WR431 Adjustable Precision Shunt Regulators
发布时间：
2024-03-26
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
WAYON（维安）
型号：
WR431; WR431-AS30R; WR431-BS30R; WR431-AS31R; WR431-BS31R; WR431-AA20R; WR431-BA20R; WR431-AA50R; WR431-BA50R; WR431-ANM1B; WR431-BNM1B
本数据手册详细介绍了WR431可调精度分流稳压器。该器件是一款高精度、高度稳定的三端可调分流稳压器，具备可靠的温度稳定性，其输出电压可通过两个外部电阻在2.5V（VREF）至36V之间任意设置。在技术特性方面，WR431表现出优异的性能，包括典型值6mV的低温漂移、1mA至100mA的源电流容量以及低输出噪声。其工作温度范围宽广，覆盖-40至+125°C，且在多种无铅封装（SOT23、SOT89、SOT23-5和TO-92）下均能保持高电容负载稳定性。与传统的齐纳二极管相比，该器件具有更低的等效全范围温度系数（典型值20PPM/°C），能够提供更精确的系统性能。主要应用领域涵盖精密电压和电流参考、电压监控、开关电源、带集成参考的比较器以及作为齐纳二极管的替代品。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队将提供选型、设计验证及调试等技术支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
WR431可调精密并联稳压器
Rev 1.1
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WM02P30ME P沟道增强型MOSFET
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WM02P30ME P沟道增强型MOSFET
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WM10N02M N沟道增强型MOSFET
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WM10N02M N沟道增强型MOSFET
Rev.D
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WSCM01KEA170T2C N沟道SiC功率MOSFET
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WM02DN70A双通道N沟道增强型MOSFET
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WM02DP06D双通道P沟道增强型MOSFET
Rev. C
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WM02P40M3 P沟道MOSFET
Rev: C
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WM05P01G P沟道增强型MOSFET
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WMQ80N03T1 30V N沟道增强型功率MOSFET
Rev.9.0
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WSCM032R120T2C N沟道SiC功率MOSFET
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WY8S8003 系列数据手册
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WY8S8003 系列数据手册
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WD2305高效率、1.2A同步降压转换器
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WSR15020FCT肖特基势垒整流器
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WSR15030FCT肖特基势垒整流器
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WSRSIC040065NPS碳化硅肖特基二极管
Rev: A
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WP3883CL高电流过压保护IC
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WM01P41M P沟道增强型MOSFET
Rev.F
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WS20P4SMA-BH电源瞬态电压抑制器
Rev: B
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GDTN2RS6-90气体放电管
Rev: B
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WSR2010D1肖特基势垒二极管
Rev: A
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WMJ9N90D1B WML9N90D1B WMK9N90D1B 900V 9A 0.88ΩN沟道功率MOSFET
Rev.3.1
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WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D 1B 900V 4A 1.85ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.3
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WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D 1B 900V 4A 1.85ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.0
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WM14N90D1 WMK4N90D1 WMM4N90D1 900V 4A 2.9ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.5
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WMJ14N80D1 800V 14A 0.58ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.4
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WMAH4N80D1B WML4N80D1B WMK4N80D1B WMAA4N80D1B WMO4N80D1B WMH4N80D1B WMAD4N80D1B 800V 4A 3.5ΩN沟道功率MOSFET
Rev.2.3
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WML16N70D1B 700V 16A 0.5ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.3
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WML12N65D1 WMK12N65D1 650V 12A 0.57ΩN沟道功率MOSFET
Rev.2.0
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WMAH2N65D1 WMT2N65D1 WMH2N65D1 WMD2N65D1 WMAA2N65D1 650V 2A 3.8ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.3
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WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D 1B 500V 9A 0.68ΩN沟道功率MOSFET
Rev.1.2
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WMC1N40D1 400V 1A 9ΩN沟道功率MOSFET
Rev.2.2
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WM06N03HE N沟道增强型MOSFET
Rev.1.0
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WMS090DNV6LG4 65V双N沟道增强型功率MOSFET
Rev.1.0
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WMQ40N03T1 30V N沟道增强型功率MOSFET
Rev.11.1
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SMF3.3A电源瞬态电压抑制器
Rev: D
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WS9.0P4S1电源瞬态电压抑制器
Rev: D
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WS20P4S1-B电源瞬态电压抑制器
Rev: B
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WS24P4S1H电源瞬态电压抑制器
Rev: E
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WT491 NPN硅晶体管
Rev: A
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WEOS4-50/25AS1晶闸管浪涌保护器
Rev: D
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WEOS4-80/8AS1晶闸管浪涌保护器
Rev: C
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
维安可调并联电压基准产品WR431，拥有高精度、低温漂、低功耗的优秀特性
电压基准作为模拟芯片重要的基础元件，已经成为维安高性能模拟IC版块重要的产品系列。维安可调并联电压基准产品WR431，拥有高精度、低温漂、低功耗的优秀特性，能够在宽负载电容范围下稳定工作。高初始精度消除了系统校准的需求；低温漂系数提高了系统的精度。多种输出电压规格可挑选，宽温度范围覆盖了绝大部分应用场景。在25℃下具有优于±0.4%的精度，并在宽工作温度和电流范围内有良好的温漂性能。
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WY8S8003 系列 ISP-ICP 用户手册
本手册详细介绍了WY8S8003系列ISP-ICP编程工具的使用，包括软件界面说明、ISP和ICP升级流程、通信协议等。手册涵盖了软件运行环境、ISP和ICP升级方式、硬件连接方法、命令列表及说明等内容，旨在帮助用户进行MCU的编程和升级。
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WAYON 集成电路产品介绍
该资料详细介绍了某集成电路公司的产品线、研发团队、制造流程、供应链和交付能力。资料涵盖了公司IC产品的研发历程、设计创新、制造流程、实验中心、供应链合作伙伴、产能、交付周期、产品线类别、应用领域、产品布局和具体产品介绍。
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【应用】上海贝岭提供多样化移动户外电源芯片解决方案，实现稳压限流、MCU通讯以及高低压板通讯隔离等功能
户外电源是一种内置锂离子电池，自身可储备电能且具备交流输出的多功能便携式储能电源。户外电源方案有多种，不同方案所用芯片也不尽相同。上海贝岭可提供不同的芯片组合输出不同的电压，满足不同的客户需求。
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