TO-3P RoHS(SGS)Test report(CANEC2303705905)
发布时间:
2023-12-18
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
捷捷微电(JieJie Microelectronics)
型号:
-
本测试报告详细介绍了江苏杰捷微电子有限公司TO-3P样品的合规性检测结果,测试周期为2023年3月15日至24日。报告内容涵盖样品描述、测试方法、具体测试结果及最终结论,核心在于验证该样品是否符合欧盟RoHS指令(EU)2015/863的环保标准。经检测,样品中未检测到铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBBs)、多溴联苯醚(PBDEs)及邻苯二甲酸酯等有害物质,确认其满足相关环保要求。江苏杰捷微电子在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该测试报告所涉器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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捷捷微电官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是捷捷微电的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供捷捷微电的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics)
捷捷微电子公司创建于1995年,是集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业,是国内领先的高品质功率半导体器件IDM,自2017年起便一直位列在中国半导体行业协会年选的中国半导体功率器件十强企业,中/低压 MOSFETs 技术达国际一线大厂水平。
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现货平台 / 捷捷微电 授权代理店
| 订货型号 | JSPG360A |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JSPG360A |
| 品类 | Schottky Barrier Rectifier |
| 描述/说明 | 3A Schottky Barrier Rectifier,VRRM:60V |
| 封装/外壳/尺寸 | SMB |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VRRM_Max(V) | 60V |
| IF(AV)(A) | 3A |
| IR_Max(μA) | 100μA |
| VDC(V) | 60V |
| IFSM_Max(A) | 80A |
| VF_Max(V) | 0.7V |
| IF(A) | 3A |
| CJ_Typ(pF) | 210pF |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.1589
库存:
3,000
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| 订货型号 | JEB24T2B |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JEB24T2B |
| 品类 | TVS Diode Array |
| 描述/说明 | 350Watts peak pulse power per line(tᴘ=8/20us) |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Polarity | Bi-Polar |
| IR_Max(uA) | 1uA |
| VRWM(V) | 24V |
| VBR_Min(V) | 26.7V |
| VESD_Max Contact-type(kV) | ±30kV |
| Pᴘᴘ(8/20us)(W) | 350W |
| CJ_Max(pF) | 15pF |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.1648
库存:
4,800
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| 订货型号 | SMAJ24CA |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | SMAJxxCA, SMAJ Series, SMAJ |
| 品类 | Transient Voltage Suppressor |
| 描述/说明 | 400W Transient Voltage Suppressor,Marking:UZ,Bi-Polar,Stand-off voltage:24V |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 7,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VR(V) | 24V |
| IR@VR(Max)(uA) | 1uA |
| VBR@IT(Min)(V) | 26.7V |
| VBR@IT(Max)(V) | 29.5V |
| IT(mA) | 1mA |
| VC@IPP(Max(V) | 38.9V |
| IP(A) | 10.3A |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.1357
库存:
7,500
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| 订货型号 | JRC-T36CA |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JRC-T Series |
| 品类 | Transient Voltage Suppressor |
| 描述/说明 | JRC-T Series 12000W Transient Voltage Suppressor |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 300 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VR | 36.0V |
| IR@VR | 5max(μA) |
| VBR@IT | 40.00~44.20V |
| IT | 5mA |
| VC@IPP | 59.8max(V) |
| IPP① | 200.7A |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥5.0378
库存:
902
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| 订货型号 | JMSH1008AC-U |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JMSH1008AC |
| 品类 | N-Ch Power MOSFET |
| 描述/说明 | VDS:100V,VGS(th)_Typ:2.8V,ID(@VGS=10V):112A,RDS(ON)_Typ@VGS=10V(mΩ):6.8mΩ |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220-3L |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Confi-guration | N |
