P4B60HP2F Power MOSFETs 600V, 4A, N-channel
发布时间：
2025-07-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SHINDENGEN（新电元）
型号：
P4B60HP2F
该资料详细介绍了P4B60HP2F型号的600V、4A N通道功率MOSFET。资料涵盖了该产品的特性、电气特性、等效电路、特性图以及应用领域等信息。
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SHINDENGEN官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%
Shindengen（新电元工业株式会社），1949年在日本成立，主要从事功率半导体和开关电源、电装制品的制造和销售，并以电力电子技术为主要领域。旗下的电源用肖特基二极管、 桥堆等分立器件产品的市场占有率稳居世界前列，在日本国内占95%的市场份额。其整流桥在全世界占有接近40%的市场份额，素有“桥王”之称。
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| 订货型号 | P32FG15SL 5071 | 品牌 | SHINDENGEN |
| 型号系列 | P32FG15SL | 品类 | PowerMOSFET |
| 描述/说明 | Polarity:N-channel;VDSS:150V;ID:32A;PT:100W | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | N-channel | VDSS | 150V |
| ID | 32A | PT | 100W |
| Tch | 150℃ | RDS(ON)(typ.) | 0.032Ω |
| Ciss(typ.) | 3530pF | Qg(typ.) | 72nC |
| Vth(typ.) | 2V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥16.2321
库存：
1,000
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| 订货型号 | P1B90VX3K | 品牌 | SHINDENGEN |
| 型号系列 | P1B90VX3K | 品类 | Power MOSFETs |
| 描述/说明 | Power MOSFETs,Drain-source voltage:900V;VGSS:±30V;Drain current (peak):4A | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS | 900V | VGSS | ±30V |
| Drain current (peak) | 4A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥2.5643
库存：
20
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| 订货型号 | P7F90VX3 | 品牌 | SHINDENGEN |
| 型号系列 | P7F90VX3 | 品类 | Power MOSFETs |
| 描述/说明 | P7F90VX3,Power MOSFETs,900V, 7A, N-channel | 封装/外壳/尺寸 | SC-91 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V(BR)DSS | 900V | VGSS | ±30V |
| ID［A］ | 7 | PT | 95W |
| TOR | 0.5N･m | RDS(ON)TYP | 1.2Ω |
| RoHS | Yes，Pb free terminal | ||
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价格：
￥9.2316
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10
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| 订货型号 | P140LF4QLK | 品牌 | SHINDENGEN |
| 型号系列 | P140LF4QLK | 品类 | Power MOSFETs |
| 描述/说明 | 40V, 140A, N-channel Power MOSFETs,N-channel,Small SMD,Large Current,Low Ron,4.5V Gate Drive,Low Capacitance,Based on AEC-Q101 | 封装/外壳/尺寸 | MO-235B |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS［V］ | 40 | ID［A］ | 140 |
| IDP[A] | 560 | PT [W] | 217 |
| Ciss（typ）［pF］ | 6630 | Qg（typ）［nC］ | 122 |
| Vth（typ）［V］ | 2 | ||
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | P38LF6QLK | 品牌 | SHINDENGEN |
| 型号系列 | P38LF6QLK | 品类 | Power MOSFETs |
| 描述/说明 | 60V, 38A, N-channel Power MOSFETs,Feature:Small SMD,Large Current,Low Ron,4.5V Gate Drive,Low Capacitance,Based on AEC-Q101 | 封装/外壳/尺寸 | MO-235B |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS［V］ | 60 | ID［A］ | 38 |
| IDP[A] | 114 | PT［W］ | 123 |
| Tch［°C］ | -55 to 175℃ | RDS（ON）（typ）［mΩ］VGS=10V | 7.9 |
| RDS（ON）（max）［mΩ］VGS=10V | 9.9 | Ciss（typ）［pF］ | 2340 |
| Qg（typ）［nC］ | 49 | Vth（typ）［V］ | 2.0 |
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￥4.4700
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| 订货型号 | P38LF6QNK | 品牌 | SHINDENGEN |
| 型号系列 | P38LF6QNK | 品类 | Power MOSFETs |
