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MAXIMUM RATINGS(Ta = 25 ℃)
发布时间: 2025-07-08
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
固得沃克(GK)
型号:
ESD5451N
本数据手册详细介绍了ESD5451N瞬态电压抑制二极管(TVS)的电气特性与最大额定值。该器件专为保护敏感电路免受静电放电(ESD)瞬态电压冲击而设计,在25℃环境温度下,其空气放电耐压可达±25kV,接触放电耐压达±20kV,具备优异的防护能力。在电气参数方面,该TVS二极管的总功耗为200mW,反向工作峰值电压为5.0V,反向击穿电压范围在5.6V至8.0V之间,钳位电压(抑制电压)控制在9.8V至12.5V,且具有15pF的低电容特性。此外,资料还明确了其结温与存储温度范围均为-55℃至150℃,以及引线焊接温度为260℃(持续10秒)的工艺要求,为电路设计与可靠性验证提供了关键数据支持。基于该器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供从选型指导、设计验证到系统调试的全方位技术支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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固得沃克官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是固得沃克的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供固得沃克的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专业的二/三极管、桥堆制造商——固得沃克(Goodwork)
固得沃克(Goodwork)专注于二三极管、桥式整流器的研发生产,拥有自主品牌“GK,GW”,建有12条芯片封装及测试线,年产各类封装的半导体整流桥、贴片二极管、直插二极管等产品达100亿颗。世强是固得沃克官方授权一级代理商,代理固得沃克旗下二极管、三极管、桥堆等产品,库存丰富,正品保证。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合固得沃克原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供固得沃克快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
测试等级:空气放电30KV±5%;接触放电30KV±5%,适用标准:GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951;给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
数据手册 - 英文
PESD5V2S2UT 双瞬态电压抑制器阵列,用于ESD保护。
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数据手册 - 英文
最大额定值(Ta = 25℃)
2025/01/04
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数据手册 - 英文
PESD5V0S1BB双向ESD保护二极管
REV 1.0
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数据手册 - 英文
1N4148WS 0.15安培表面贴装硅整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
AOFET塑料封装
REV 1.0
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80N03 N沟道增强型MOSFET
REV 1.0
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数据手册 - 英文
5N10沟道增强型场效应晶体管
REV 1.0
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数据手册 - 英文
MURF3005至MURF30100 30.0安培超快速整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
HER301至HER308 3.0安培高效整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
SS515至SS520 5.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
SS515至SS520 5.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
SK22至SK210 2.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
B520C至B5100C 5.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
B520C至B5100C 5.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
REV 1.0
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测试报告 - 中文
DO41 整流二极管 RoHS(SGS)检测报告(SZXEC24000105002_1)
2024 年 01 月 30 日
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测试报告 - 英文
DO41整流二极管RoHS(SGS)测试报告(SZXEC 24000105001_1)
Jan 30, 2024
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数据手册 - 英文
MBRD1045CT至MBRD10200CT 10安培肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
MBRD3045至MBRD30200 30安培肖特基势垒整流器
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数据手册 - 英文
MBRD1045至MBRD10200 10安肖特基势垒整流器
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数据手册 - 英文
GBP406至GBP410单相4.0安培桥式整流器
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数据手册 - 英文
ES2A至ES2J 2.0安培表面贴装超快速整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
ES1A至ES1J 1.0安培表面贴装超快速整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
ES1A至ES1J 1.0安培表面贴装超快速整流器
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数据手册 - 英文
SS10100L 10.0安培肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
SS1045L至SS10100L 10.0安肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
10U45 10.0A表面贴装沟槽式肖特基整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
10U45 10.0A表面贴装沟槽式肖特基整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
ESD9B5VU单线双向TVS二极管
REV 1.0
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数据手册 - 英文
A1至A7 1.0安培表面贴装硅整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
ES05D2LA03双向ESD保护二极管
REV 1.0
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数据手册 - 英文
MSB30A至MSB30M 3.0安培表面贴装桥式整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
ES3.3D1MAD5双向ESD保护二极管
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数据手册 - 英文
GBJ35005至GBJ3510单相35安培桥式整流器
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数据手册 - 英文
GBJ35005至GBJ3510单相35安培桥式整流器
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数据手册 - 英文
KBJ4005至KBJ410单相4.0安培桥式整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
LM4001G至LM4007G 1.0安培表面贴装硅整流器
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数据手册 - 英文
20N65F N沟道增强型MOSFET
REV 1.0
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数据手册 - 英文
MUR2005CT至MUR20100CT 20.0安肖特基势垒整流器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
GS10A至GS10M 10.0安培表面贴装硅整流器
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SMAJ系列表面贴装瞬态电压抑制器
REV 1.0
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SMAJ系列表面贴装瞬态电压抑制器
REV 1.0
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数据手册 - 英文
MUR1602CT至MUR16100CT 16.0安肖特基势垒整流器
REV 1.0
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MUR1602CT至MUR16100CT 16.0安肖特基势垒整流器
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
单颗LC0502D6实现USB2.0 静电保护:接触放电25kV/空气放电30kV,满足工业抗扰需求
介绍USB2.0静电保护方案,采用单颗器件防护,保证信号完整性,并满足IEC61000-4-2等级4标准,适用于工业客户应对各种电气干扰。
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静芯SELC2F5V1BT/SEUC236T5V4UCESDESD静电保护器件VGA静电放电防护方案
本文介绍VGA接口在热插拔过程中面临的ESD静电放电问题,并提出两种ESD保护方案。方案一采用分立器件SELC2F5V1BT,方案二采用集成多路器件SEUC236T5V4UC,均满足IEC61000-4-2 Level 4防护等级,具备低钳位电压、低漏电流、响应速度快等特点,适用于VGA接口的静电防护。
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充电宝频频爆雷,电路设计千万要注意这些点!
本文,我们就来深入探讨分立器件——特别是保护器件TVS(瞬态电压抑制二极管)和ESD(静电放电保护器件)在移动电源中的关键作用。
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静电放电的保护详细说明
ESD 是电子元器件和集成电路系统过度电应力破坏的主因,静电通常人为产生,瞬间高压会造成毁灭性损伤。本文要讨论的是如何在电路里面设计保护电路,当外界有静电的时候我们的电子元器件或系统能够自我保护避免被静电损坏。
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静电ESD保护器件CSH712E2B适用于RS485接口防护,防静电能力高达±30KV
晟驰的CSH712E2B静电ESD保护器件,封装为SOT-23,功率为350W,拥有7V和12V不对称电压的特性,通流量Ipp最高可达17A,容值在55PF左右。CSH712E2B拥有出色的静电防护功能,无论是空中放电还是接触放电,均能达到±30KV的静电保护。
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【产品】SOT-23封装的ESD保护器件SMxxC系列,具有高特性的静电放电抗扰度,脉冲峰值功率达350W
时科SOT-23封装的ESD保护器件SMxxC系列专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。
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【产品】具有双向和单向两种配置的静电放电保护器件SM15C,峰值脉冲功率为400W
SLKOR的静电放电保护器件SM15C,峰值脉冲功率为400W(tp=8/20μs),有双向和单向两种配置。采用固态硅雪崩技术,具有低钳位电压和低漏电流,可保护两条数据线。满足相应的电磁兼容测试要求。广泛应用于数据线,自动柜员机,网络,电源线等应用场景。
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