| VDS_Max(V) | 100V |
| ID_Max(A) | 112A |
| VGS(th)_Typ(V) | 2.8V |
| RDS(ON)_Typ@VGS=10V(mΩ) | 6.8mΩ |
| RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ) | 8mΩ |
| VGS_Max(V) | ±20V |
| EAS_Max(mJ) | 101mJ |
| Ciss_Typ(pF) | 1920pF |
| Coss_Typ(pF) | 445pF |
| Crss_Typ(pF) | 7pF |
| Qg_Typ(nC) | 30nC |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.6471
库存:
810
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| 订货型号 | BZD52C82AU |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | BZD52CxxAU Series, BZD52CxxAU |
| 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | AEC-Q101 qualified,PD:500mW,Tolerance:±5%,Izt(Nom):82V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123FL |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Tolerance | ±5% |
| PD_Max(W) | 0.5W |
| VZ_Min(V) | 77.9V |
| VZ_Max(V) | 86.1V |
| IZT(mA) | 0.5mA |
| ZZT_Max(Ω) | 250Ω |
| ZZK_Max(Ω) | 1500Ω |
| IZK(mA) | 0.25mA |
| IR_Max(μA) | 0.1μA |
| VR(V) | 57.4V |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.1177
库存:
300
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| 订货型号 | JMSL0315AU |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JMSL0315AU |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V 7mΩ N-Ch Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN3x3-8L |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | N |
| Vᴅs_ᴍᴀx(V) | 30V |
| Iᴅ_ᴍᴀx(A) | 43A |
| Vɢs₍ᴛʜ₎_ᴛʏᴘ(V) | 1.7V |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴛʏᴘ@Vɢs = 10V(mΩ) | 7mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴍᴀx@Vɢs=10V(mΩ) | 8.8mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴛʏᴘ@Vɢs=4.5V(mΩ) | 10.6mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴍᴀx@Vɢs = 4.5V(mΩ) | 13.8mΩ |
| Vɢs_ᴍᴀx(V) | ±20V |
| Eᴀs_ᴍᴀx(mJ) | 8.5mJ |
| Ciss_ᴛʏᴘ(pF) | 468pF |
| Coss_ᴛʏᴘ(pF) | 363pF |
| Crss_ᴛʏᴘ(pF) | 41pF |
| Qg_ᴛʏᴘ(nC) | 7.7nC |
| ESD | No ESD |
| FOM | 54 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
200
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| 订货型号 | JMSH1508AE |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JMSH1508AE |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 150V 6.7mΩ N-Ch Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-3L |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | N |
| Vᴅs_ᴍᴀx(V) | 150V |
| Iᴅ_ᴍᴀx(A) | 98A |
| Vɢs₍ᴛʜ₎_ᴛʏᴘ(V) | 3.2V |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴛʏᴘ@Vɢs = 10V(mΩ) | 6.7mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴍᴀx@Vɢs=10V(mΩ) | 8.4mΩ |
| Vɢs_ᴍᴀx(V) | ±20V |
| Eᴀs_ᴍᴀx(mJ) | 265mJ |
| Ciss_ᴛʏᴘ(pF) | 3395pF |
| Coss_ᴛʏᴘ(pF) | 457pF |
| Crss_ᴛʏᴘ(pF) | 17.4pF |
| Qg_ᴛʏᴘ(nC) | 47nC |
| ESD | No ESD |
| FOM | 315 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥4.4706
库存:
90
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JMSH1508AE 样品申请 >>
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| 订货型号 | JMSH0804AGS |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JMSH0804AGS |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 80V 3.8mΩ N-Ch Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN5x6-8L |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | N |
| Vᴅs_ᴍᴀx(V) | 80V |
| Iᴅ_ᴍᴀx(A) | 112A |
| Vɢs₍ᴛʜ₎_ᴛʏᴘ(V) | 2.8V |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴛʏᴘ@Vɢs = 10V(mΩ) | 3.8mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴍᴀx@Vɢs=10V(mΩ) | 4.6mΩ |
