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1050V 0.28Ω Super Junction Power MOSFET
发布时间: 2025-06-30
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
WAYON(维安)
型号:
WMN/WMM/WMJ/WMK/WMK2/WMN2/WMM2/WMJ2
该数据手册详细介绍了Wayon公司推出的WMOS™ C2P系列超级结MOSFET产品。该器件基于先进的电荷平衡技术设计,具备极低的导通电阻和低栅极电荷特性,能够显著提升系统效率与功率密度。在电气性能方面,其漏源电压(VDs)达1100V,典型导通电阻(RDS(on))为0.28Ω,并通过了100% UIS测试,确保了在高压环境下的可靠性。此外,产品采用无铅镀层及无卤素工艺,符合环保标准。该MOSFET主要面向LED照明、充电器、适配器、PC、LCD电视及服务器等高能效应用领域。针对文中所述器件,Wayon在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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WMZ26N65C4 650V 0.16Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.1
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WMF08N65PC4 650V 0.81Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ80N65C4 650V 0.033Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMZ26N60C4 600V 0.16Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.1
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WMZ36N60C4 600V 0.088Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMJ90N60C4 600V 0.024Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMZ53N60F2 600V 0.065Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ90N60F2 600V 0.025Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ99N60F2 600V 0.022Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMJ80N60EM 600V 0.035Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMJ80N60C4 600V 0.033Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ99N60C4 600V 0.0195Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMF04N65PC4 650V 2.4Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ90N65C4 650V 0.024Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ09N90C2 900V 1.16Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMZ36N65F2 650V 0.088Ω超级结功率MOSFET
Rev.4.0
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WMZ36N60F2 600V 0.088Ω超级结功率MOSFET
Rev.4.0
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WMJ80N60F2 600V 0.037Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.1
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WML35N80M3 WMJ35N80M3 800V 0.11Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMJ80N65F2 650V 0.037Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.1
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WMM80R1K5S,WMN80R1K5S,WMK80R1k5s,WML80r1k5s,WMP80r1k5s,WMO80r1K5s 800V 1.26Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMA26N60C2 600V 0.16Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMJ90N65F2 650V 0.025Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMB18N65EM 650V 0.245Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.1
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WMJ60N60EM 600V 0.052Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.1
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WMB13N65EM 650V 0.35Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMF10N65PC4 650V 0.49Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMM80R1K0S、WMN80R1K0S、WMK80R1k0s、WML80Rlk0s、WMP80Rlk0s和WMO80r1k0s 800V 0.87Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMA26N60FD 600V 0.16Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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600V 0.06Ω超级结功率MOSFET WML53N60C4、WMK53N60C4、WMN53N60 C4、WMM53N60 C4和WMJ53N60
Rev.2.2
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WML28N55C4、WMK28N55C4、WMN28N55 C4、WMM28N55 C4,WMJ28N5 55 550V 0.097Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMM07N70C4、WML07N70C4、WMO07N70C4700V 0.96Ω超级结功率MOSFET,WMN07N70C4700V 0.96Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMM90R830S,WMN90R830S,WMK90R830S WML90R830S,WMP90R830S,WMO90R830S 900V 0.7Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.1
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WMM09N65PC4,WML09N65PC4,WMO09N65PC4,WMN09N65PC4,WMP09N65PC4,WMK09N65PC4 650V 0.79Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WMM08N70PC4、WML08N70PC4、WMO08N70PC4、WMN08N70PC4、WMLN08N70PC4、WMK08N70PC4 700V 0.83Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.0
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WML53N65F2、WMK53N65F2、WMN53N65、WMM53N65、WMJ53N65 650V 0.062Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WML53N65C4、WMK53N65C4、WMN53N65 C4、WMM53N65 4、WMJ53N65 4 650V 0.06Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMM08N60C4、WML08N60C4、WMO08N60C4600V 0.65Ω超级结功率MOSFET、WMN08N60C4600V 0.65Ω超级结功率MOSFET
Rev.3.1
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WML13N80M3、WMN13N80M3、WMM13N80 M3、WMO13N80 M3,WMP13N8M3,WMK13N8M3 800V 0.4Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WML26N65SR,WMK26N65SR,WMN26N65,WMM26N65,WMJ26N65 650V 0.17Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMM90R1K1S,WMN90R1K1S,WMK90R1K1S WML90R1K1S,WMP90R1K1S,WMO90R1K1S 900V 0.9Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WML80R480S、WMO80R480S、WMK80R480、WMN80R480、WMM80R480s、WMJ80R480s 800V 0.4Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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WMM10N60C4、WML10N60C4、WMO10N60C4600V 0.52Ω超级结功率MOSFET、WMN10N60C4600V 0.52Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.2
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WML53N60F2、WMK53N60F2、WMN53N60 F2、WMM53N60 F2、wmj53n60f2 600V 0.062Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.2
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WML90R500S、WMO90R500S、WMK90R500、WMN90R500、WMM90R500和WMJ90R五百900V 0.41Ω超级结功率MOSFET
Rev.2.0
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DHYON 600V 0.053Ω 超结功率MOSFET
2025/10/03
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
维安熔断器:当机立断,储能应用的安全管家
随着储能技术的飞速发展和成本的持续下降,规模化的储能应用成为不可阻挡的趋势。储能柜容量的增大和能量密度的提升,系统集成度越来越高,对其安全性的要求愈加严格。如何确保储能系统在复杂环境下的稳定运行,成为当前行业的重大挑战。维安作为电路保护领域的专家,在新能源领域深耕多年,凭借丰富的经验与技术,提供适用于多种储能场景的熔断器产品。
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Preferred Power Solution: Wayon VDMOS Offers High Versatility and Durability
In VDMOSFET design, Wayon focuses on optimizing the contradiction between breakdown voltage and on-resistance, enhancing breakdown voltage while maintaining low on-resistance, and reducing Qg and switching losses. For high-reliability applications such as industrial control, Wayon developed a high-quality silicon nitride passivation layer process that significantly improves device reliability.
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Multi-resource, Highly Flexible: WAYON‘s High-frequency 8051 Core WY8S9003 Series MCU Launched
WAYON officially announced the launch of its new generation high-frequency 8051 core WY8S9003 series general-purpose microcontrollers. This MCU integrates dual operational amplifiers and comparators along with rich communication interfaces, making it highly suitable for BLDC motor control applications. It is also appropriate for wireless charging, BMS, security, consumer electronics, and other application fields.
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多资源,高灵活:WAYON高主频8051内核WY8S9003系列通用微控制器来袭!
近日,WAYON正式宣布推出新一代高主频8051内核WY8S9003系列通用微控制器,该MCU集成了双路运放和比较器以及丰富的通讯接口,高度匹配BLDC类电机控制应用,同时也合适无线充、BMS、安防、消费电子等应用领域。
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