SEMECONDUCTOR DEVICE SGS RoHS 2011/65/EU Test Report (ETR23805352V01)
发布时间：
2024-07-26
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
PANJIT（强茂）
型号：
-
本测试报告详细介绍了SGS受PANJIT GROUP & PANJIT INTERNATIONAL INC.委托，针对特定半导体器件样品进行的合规性检测结果。报告编号为ETR23805352V01，测试日期为2023年9月12日，核心内容涵盖了对镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚及邻苯二甲酸酯类等有害物质含量的严格检测。测试结论明确显示，送检样品的各项有害物质含量指标均符合欧盟RoHS指令（EU）2015/863的限值要求，证实了该类器件在环保与安全方面的合规性。PANJIT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该测试报告所验证的合规器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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PANJIT官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是PANJIT的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供PANJIT的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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全球领先的半导体分立器件制造商——PANJIT（强茂）
PANJIT（强茂）拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产，主要产品为肖特基二极管，整流二极管，TVS＆ESD，稳压二极管，MOSFET等，广泛应用于消费电子，绿色能源，工业，汽车，通讯与计算机领域。
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现货平台 / PANJIT 授权代理店
| 订货型号 | BAS70-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAS70-AU | 品类 | Small Signal Schottky |
| 描述/说明 | VRRM(Max.):70V,IF:0.2A,IFSM:0.6A,VF(Max.)@IF:1V,15mA,IR(Max.)@VR:1uA,70V | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM(Max.) | 70V | IF | 0.2A |
| IFSM | 0.6A | VF(Max.) | 1V |
| @IF | 15mA | IR(Max.) | 1uA |
| @VR | 70V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0692
库存：
0
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| 订货型号 | SS1040-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | SS1040-AU | 品类 | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 描述/说明 | VRRM(Max.):40V,IF:1A,IFSM:30A,VF(Max.)@IF:0.55V,1A,IR(Max.)@VR:60uA,40V | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM(Max.) | 40V | IF | 1A |
| IFSM | 30A | VF(Max.) | 0.55V |
| @IF | 1A | IR(Max.) | 60uA |
| @VR | 40V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1197
库存：
0
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| 订货型号 | PJEC24MTA-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | PJEC24MTA-AU | 品类 | Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection |
| 描述/说明 | BI,VRRM(Max.):24V,VBR(Min.):25.4V,IR&VRRM(Max.):0.05uA,VC&IPP(Max.):50V,IPP:4A,CJ(Max.):15pF | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 单双向 | BI | 通道数 | 2 |
| VBR(Min.) | 25.4V | VC&IPP(Max.) | 50V |
| IPP | 4A | VRRM | 24V |
| IR&VRRM(Max.) | 0.05uA | CJ(Max.) | 15pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2260
库存：
0
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| 订货型号 | BAS16-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAS16-AU | 品类 | Small Signal Switching Diode |
| 描述/说明 | Maximum repetitive peak reverse voltage:100V,Power Dissipation:350mW,Maximum Reverse Recovery Time:6ns,Peak forward surge current:2A,tp:0.001ms,VF(Max.):0.855V,IF(Max.):10mA,IR(Max.):1uA,VR(Max.):75V,Maximum junction capacitance:2pF | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Maximum repetitive peak reverse voltage | 100V | Peak forward surge current | 2A |
| Power Dissipation | 350mW | Maximum Reverse Recovery Time | 6ns |
| tp | 0.001ms | VF(Max.) | 0.855V |
| IF(Max.) | 10mA | IR(Max.) | 1uA |
| VR(Max.) | 75V | Maximum junction capacitance | 2pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0585
库存：
0
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| 订货型号 | BAV99_R1_000Z9 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAV99 | 品类 | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| 描述/说明 | Maximum repetitive peak reverse voltage:100V,Power Dissipation:250mW,Maximum Reverse Recovery Time:4ns,Peak forward surge current:4A,tp:0.001ms,VF(Max.):1.25V,IF(Max.):150mA,IR(Max.):2.5uA,VR(Max.):75V,Maximum junction capacitance:1.5pF | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Maximum repetitive peak reverse voltage | 100V | Peak forward surge current | 4A |
| Power Dissipation | 250mW | Maximum Reverse Recovery Time | 4ns |
| tp | 0.001ms | VF(Max.) | 1.25V |
| IF(Max.) | 150mA | IR(Max.) | 2.5uA |
| VR(Max.) | 75V | Maximum junction capacitance | 1.5pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.0791
库存：
21,900
世强硬创平台提供BAV99_R1_000Z9在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
BAV99_R1_000Z9 在线购买 >>
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| 订货型号 | 2N7002KDW_R1_00001 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | 2N7002KDW | 品类 | ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | Configure:Single,VDS:60V,VGS:±20V,ID:0.1A,RDS(on)(Max.)(Vgs=10V):3000mΩ,RDS(on)(Max.)(Vgs=4.5V):4000mΩ,Ciss(Typ.):35pF,VGS(th)(Max.):2.5V | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configure | Single | VDS | 60V |