| 描述/说明 | 60V, 38A, N-channel Power MOSFETs,Small SMD,Large Current,Low Ron,10V Gate Drive,Low Capacitance,Based on AEC-Q101 | 封装/外壳/尺寸 | MO-235B |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS［V］ | 60 | ID［A］ | 38 |
| IDP[A] | 114 | PT［W］ | 123 |
| Tch［°C］ | ‘-55 to 175℃ | RDS（ON）（typ）［mΩ］VGS=10V | 8.3 |
| RDS（ON）（max）［mΩ］VGS=10V | 10.4 | Ciss（typ）［pF］ | 1875 |
| Qg（typ）［nC］ | 35 | Vth（typ）［V］ | 3.0 |
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￥4.7312
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加工定制
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
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可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
P4B60HP2F 定格表 RATINGS
2018/02/19
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| 数据手册 - 英文 |
P4B60HP2F功率MOSFET 600V，4A，N通道
Rev.04
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P4B60HP2F功率MOSFET 600V，4A，N通道
Rev.03
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| 数据手册 - 英文 |
P4B60HP2F功率MOSFET 600V，4A，N通道
Rev.02
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| 数据手册 - 英文 |
P4B60HP2F功率MOSFET 600V，4A，N通道
Rev.01
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| 数据手册 - 英文 |
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs P3B28HP2数据手册
2016年02月22日
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| 数据手册 - 英文 |
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs P8B28HP2数据手册
2016年02月22日
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| 数据手册 - 英文 |
P38LF6QLK功率MOSFET 60V，38A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
P8B28HP2功率MOSFET 280V，8A，N通道
2025/04/21
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| 技术文档 - 英文 |
P1B52HP2功率MOSFET 525V，1A，N通道
2025/08/20
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| 数据手册 - 英文 |
P72LF7R5SNK功率MOSFET 75V，72A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
P72LF7R5SNK功率MOSFET 75V，72A，N通道
Rev.02
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P90FG5R5SL
2014.07
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| 数据手册 - 英文 |
P2R5B52HP2F功率MOSFET 525V，2.5A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P70F7R5EN
2014.03
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P9B30HP2F功率MOSFET 300V，9A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
P9B30HP2F功率MOSFET 300V，9A，N通道
Rev.04
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P60B6EN
2014.03
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P42F6EN
2014.07
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| 数据手册 - 英文 |
P240FZ4QNKA功率MOSFET规格
EDIT. 1
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| 数据手册 - 英文 |
P120LF6GLK 功率MOSFET 60V，120A，N沟道
2025/08/20
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P55F6EN
2014.03
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| 数据手册 - 英文 |
P56LA4SN功率MOSFET规格
EDIT. 1
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET F35W60C3
2010. 06
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| 数据手册 - 英文 |
P10B28HP2功率MOSFET 280V，10A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P70F5EN
2014.03
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| 数据手册 - 英文 |
P168LG10GN 功率MOSFET 100V，168A，N沟道
2025/04/20
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P6B40HP2
