MSC180SMA120SD 1200V, 180 mΩ N-Channel mSiC™ MOSFET
发布时间：
2024-05-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MSC180SMA120SD
资料平台
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MSC1175M射频和微波晶体管在航空电子设备中的应用
2018/01/11
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
选择Microsemi功率晶体管产品下线通知
August 13, 2018
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碳化硅半导体产品
05/18
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1N6845 45 VOLTS, 40 AMP SCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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1N6844 100 VOLTS, 20 AMPSCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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MSC1450M RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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1N6842 60 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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2N6303硅PNP功率晶体管
05-25-99
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2N3583 5安培，250V，高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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1N6843 100 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
11/1199
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1N6840 AND 1N6841 35 and 45 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODECENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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SM2337 1200伏超快恢复整流器产品预览
2000-09-20
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MSC100SM70JCU2升压斩波器SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSAF75N10C N沟道增强型功率MOSFET产品预览
2000-09-20
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MSC1090M射频和微波晶体管在航空电子设备中的应用
Revision A
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RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS MSC1015MP
2018/01/11
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MSC130SM120JCU2升压斩波器SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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MSC130SM120JCU3降压斩波SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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2N4240 5安培、500V、高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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MSC1400M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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PPNGZ52F120A PPNHZ52F120A 1200 Volts52 Amps 3.2 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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MSC1350M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
08-19-02
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1N5807 1N5809 1N5811 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 6 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP50 - 150 VOLTS
02-23-99
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1N5802 1N5804 1N5806 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 2.5 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
02-23-99
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MSARW80G20A（MX028）200伏80安37纳秒超快整流器
rev 1
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MSARS200S20LP MSARS200S20LRP 200 Volts 200 Amps HIGH CURRENT CAPABILITY &LOW VOLTAGE DROP STANDARD RECOVERY RECTIFIER
2018/01/11
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MSC090SMA070SD 700V、90 mΩN沟道MSIC™MOSFET
Revision A
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MSC060SMA070SD 700V、60 mΩN沟道MSIC™MOSFET
Revision A
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MSC080SMA120SD 1200V、80 mΩN沟道MSIC™MOSFET
Revision A
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MSC360SMA120SD 1200V、360 mΩN沟道MSIC™MOSFET
Revision A
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MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET产品介绍
Revision ATI
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MSC035SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC040SMA120B碳化硅n沟道功率MOSFET
April 2019
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MSC040SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC015SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC025SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC040SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC025SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC035SMA070B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision C
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MSC280SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision ATI
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN1824 MSCSICMDD/REF1双碳化硅MOSFET驱动器参考设计应用说明
本资料提供了一种高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动器的示例，适用于驱动半桥配置，具有死区保护和并发驱动功能。设计适用于大多数Microsemi碳化硅MOSFET离散和模块设备。该设计具有可调的-5V至+20V输出栅极驱动、超过2000V的栅极驱动器电气隔离、高达30A的峰值输出电流、大于400kHz的最大开关频率等特点。资料详细介绍了设计描述、固件、替代设计选项、IO和设置、电气特性、板安装和快速启动等内容。
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国防和安全解决方案射频模块、子系统
Microsemi公司专注于国防和安全领域的射频微波和毫米波解决方案，提供一系列高性能、高可靠性的半导体产品。产品包括低噪声放大器、表面贴装放大器、宽带放大器、超低相位噪声放大器、高功率窄带放大器、高功率宽带放大器、毫米波放大器、倍频器、上/下变频器、收发器、多功能组件等。这些产品广泛应用于无人机、雷达、通信、战场通信等领域，满足客户在国防和安全领域的需求。
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【产品】650V碳化硅N沟道MOSFET ASR320N650MD56，符合ROHS标准，具有低导通电阻特性
ASR320N650MD56是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款碳化硅N沟道MOSFET芯片。采用DFN5×6外壳封装，在TC=25℃条件下，漏源电压最大额定值650V，持续漏极电流高达8A@TC=25℃。
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【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。
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【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06025K3，通过AEC-Q101认证，具有高阻断电压等特性
派恩杰推出的P3M06025K3是一款采用TO-247-3封装的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证，100%经过UIS测试。该器件具有高阻断电压，低导通电阻，Qgd超小等特性，可适应高频工作。
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【产品】美浦森推出漏源电压达1200V的碳化硅功率MOSFET，具有N沟道增强模式
美浦森推出的碳化硅功率MOSFET，有MSH080120M1和MSK080120M1两个型号，具有N沟道增强模式，具有动态特性，包括输入电容、输出电容和反向传输电容。系统效率较高，易于并联且易于驱动，无卤素，符合RoHS。
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【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE，耗散功率为312W
SCT4013DE是ROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压750V，连续漏极电流105A，静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ，耗散功率为312W。该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点。
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【产品】650V N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，具有高阻断电压，低导通电阻特性
长联（CLTC）推出采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，漏源电压VDS为650V，TC=25℃ 时，漏极连续电流ID为70A。
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【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D
Wolfspeed的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D，在整个工作温度范围内最低工作电压为1200V，具有低反向恢复电荷（Qrr）的快速本征二极管。
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