| VGS | ±20V | ID | 0.1A |
| RDS(on)(Max.)(Vgs=10V) | 3000mΩ | RDS(on)(Max.)(Vgs=4.5V) | 4000mΩ |
| Ciss(Typ.) | 35pF | VGS(th)(Max.) | 2.5V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.1582
库存：
16,490
世强硬创平台提供2N7002KDW_R1_00001在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | MMBT3904_R1_000Z8 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | MMBT3904 | 品类 | NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
| 描述/说明 | Polarity:NPN,Configure:Single,VCBO(Max.):60V,VCEO(Max.):40V,IC(Max.):200mA,VCE(sat)(Max.):0.3V,PTOT(Max.):225mW,fT(Min.)300MHz | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | NPN | Configure | Single |
| VCBO(Max.)(V) | 60V | VCEO(Max.)(V) | 40V |
| IC(Max.)(mA) | 200mA | VCE(sat)(Max.)(V) | 0.3V |
| PTOT(Max.)(mW) | 225mW | fT(Min.)(MHz) | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.0859
库存：
15,940
世强硬创平台提供MMBT3904_R1_000Z8在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | GS1002FL_R1_00001 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | GS1002FL | 品类 | SURFACE GENERAL PURPOSE RECTIFIERS |
| 描述/说明 | Maximum average forward rectified current:1A,Maximum repetitive peak reverse voltage:200V,Peak forward surge current:30A,Maximum instantaneous forward voltage:1.1V,Maximum DC Reverse current:1uA | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Maximum average forward rectified current | 1A | Maximum repetitive peak reverse voltage | 200V |
| Peak forward surge current | 30A | Maximum instantaneous forward voltage | 1.1V |
| Maximum DC Reverse current | 1uA | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1130
库存：
13,525
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GS1002FL_R1_00001 在线购买 >>
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世强硬创平台提供GS1002FL_R1_00001期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | BZX84C15-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BZX84C15-AU | 品类 | Zener |
| 描述/说明 | PD:410mW,VZ:5%,VZ&IZT(Nom.):15V,VZ&IZT(Min.):14.25V,VZ&IZT(Max.):15.75V,ZZT&IZT(Max.):30Ω,IZT:5mA,ZZK&IZK(Max.):200Ω,IZK:1mA,IR&VR(Max.):0.1uA,VR:10.5V | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| PD | 410mW | VZ | 5% |
| VZ&IZT(Nom.) | 15V | VZ&IZT(Min.) | 14.25V |
| VZ&IZT(Max.) | 15.75V | ZZT&IZT(Max.) | 30Ω |
| IZT | 5mA | ZZK&IZK(Max.) | 200Ω |
| IZK | 1mA | IR&VR(Max.) | 0.1uA |
| VR | 10.5V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0692
库存：
0
世强硬创平台提供BZX84C15-AU_R1_000A1在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
BZX84C15-AU_R1_000A1 在线购买 >>
世强硬创平台提供BZX84C15-AU_R1_000A1样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
BZX84C15-AU_R1_000A1 样品申请 >>
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世强硬创平台提供BZX84C15-AU_R1_000A1交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
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世强硬创平台提供BZX84C15-AU_R1_000A1期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | BAT54C_R1_000Z9 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAT54C | 品类 | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| 描述/说明 | VRRM(Max.):30V,IF:0.2A,IFSM:0.6A,VF(Max.)@IF:0.6V,100mA,IR(Max.)@VR:2uA,25V | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM(Max.) | 30V | IF | 0.2A |
| IFSM | 0.6A | VF(Max.) | 0.6V |
| @IF | 100mA | IR(Max.) | 2uA |
| @VR | 25V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.0791
库存：
10,140
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PANJIT 半导体
2025/02/19
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| 测试报告 - 英文 |
半导体器件RoHS（SGS）测试报告（ETR21900975）
13-Sep-2021
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| 数据手册 - 英文 |
BCP56-16-AU型
2025/05/02
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| 数据手册 - 英文 |
BCP56-16-AU型
2025/02/19
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| 测试报告 - 英文 |
半导体器件RoHS 2011/65/EU（SGS）检测报告（ETR23805351）
05-Sep-2023
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| 测试报告 - 中文 |
分立式半导体器件 ANSI/ESD S 20.20:2014 证书 (272331-2)
2022 年 2 月 17 日
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| 数据手册 - 英文 |
PJA3439页
2025/10/18
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| 测试报告 - 中文 |
分立式半导体器件 IATF 16949 认证证书 (390686)
版本: 2
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| 测试报告 - 英文 |
半导体器件ANSI/ESD S20.20-2021（SGS）证书（CN24/00000507）
Issue 2
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| 测试报告 - 中文 |
分立式半导体器件ANSI / ESD S20.20-2021 Bureau Veritas Certification(272481-2)
2024年2月17日
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| 测试报告 - 中文 |
分立式半导体器件 ISO 9001:2015 Bureau Veritas Certification(CN047852)
版本号：1
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| 测试报告 - 中文 |
