YJD2120120BGHQ Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement）
发布时间：
2023-12-15
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
扬杰科技（YANGJIE TECHNOLOGY）
型号：
YJD2120120BGHQ
本数据手册详细介绍了YJD2120120BGHQ型碳化硅功率MOSFET的技术规格与应用优势。该器件作为N沟道增强型MOSFET，具备高阻断电压、低导通电阻及高速开关特性，能够实现极低的开关损耗并有效降低散热片需求。其最高工作温度可达175°C，支持高频操作，且内置快速恢复二极管以降低反向电流。在合规性方面，该产品符合RoHS标准及无卤素要求，并已通过AEC-Q101认证，确保了车规级的高可靠性。基于上述特性，该器件广泛应用于电力因数校正（PFC）、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器、光伏逆变器以及电动汽车及充电器等领域。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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扬杰科技官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是扬杰科技的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供扬杰科技的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）
扬杰科技(YANGJIE)成立于2006年，专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，于2014年上市，主营产品为各类分立器件芯片、整流二/三极管、整流桥、快恢复二极管、稳压二极管、功率模块、保护器件、中低高压MOSFET等，是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业。
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现货平台 / 扬杰科技 授权代理店
| 订货型号 | YJD206525NCFGH | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJD206525NCFGH | 品类 | SiC Mosfet |
| 描述/说明 | SiC Mosfet,Silicon Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement),Blocking Voltag(V):650 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-4L |
| 最小包装量 | 360 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Blocking Voltag(V) | 650 | Current Rating(A) | 107 |
| Generation | GH | Rdson(mΩ)@25℃ | 25 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥44.8000
库存：
12
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| 订货型号 | YJD206550PGH | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJD206550PGH | 品类 | SiC MOSFET单管 |
| 描述/说明 | Silicon Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement)，High speed switching. | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-3L |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Blocking Voltag(V) | 650 | Current Rating(A) | 60 |
| Generation | GH | Rdson(mΩ)@25℃ | 50 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | YJD2170500NCTGH | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJD2170500NCTGH | 品类 | SiC Mosfet |
| 描述/说明 | Silicon Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement),SiC Mosfet,Blocking Voltag(V):1700,Current Rating(A):8.3,Generation:GH,Rdson(mΩ)@25℃:500,RthJ-C(°C/W):1.69 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247AB |
| 最小包装量 | 360 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Blocking Voltag(V) | 1700 | Current Rating(A) | 8.3 |
| Generation | GH | Rdson(mΩ)@25℃ | 500 |
| Gate Charge Total Qg（nC） | 30.4 | Output Capacitance Coss(pF) | 21 |
| Total Power Dissipation PTOT(W) | 89 | Thermal resistance RthJ-C(°C/W) | 1.69 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥15.7330
库存：
0
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| 订货型号 | YJD2065100NCTGH | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJD2065100NCTGH | 品类 | SiC Mosfet |
| 描述/说明 | SiC Mosfet,Silicon Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement) | 封装/外壳/尺寸 | TO-247AB |
| 最小包装量 | 360 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Blocking Voltag(V) | 650 | Current Rating(A) | 32 |
| Generation | GH | Rdson(mΩ)@25℃ | 100 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥15.3330
库存：
0
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
YJD2120120BGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD2120120BGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/10/6
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YJD2120120BGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/8/31
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YJD206550TLGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD206550TLGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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| 技术文档 - 英文 |
YJD207570PYG3 碳化硅功率MOSFET
Rev.1.0
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YJD206520TLGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2024/6/4
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YJD206520TLGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
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| 技术文档 - 英文 |
YJD207570T2YG3 碳化硅功率MOSFET
Rev.1.0
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YJD206550PGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212025NCFGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD206530NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/5/25
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YJD212060T2GH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212030T2GH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD2170500BGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD212080NCFGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD212080NCFGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212080NCFGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/9/6
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YJD212030NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD212030NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212030NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/10/6
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YJD212030NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/8/31
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YJD206560NCTG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/4/4
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YJD212060TLGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212040NCTG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD212040NCTG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212040NCTG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/2/22
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YJD206560NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/3/24
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YJD2120240BGHQ碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2024/5/29
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YJD212040NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.2
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YJD212040NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212040NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/2/22
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YJD212080TLG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.3
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YJD212080TLG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2024/6/4
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YJD212080TLG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.2
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YJD212080TLG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD212080TLG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD2120160NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/3/25
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YJD212080NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212080NCFG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2022/7/26
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YJD2120160NCTG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/4/4
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YJD212040NCFGH2碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212080NCTG1碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212080NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.1
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YJD212080NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212080NCTGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
2023/9/6
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YJD206550B7GHQ碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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YJD212040B7GH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
Rev.1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】1200V军品级碳化硅功率场效应晶体管，N通道增强模式
Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0160B系列碳化硅功率场效应晶体管，N通道增强模式，采用新C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术。CPM2-1200-0160B系列碳化硅功率场效应晶体管操作温度和存储温度均为-55~150℃，符合军品级产品的温度要求，具有极高的产品可靠性。此款产品非常适用于太阳能逆变器、高压直流/直流转换器、LED照明电源等应用领域。
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