SX3N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2025-03-21
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SXSEMI（瞬芯科技）
型号：
SX3N50D
本数据手册详细介绍了SX3N50D型号器件，这是一款500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET。该产品采用自对准平面技术制造，具备低导通损耗、高开关性能及增强雪崩能量等显著优势，适用于各类功率开关电路，有助于实现系统的小型化并提升整体效率。在关键参数方面，SX3N50D的漏源电压（VDS）为500V，连续漏极电流（ID）为3A，栅源电压（VGS）为±30V。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V条件下小于3.0Ω，雪崩能量（EAS）达57 mJ，功耗（PD）为32.9 W。器件的结温和存储温度范围覆盖-55至+150 ºC，并提供了详细的热阻参数（RthJC为6.25 ºC/W，RthJA为62.5 ºC/W）。此外，手册还列出了完整的电气特性，包括阈值电压、各类电容及电荷参数，以及精确的开关时间，为电路设计提供了可靠的数据支持。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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SXSEMI官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SXSEMI的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SXSEMI的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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一家从事ESD防静电保护管、TVS管、MOSFET场效应管等半导体器件的创新型技术企业——SXSEMI（瞬芯科技）
SXSEMI（瞬芯科技）一如既往、砥砺前行！坚持为全球客户提供优质产品的经营目标；坚持产品为王、以质取胜的生产态度；坚持客户至上的服务理念。SXSEMI瞬芯科技有限公司成立於2011年，是一家全球知名的半导体分立元器件厂商，产品远销全球多个国家，被公认为是半导体行业富有创新力的公司之一。
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现货平台 / SXSEMI 授权代理店
| 订货型号 | SX3N50D | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3N50D | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Planar;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):500;ID(A):3 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | N | Process | Planar |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 500 |
| ID(A) | 3 | VGS(TH)(V) | 30 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 订货型号 | PNM723T201E0 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T201E0 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):8;VDS(V):1;ID(A):200 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 8 | VDS(V) | 1 |
| ID(A) | 200 | VGS(TH)(V) | 250 |
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| 订货型号 | PNM723T30V01 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T30V01 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:30;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.1;ID(A):4000 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 30 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.1 |
| VGS(V) | 3000 | ID(A) | 4000 |
| VGS(TH)(V) | 7000 | ||
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| 订货型号 | PNM3FD703E0-2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD703E0-2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:40;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.18 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 40 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.18 |
| VGS(V) | 7500 | ||
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| 订货型号 | PNM723T703E0-2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T703E0-2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:40;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.18 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 40 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.18 |
| VGS(V) | 7500 | ||
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| 订货型号 | PNM3FD201E0 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD201E0 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):8;VDS(V):0.3 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 8 | VDS(V) | 0.3 |
| VGS(TH)(V) | 500 | ||
授权代理商：
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| 订货型号 | SX3134K | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3134K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):0.75 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | 0.75 |
授权代理商：
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| 订货型号 | SX3134KT | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3134KT | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):0.75 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | 0.75 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | PNM3FD20V2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD20V2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):12;VDS(V):2;ID(A):62 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 12 | VDS(V) | 2 |
| ID(A) | 62 | VGS(TH)(V) | 70 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 订货型号 | SX3139K | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3139K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):-20;ID(A):-0.66 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-P | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | -20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | -0.66 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 数据手册 - 英文 |
500V N沟道增强型MOSFET SX3N50D
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RSM5721CN P沟道MOSFET
2016/11/28
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SX5N30D 300V N沟道增强型MOSFET
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SX5N30D 300V N沟道增强型MOSFET
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100V N-SGT增强型MOSFET
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20V N+N 沟道增强型MOSFET SX8805DF
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| 数据手册 - 英文 |
SX2N30MI 300V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
沟道增强型MOSFET-SX15V04S
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12V N+N-通道增强型MOSFET SX8804DF
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP-600V N-SJ增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX4G02Li沟道增强型MOSFET
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SXG12N10D 100V N-SGT增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
N+N SX8806DF 20V -双通道增强型MOSFET
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-20 P沟道增强型MOSFET SX20P02BF
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SX80P06T-60V P沟道增强型MOSFET
未提及
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800V N沟道增强型MOSFET
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SX765LPH -200V P沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX1N60MSI 600V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX1N60MSI 600V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
30V N+P SX50G03GD沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX8V04S沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SXN2294 100V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX5N20D 200V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
30V N+P SX30G03GD沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SXG60N10S 100V N-SGT增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SXG60N10S 100V N-SGT增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
N+N SX9926A 20V -通道增强型MOSFET
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20V N+P SX25G02NF沟道增强型MOSFET
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-200V P沟道增强型MOSFET SX4P20D
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20 P沟道增强型MOSFET SX6V02LI
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