分立式半导体器件IATF 16949第一版Bureau Veritas Certification(0503948)
版本: 1
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| 测试报告 - 中文 |
分立式半导体器件 ISO 9001:2015 Bureau Veritas Certification (CN034910)
版本号：2
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| 测试报告 - 英文 |
半导体器件ISO 9001:2015（SGS）证书（CN22/00003568）
25 October 2022
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| 测试报告 - 英文 |
半导体器件GB/T 24001-2016/ISO 14001:2015环境管理体系认证证书（048823E）
Sep. 12, 2023
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| 测试报告 - 中英文 |
分立式半导体器件ISO 9001:2015管理体系证书(Discrete Semiconductor Devices ISO 9001:2015 Management System certification)(CN034910)
版本号2；Version 2
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| 测试报告 - 中英文 |
分立式半导体器件的设计与制造 ANSI/ESD S 20.20:2014 证书 (272331-2) (Design and Manufacturing of Discrete Semiconductor Devices ANSI/ESD S 20.20:2014 Certification )( 272331-1)
2022年2月17日(17 February 2022)
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| 测试报告 - 英文 |
分立半导体器件IATF 16949-第一版批准证书（0503948）
Revision: 1
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| 测试报告 - 英文 |
分立半导体器件ISO 9001:2015法国国际检验局认证（CN047852）
01-02-2024
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| 测试报告 - 中英文 |
分立式半导体器件IATF 16949 - 第一版质量管理体系认证证书(Discrete Semiconductor Devices IATF 16949 - First Edition Quality Management System Certificate of Approval)( 390686)
版本:2;Revision:2
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| 测试报告 - 英文 |
ANSI/ESD S 20.20:2014分立半导体器件认证（272388-1）
17 February 2023
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| 测试报告 - 英文 |
分立半导体器件ANSI/ESD S20.20-2021法国国际检验局认证（272481-1）
17 February 2024
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| 测试报告 - 中英文 |
SMD Discrete Semiconductor Devices CTI 检测报告 ( SMD Discrete Semiconductor Devices CTI Test Report )（A224050508110103ER1）
2024.08.28
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| 数据手册 - 英文 |
PJE8416 20V N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5450-AU 40V N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6403 30V P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6400 30V N沟道增强型MOSFET
REV.05
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| 数据手册 - 英文 |
PJA3415AE 20V P沟道增强型MOSFET–ESD保护
REV.02S
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| 数据手册 - 英文 |
PJA3471 100V P沟道增强型MOSFET
REV.00S
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5946V-AU 40V双N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5946-AU 40V双N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
P6AFC3.3A~P6AFC64A系列瞬态电压抑制器
REV.00S
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| 数据手册 - 英文 |
PJD90P03E-AU 30V P沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
GBU1506ULV超低漏电流超低VF桥式整流器
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
MMBT5551W NPN高压晶体管
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJT138K-AU 50V N沟道增强型MOSFET–ESD保护
REV.00S
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ4443P-Au 40V P沟道增强型MOSFET
REV.02
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ4403P-Au 30V P沟道增强型MOSFET
REV.02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
带有TO-252封装寿命终止（EOL）通知的Panjit产品（2310002）
12th October, 2023
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| 技术文档 - 英文 |
汽车级低压MOSFET 30V和40V P沟道增强型MOSFET
2023/8/4
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| 数据手册 - 英文 |
PJD50P04-AU 40V P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
5KMC12AS-Au~5KMC70AS-Au系列瞬态电压抑制器
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
MBR6040PT系列肖特基势垒整流器
REV.09
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| 数据手册 - 英文 |
MBR240~MBR2200肖特基势垒整流器
REV.04
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| 数据手册 - 英文 |
PJSOT24C-05-AU~PJSOT36C-05-AU系列高浪涌ESD保护
REV.00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
功率半导体器件与芯片的主要区别
功率半导体器件与半导体芯片同为现代电子系统的核心元件，但二者在功能定位、设计理念和应用场景上存在本质差异。对于行业以外的非技术人士来说，两者有时会难以区分。
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SiC类半导体器件的起源
在当今科技飞速发展的半导体领域，SiC（碳化硅）类半导体器件正逐渐崭露头角，成为众多前沿应用的核心力量。作为专注于 SiC MOSFET 和碳化硅二极管研发生产的萃锦半导体，深知这背后蕴含的深厚历史底蕴与技术突破历程。今天，就让我们一同开启 SiC 类半导体器件的起源探索之旅。
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EMMI在半导体器件失效分析的重要性
失效分析的目的是通过技术手段找出器件失效的根本原因，并推动改进措施的实施，从而提升生产工艺、改善产品质量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析过程中经常使用的设备之一，它们能够帮助分析人员检测电气故障，并定位失效的具体位置。本文SLKOR来给大家分享EMMI在半导体器件失效分析的重要性。
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半导体器件中材料、工艺结构、模型之间的关系
半导体发展至今，半导体器件的尺寸在不断地缩小，集成度也在不断提升。工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的7nm，5nm, 3nm。随着集成度的要求，器件尺寸在变小，相应的也会出现各种问题，如短沟道效应（DIBL、迁移率退化等）诸多问题，于是大家不断地从材料、结构、工艺这三个方面寻找方法，为下一代的工艺制程提供方案。
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