STS2DNF30L Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2025-04-24
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
STS2DNF30L
该资料介绍了HUAXUANYANG HXY Electronics Co., Ltd.生产的STS2DNF30L双通道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（2.5V）等特点，适用于电池保护和其他开关应用。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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| 订货型号 | STS2DNF30L | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | STS2DNF30L | 品类 | 场效应管 |
| 描述/说明 | ID:6A,VDSS:30V,RDON:25mR,VGS:20V,TYPE:N+N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | SO-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 6A | VDSS | 30V |
| RDON | 25mR | VGS | 20V |
| TYPE | N+N沟道 | ||
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| 订货型号 | HXY15N10D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HXY15N10D | 品类 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | The HXY15N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | 封装/外壳/尺寸 | TO252-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 100V | Gate-Source Voltage | ±20V |
| Pulsed Drain Current | 24A | Single Pulse Avalanche Energy | 6.1mJ |
| Avalanche Current | 11A | Total Power Dissipation(PD@TC=25℃) | 34.7W |
| Total Power Dissipation(PD@TA=25℃) | 2W | ||
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价格：
￥0.3059
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| 订货型号 | IRFP450 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | IRFP450 | 品类 | 场效应管 |
| 描述/说明 | 场效应管(MOSFET);N沟道,VDSS耐压650V,ID电流14A, RDON导通电阻0.43R@VGS,VGS(th)开启电压2.0-4.0 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247S |
| 最小包装量 | 30 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS | 650V | ID | 14A |
| RDS（on）@10V.MAX | 0.43R | ||
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￥4.7059
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| 订货型号 | BSS138DW | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | BSS138DW | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 圆盘 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
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￥0.1412
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0
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| 订货型号 | AOD603B | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | AOD603B | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-4L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | 圆盘 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
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￥0.9824
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0
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| 订货型号 | GT4427DTR | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | GT4427DTR | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 电源电压范围:4.5V~25V,上升时间:30ns,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2025-09-28 |
| 电源电压 | 4.5V~25V | 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 30ns | 通道数 | 2 |
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| 订货型号 | GT4428DTR | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | GT4428DTR | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 电源电压范围:4.5V~25V,上升时间：30ns,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2025-09-28 |
| 电源电压 | 4.5V~25V | 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 30ns | 通道数 | 2 |
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| 订货型号 | GT4426DTR | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | GT4426DTR | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 电源电压范围:4.5V~25V,上升时间:30ns,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2025-09-28 |
| 电源电压 | 4.5V~25V | 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 30ns | 通道数 | 2 |
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| 订货型号 | IPG20N06S4L-26 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | IPG20N6S4L-26 | 品类 | N+N型场效应晶体管 |
| 描述/说明 | IPG20N6S4L-26采用先进的SGT MOSFET技术,提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性. | 封装/外壳/尺寸 | DFN-8L(5x6) |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 60V | Gate-Source Voltage | ±20V |
| Pulsed Drain Current | 180A | Single Pulsed Avalanche Energy | 36mJ |
| Power Dissipation | 60W | ||
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| 订货型号 | 2N7002K-T1-GE3 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 2N7002K-T1-GE3 | 品类 | N沟道增强型MOSFET |
| 描述/说明 | The 2N7002K-T1-GE3 uses advanced trench te chnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 60V | ID | 0.3A |
| IDM | 0.8A | PD | 0.35W |
| TJ,TSTG | -55 To 150℃ | ||
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资料平台
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STS2DNF30L双通道N沟道增强型MOSFET
2024/3/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 中文 |
华轩阳停产部分型号的声明
2025年2月11日
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STS25NH3LL-E N沟道MOSFET
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STS2DNF30L 双N沟道MOSFET
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STS234050U160 ESD保护二极管
2024/7/8
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STS234050UL65 ESD保护二极管
2024/7/10
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华轩阳华翔电子有限公司-STS232360U261 ESD保护二极管
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STS234050UL30 ESD保护二极管
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STS234050UL30 ESD保护二极管
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ESD保护二极管电子有限公司STS232050UL40
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ESD保护二极管电子有限公司STS232050UL40
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STS234050U150 ESD保护二极管
2024/7/8
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华轩阳华翔电子有限公司STS232050UL40 ESD保护二极管
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STS234050UL30 5通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列
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STS232360U261 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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STS232360U261 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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HSTS234050UL30 ESD保护二极管
2024/5/21
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HSTS234050UL30 ESD保护二极管
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HSTS234050UL30 ESD保护二极管
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HSTS232050UL40 ESD保护二极管
2024/5/22
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华轩阳华翔电子有限公司STS232120U901 ESD保护二极管
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STS232120U581 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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STS232120U901 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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STS232120U901 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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ESD保护二极管电子有限公司 HSTS232050UL40
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ESD保护二极管电子有限公司 HSTS232050UL40
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HSTS232360U261 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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华轩阳华翔电子有限公司STS232120U581 ESD保护二极管
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STS232150U451 瞬态电压抑制二极管（TVS）
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STS232120U581
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STS232050U152 瞬态电压抑制二极管（TVS）
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HSTS232360U261 ESD保护二极管
2024/5/22
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华轩阳华翔电子有限公司STS232050U152 ESD保护二极管
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STS232050U152 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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HSTS232050U152 ESD保护二极管
2024/5/22
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HSTS232120U581 ESD保护二极管
2024/5/21
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HSTS232120U901 ESD保护二极管
2024/5/22
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STS232240U301 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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STS232240U301 瞬态电压抑制（TVS）二极管
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ESD保护二极管STS232050B751
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ESD保护二极管STS232050B751
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HSTS232150U451 瞬态电压抑制器（TVS）
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HSTS232120U901 瞬态电压抑制器（TVS）
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HSTS232050U152 瞬态电压抑制器（TVS）
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HSTS232050U152 瞬态电压抑制器（TVS）
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
Factors to Consider When Choosing a MOSFET
When selecting a MOSFET with high-cost performance, long life, strong reliability, high stability, and high fit, the above factors and parameters need to be considered, and it is necessary to ensure that the on-resistance RDS(on) meets the requirements.
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【技术】MOSFET常见的八种失效原因和解决方法
MOSFET在使用过程中，可能会出现各种失效情况，须了解各种失效原因及其解决方法。以下是华轩阳电子常见的八种电子元器件失效情况及对应解决方法。总之，在设计和使用电子元器件时，须对各种失效原因和解决方法有认识和了解，以避免出现损坏或安全问题。
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