| Vɢs_ᴍᴀx(V) | ±20V |
| Eᴀs_ᴍᴀx(mJ) | 231mJ |
| Ciss_ᴛʏᴘ(pF) | 2107pF |
| Coss_ᴛʏᴘ(pF) | 1624pF |
| Crss_ᴛʏᴘ(pF) | 19pF |
| Qg_ᴛʏᴘ(nC) | 35.8nC |
| ESD | No ESD |
| FOM | 136 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.7000
库存:
50
世强硬创平台提供JMSH0804AGS在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货50,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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JMSH0804AGS 样品申请 >>
世强硬创平台提供JMSH0804AGS批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
JMSH0804AGS 批量询价 >>
世强硬创平台提供JMSH0804AGS交期查询服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
JMSH0804AGS 交期查询 >>
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| 订货型号 | JMSL0406AP-13 |
| 品牌 | 捷捷微电 |
| 型号系列 | JMSL0406AP |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 40V 4.8mΩ N-Ch Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | N |
| Vᴅs_ᴍᴀx(V) | 40V |
| Iᴅ_ᴍᴀx(A) | 17.8A |
| Vɢs₍ᴛʜ₎_ᴛʏᴘ(V) | 1.7V |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴛʏᴘ@Vɢs = 10V(mΩ) | 4.8mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴍᴀx@Vɢs=10V(mΩ) | 6mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴛʏᴘ@Vɢs=4.5V(mΩ) | 6mΩ |
| Rᴅs₍ᴏɴ₎_ᴍᴀx@Vɢs = 4.5V(mΩ) | 7.8mΩ |
| Vɢs_ᴍᴀx(V) | ±20V |
| Eᴀs_ᴍᴀx(mJ) | 36mJ |
| Ciss_ᴛʏᴘ(pF) | 1204pF |
| Coss_ᴛʏᴘ(pF) | 536pF |
| Crss_ᴛʏᴘ(pF) | 51pF |
| Qg_ᴛʏᴘ(nC) | 17.9nC |
| ESD | No ESD |
| FOM | 86 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
30
世强硬创平台提供JMSL0406AP-13在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货30,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
JMSH0402AGQ 40V 1.6mW N沟道功率MOSFET
Rev. 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0406PGD 40V,50A,4.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JSKT200和JSKH200
Rev.3.0
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| 数据手册 - 英文 |
PXXX1DM TSS
Rev.1.4
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| 数据手册 - 英文 |
JMTQ080P03A-30V、-50A、8.1mΩP沟道功率Trench MOSFET
REV 1.5
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEU12N3-Co TVS二极管阵列
Rev.1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JJT10N65SC 650V 10A沟槽场截止IGBT
REV A.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JECR7506SL外延超高速软恢复整流器
Rev.1.7
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| 数据手册 - 英文 |
JCT812K 12A可控硅
Rev.A.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEU18N3 TVS二极管阵列
Rev.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0802PTL 80V,229A,1.3mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JMTG200C03D±30V、29A和-27A、21mΩ和20mΩN和P沟道功率Trench MOSFET
REV 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEB03SCDF双向TVS二极管
Rev.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JMSL1040AK 100V 32mW N沟道功率MOSFET
Rev. 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JVR431分流电压基准
Rev. 1.1a
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| 数据手册 - 英文 |
JMTG035N04A 40V、100A、3.0mΩN沟道功率Trench MOSFET
REV 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JJT50N65UE 650V 50A沟槽式磁场截止型IGBT
REV A.1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JMTQ35N06A 60V、35A、15mΩN沟道功率Trench MOSFET
REV 1.4