2014.03
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| 数据手册 - 英文 |
P32LF10SNK功率MOSFET 100V，32A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P85FG6EAL
2014.03
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| 数据手册 - 英文 |
P25LF12SNK功率MOSFET 120V，25A，N通道
2025/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P168FP7R5SNK
2016.1
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| 数据手册 - 英文 |
P130LG10GN 功率MOSFET 100V，130A，N沟道
2025/04/20
|
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOSFET P32FG15SL
2014.09
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技术论坛
请问新电元的40V/140A功率MOSFET P140LF4QNK有何特征优势？
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电机驱动需要120V/100A的功率MOSFET，请推荐性价比高的产品。
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请问新电元的40V/105A功率MOSFET P105LF4QNK有何特征优势？
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您好，目前在所风扇驱动模块，需要功率MOSFET，适用于24V系统的，N通道的请问有合适的型号推荐么
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新电元耐高压功率MOSFET MG020201这个可靠吗？
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汽车辅助刹车真空泵逆变单元选择新电元车规级功率MOSFET P140LF4QNK（40V/140A）评估，因成本costdown考量，请问是否有性价比好的低成本的40V/100A以上的型号可推荐？
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您好，我现在在设计搭载汽车用电子水泵系统，需要功率MOSFET，适用于24V系统的，N通道的，，请问有合适的型号推荐么
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
内阻低至1毫欧，电流最高240A的MOSFET | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会
本资料主要介绍了多种MOSFET产品的开发、销售策略和市场应用。包括低内阻、高电流的MOSFET产品，以及针对消费和车载市场的不同封装产品。资料还详细介绍了产品规格、目标市场、电路应用示例和汽车级产品的技术参数。
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MOSFET产品介绍
该资料主要介绍了MOSFET产品的发展与销售策略，包括全面扩大LF和FZ封装在消费和汽车（AEC-Q 101）市场的销售，以及900V FTO-220和FH产品的即将量产。此外，资料还涉及了EEVAMOS和CoolMOS（CP系列）的提案，以及EET5代芯片的RS样品准备。同时，还展示了低电压MOSFET工艺路线图和高压MOSFET工艺路线图，以及不同封装类型的特点和应用。
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【产品】漏源电压高达600V的快速切换功率场效应晶体管，可用于开关电源
SHINDENGEN半导体公司推出的P4B60HP2F系列功率场效应晶体管，具有较低的RDS(on)、较高的漏源电压和di/dt，并具有快速切换的优势。
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【产品】100%通过di/dt雪崩测试的HiPotMOS系列MOSFET
新电元的HiPotMOS系列MOSFET是业内唯一100%通过di/dt雪崩测试的产品，具有高击穿强度，其工作电压最高为600V，工作电流最大可达36A。相比于VX3系列产品，HiPotMOS系列MOSFET的导通阻抗降低约20%，最低导通阻抗仅0.08Ω；同时，该系列MOSFET的Ron*Qg值相比于传统产品减小了45%，可实现更低损耗，并有效提高系统效率。
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贴装面积减少25%，面向车载设备的新一代功率MOSFET开始发售，兼具小型封装与大电流特性
新电元推出了面向车载设备的新一代功率MOSFET“TOLL封装系列”产品。新产品通过采用新型封装设计，使贴装面积较之前产品减少约25%。同时，通过搭载采用栅极屏蔽结构的新一代芯片，额定电流达到232A，为之前产品的约180%，实现了小型化与大电流性能的有效结合。
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【应用】功率MOSFET P105LF4QNK助力车载EPS设计，符合AEC-Q101
本文主要介绍Shindengen的功率MOSFET P105LF4QNKE在汽车EPS系统的应用，采用HSON-8小尺寸封装（5mm x 6mm），节省PCB空间；具有更低的导通电阻，导通损耗小且自身发热少；沟道温度允许值高达175℃。
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【产品】新电元发售符合AEC-Q101标准的高耐压900V功率MOSFET，适合xEV用高电压DC/DC转换器
新电元工业株式会社近期已开始发售符合车载可靠性标准AEC-Q101的功率MOSFET“P3FH90VX3”,“P5FH90VX3”这两款产品，耐900V高压，适合用于xEV用DC/DC转换器控制电源的主开关和放电电路开关。
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【产品】N沟道功率mosfet P8FE10SBK、P14FE6SBK、P22FE4SBK，4.5V栅极驱动
Shindengen（新电元）推出了型号为P8FE10SBK、P14FE6SBK、P22FE4SBK的N沟道功率mosfet，采用SMD封装，产品具有4.5V栅极驱动，低电容且导通电阻小。
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