussmann新推出的4通道ESD抑制器41206ESDA，采用无铅、无卤材料，使用1206 封装，具有超低电容和极低的漏电流， 是高频、低压应用的理想 ESD 保护，并且提供具有快速响应时间的静电放电保护。
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【产品】DFN2510-10L封装的4通道二极管阵列UPE4C05T2510 ，电容典型值仅0.1pF
普罗森美推出的UPE4C05T2510是一款4通道二极管阵列，采用DFN2510-10L封装，可用于保护敏感型电子电路，使其免受静电放电（ESD）损伤，满足IEC61000-4-2等级4的测试要求。UPE4C05T2510具有超低电容（典型值0.1pF），适合USB 3.0/3.1和HDMI 2.0的ESD保护应用。
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【产品】0.15pF超低电容二极管阵列SP3010系列，可安全地吸收反复性ESD放电
Littelfuse推出的超低电容瞬态抑制二极管阵列SP3010系列，该系列将4通道超低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起，适用于保护可能会遭受静电放电（ESD）破坏的电子设备。 这款功能强大的二极管可以IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8KV接触放电）安全地吸收反复性ESD放电，且性能不会下降。
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100V/8A N-Channel Enhancement Mode MOSFET DM8N10MI, Providing Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
The DM8N10MI uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.
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