AOT254L/AOB254L 150V N-Channel MOSFET
发布时间：
2018-07-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
AOS
型号：
AOT254L; AOB254L
本数据手册详细介绍了AOT254L/AOB254L系列150V N-Channel MOSFET的技术特性与应用优势。该器件专为高效能电源管理设计，具备卓越的高频开关性能，能够显著降低导通和开关功耗。其关键特性包括低RDS(ON)、低输入电容（Ciss）以及优化的导通电阻组合，确保了在高电压条件下的稳定运行。此外，产品通过了100% UIS（雪崩能量）和Rg（栅极电阻）测试，提供TO220和TO-263两种封装形式，以适应不同的电路板布局需求。在应用层面，该MOSFET系列广泛适用于提升转换器和同步整流器，覆盖消费电子、电信、工业电源及LED背光等多个领域，能够满足现代电子设备对小型化、高效率电源解决方案的严苛要求。针对文中所述器件，Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
AOT254L/AOB254L 150V N沟道MOSFET
Rev 0
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| 测试报告 - 英文 |
AOS半导体产品可靠性报告AOT254L和AOB254L，A版塑料封装器件ALPHA&OMEGA Semiconductor，Inc
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOT254标记说明
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| 技术文档 - 英文 |
阿尔法和欧米茄半导体更绿色的未来™
2018/11/13
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| 测试报告 - 英文 |
AOS半导体产品可靠性报告AOT254L和AOB254L，A版塑料封装器件
rev A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOB254标记说明
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
AOS半导体产品可靠性报告AOT254L，B版塑料封装器件
rev B
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| 测试报告 - 英文 |
AOS半导体产品可靠性报告 AOB254L，版本B 塑封器件 ALPHA & OMEGA Semiconductor, Inc
revB
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| 数据手册 - 英文 |
AOTF454L 150V N沟道MOSFET
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
AOD256 150V N沟道MOSFET
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
AOD4454 150V N沟道MOSFET
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
AON6250 150V N沟道MOSFET
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
AOB256L 150V N沟道MOSFET
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
AOW2502 150V N沟道MOSFET
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AOD254 150V N沟道MOSFET
Rev.1.0
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AOTF256L 150V N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AOW2500 150V N沟道MOSFET
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AOT2500L/AOB2500L 150V N沟道MOSFET
Rev.1. 0
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AOT2500L/AOB2500L 150V N沟道MOSFET
Rev.1. 0
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AOK2500L 150V N沟道MOSFET
Rev.1. 0
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| 数据手册 - 英文 |
AON6454A 150V N沟道MOSFET
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
AOB66518L 150V N沟道MOSFET
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AONS66521 150V N沟道MOSFET
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
沟道MOS-B22L 250V AOL 502
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
沟道MOS-B22L 250V AOL 502
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AOTL66518 150V N沟道AlphaSGT™
Rev.1.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOWF360A70标志说明包装标志说明
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
AOW125A60，A版塑料封装器件产品可靠性报告
rev A
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| 数据手册 - 英文 |
AOTF66616L 60V N通道AlphaSGT™ 数据表
Rev.2.0
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| 测试报告 - 英文 |
AOTE21115C，A版塑料封装器件产品可靠性报告
rev A
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| 测试报告 - 英文 |
AOSS21115C，rev A塑料封装器件产品可靠性报告
rev A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOTF125A60L标记说明包标记说明
Version A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOW125A60标志说明包装标志说明
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
AOTF125A60L，A版塑料封装器件产品可靠性报告
rev A
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| 数据手册 - 英文 |
AOSP66923 100V N通道AlphaSGT™ 数据表
Rev.2.0
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| 测试报告 - 英文 |
AOSN21319C，A版塑料封装器件产品可靠性报告
rev A
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| 测试报告 - 英文 |
AOSN32338C，A版塑料封装器件产品可靠性报告
rev A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOTS21319C标记说明包装标记说明
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
AOSD21313C30V双P沟道MOSFET数据表
Rev.1.1
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| 数据手册 - 英文 |
AOZ2260QI-11 28V/6A同步EZBuck™稳压器
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AOZ1037PI-01 EZBuck™5A同步降压稳压器
Rev. 0.2
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| 包装规格/规范 - 英文 |
TSOT23 l卷带数据
2019/02/15
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TSOT23 L封装外形图
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
AOZ6763DI EZBuck™3A 1.25MHz同步降压稳压器
Rev. 1.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
AOI21357标记说明
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
AOZ8320DI-20，revA塑料封装器件产品可靠性报告
Dec, 2018
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| 测试报告 - 英文 |
AOZ8808DI-03，revB塑料封装器件产品可靠性报告
Nov, 2018
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】平面条纹沟槽技术的150V N沟道MOSFET，开关性能优越，实现最小化传导损失
美浦森推出的SLD30N15T/SLP30N15T是150V，N沟道MOSFET。该功率MOSFET是使用美浦森先进的平面条纹沟槽技术生产的。这种先进的技术是为实现最小化传导损失而定制的，提供优越的开关性能。
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【产品】150V N沟道沟槽式MOSFET TMD17N15A/TMP17N15A，静态漏源导通电阻最大仅85mΩ
TMD17N15A/TMP17N15A是漏源电压150V的N沟道沟槽式MOSFET，采用TO-252/TO-220封装，符合RoHS标准。产品针对快速开关应用进行了优化，导通电阻和栅极电荷较低。
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【产品】150V N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术
无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术，具有低RDS(ON)，低栅极电荷等特点，漏源电压为150 V，结温和存储温度范围为-55 ºC至 175 ºC，可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流，通信和工业中的隔离式DC / DC转换器等领域。
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