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH1504NE7 150V,154A,3.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH040SPG 40V,324A,0.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0606PGQ 60V,118A,3.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0401PTSQ 40V,381A,0.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JMSL1010PK 100V,80A,8.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JMSL0608PK 60V,53A,8.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JST138C-1600D 12A双向可控硅
Rev.A.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH1006PE 100V,116A,5.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
浪涌电流齐纳二极管规格:BZT52B系列
Rev.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JOC301X、JOC302X、JOC305X、JOC307X系列直流输入、随机相位光电双向可控硅耦合器
2024/3/25
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| 数据手册 - 英文 |
JPCR3006SL外延平面超高速软恢复整流器
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JSKD/JSMD/JSND200二极管模块
Rev.4.0
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| 数据手册 - 英文 |
JVL102Y 100V 2.8mΩN沟道功率MOSFET
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0403AGHWQ 40V 2.7mΩ半桥N沟道功率MOSFET
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMTK3005B JMT N沟道增强型功率MOSFET
Version:1.0
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEB05D5P‐AU双向TVS二极管
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JEB24T2B‐AU TVS二极管阵列
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEU15D3U‐AU单向TVS二极管
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEB12DF‐AU双向TVS二极管
Rev.1.1
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEB24DF‐AU双向TVS二极管
Rev.0.1
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEB05VCDF‐AU双向TVS二极管
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEU24D5‐AU单向TVS二极管
Rev.1.0
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应用/方案
【应用】捷捷微电中、低压功率MOSFETs用于BMS,阈值电压一致性好,生产时分档处理以支持多管并联应用
江苏捷捷微电子股份有限公司是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业,同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。本文主要介绍江苏捷捷微电子产品在电池管理系统应用方案。
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【应用】捷捷微JMPL1050AK功率MOS用于户外电源,具有导通电阻低至37mW、高稳定性等特点
随着人们逐步增长的自驾旅行需求,更多的生活家电被带到了户外使用,这就衍生出了户外储能电源的新产品。大功率的逆变电源可以满足电器的户外用电需求,提供更好的使用体验。功率MOS用于升降压控制,推荐捷捷微JMPL1050AK 。
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【产品】捷捷微电新推100V P沟道SGT MOSFET,采用PDFN封装,FOM性能改善20%
捷捷微电推出新一代100V P沟道SGT MOSFET,比起上一代设计,FOM性能改善20%,实现国际领先;主要电气参数如RDS(ON)_Typ和FOM均优于国际一线半导体IDM同类产品;提供插件式和新型贴片式两类高质量封装。
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【应用】国产MOSFET JMSL0403AGQ用于汽车EPS转向系统,源漏开态电阻低至2.5mΩ
笔者有一客户是研发生产汽车EPS转向系统的,目前在研发2款EPS转向系统,一款是使用有刷电机,一种是使用无刷电机,在电机的前端有驱动MOS的需求,有刷电机用4个,无刷电机用9个。本文推荐国产厂牌捷捷微电的MOSFET JMSL0403AGQ。
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【产品】捷捷微电30/40V系列N沟道JSFET,实现国际水准的导通电阻水平,有效降低损耗
捷捷微电30/40V系列N沟道JSFET适用于多种负载范围的终端,利用最先进的工艺流程、新型封装技术,结合对终端应用的理解,该系列SGT MOSFETs电气特性达业界领先水平。
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【产品】40V/5.7mΩ 双N沟道功率MOSFET JMSL0406AGDQ,连续漏极电流额定值45A
JMSL0406AGDQ是捷捷微电推出的一款40V 5.7mΩ 的双N沟道功率MOSFET,采用PDFN5x6-8L-D封装,漏源电压额定值为40V,栅极开启阈值电压典型值1.7V,连续漏极电流额定值45A(VGS = 10V,Tc=25℃)。
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【产品】31A/60V 双N沟道功率MOSFET JMSL0615AGDQ,导通电阻低至13.5mΩ
捷捷微电推出一款采用PDFN5x6-8L-D封装的双N沟道功率MOSFET——JMSL0615AGDQ,漏源电压最大额定值为60V,连续漏极电流最大额定值高达31A(TC=25°C),具有低导通电阻、低栅极电荷特性和高电流处理能力,适用于汽车应用。
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【产品】150V/126A N沟道功率MOSFET JMSH1507AEQ,耗散功率231W(Tc=25℃)
捷捷微电子推出的N沟道功率MOSFET器件JMSH1507AEQ采用TO263-3L封装,其漏源电压额定值为150V,栅源电压额定值为±20V,连续漏极电流额定值为126A(TC=25℃),静态漏源导通电阻典型值为5.2mΩ。
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