PXN6R8-60QLA N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33 12 December 2024 Product data sheet
发布时间：
2025-07-13
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PXN6R8-60QLA
本产品数据手册详细介绍了Nexperia公司推出的PXN6R8-60QLA型号N沟道60V、6.8mΩ逻辑电平沟槽MOSFET。该器件采用MLPAK33封装，尺寸仅为3.3mm x 3.3mm，具备高效热性能与逻辑电平兼容性，并基于先进的沟槽MOSFET技术，能够提供高达70A的电流承载能力。凭借其低导通电阻与优异的热管理特性，该产品被广泛应用于二次侧同步整流、DC-DC转换器、家用电器、电机驱动、负载切换及LED照明等标准应用场景，能够有效提升电源系统的转换效率与可靠性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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PXN011-60QLA N沟道60V，11毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2025年2月5日产品数据手册。
5 February 2025
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PXN9R1-60QLA N沟道60V，9.1毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。
12 December 2024
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PXN5R7-60QLA N沟道60V，5.7毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。
12 December 2024
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PXN7R7-60QLA N型60V，7.7毫欧姆，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。
12 December 2024
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PNS40010AER-Q 400 V、1 A高功率密度、标准开关时间恢复整流器产品数据手册
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74AVC16T245 16位双电源转换收发器，可配置电压转换；3-状态
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Trench肖特基整流二极管采用夹片式FlatPower封装，提高系统效率
2021年9月
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PDTA143x/123J/143Z/114Y/124xQB系列50 V、100 mA PNP电阻晶体管产品数据手册
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74HC590 8位二进制计数器，带输出寄存器；3态产品数据表
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带电阻的晶体管PDTA114ET-Q PNPR1=10 kΩ，R2=10 kΩ
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PESD2ETH1GXT-Q车载网络ESD保护
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BC846BPN-Q 65 V、100 mA NPN/PNP通用晶体管
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74LVC04A六角逆变器
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XS5A1T4157低阻单刀双掷模拟开关
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74LVC1G02-Q100单路2输入NOR门
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74LV244-Q100八通道缓冲器/线路驱动器；3-状态
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74HC393；74HCT393；双通道4位二进制纹波计数器产品数据手册
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74AVC2T45；双位、双电源电压电平转换器/收发器产品数据手册
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74LV138；3至8线路解码器/解复用器；反转产品数据手册
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74HC240；74HCT240八通道缓冲器/线路驱动器；3-状态；反转产品数据手册
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BSS84AKQB 50 V、P沟道Trench MOSFET
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PMEG6030EVP-Q高温60 V、3 A肖特基势垒整流器
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BAS16H-Q高速开关二极管
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PMBTA06-Q NPN通用晶体管产品数据表
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74LVC1G53 2通道模拟多路复用器/解复用器产品数据表
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超高速接口PUSB3F96 ESD保护产品数据表
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PESD5V0L2UU；PESD6V0L2UU低电容单向ESD保护二极管产品数据表
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世强AI
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应用/方案
200V/18A的硅N沟道增强型VDMOSFET SL18N20，高效功率开关解决方案
萨科微半导体的SL18N20是一款硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，旨在降低导通损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。这一优秀的晶体管产品在各种功率开关电路中具有广泛的应用，为系统的小型化和更高效率提供了重要支持。
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【应用】N和P沟道增强型功率MOSFET HM4606D用在电动玩具车中，典型导通阻抗达到26mΩ
电动玩具车作为玩具市场的爆品，应用到了多个电机驱动，需要用到MOS管进行功率控制。虹美功率半导体N和P沟道增强型功率MOSFET HM4606D非常适合此类应用，其拥有超小的导通阻抗和超大的热散功耗，具有超高的性价比。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V
威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。
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【产品】国产N、P沟道二合一增强型MOSFET AP2714QD，具备高功率与电流处理能力的特性
铨力半导体推出的采用PDFN3X3封装的N、P沟道二合一增强型MOSFET AP2714QD，属于无铅产品，具备高功率与电流处理能力的特性，采用表面贴装封装，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
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【产品】极低开关损耗的增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，低RDS值为380mΩ
萨瑞微电子推出一款增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷，最大限度地减少传导损耗，同时能提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。
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【产品】60V/200A的N沟道增强型功率MOSFET RU6199S，连续漏极电流高达200A
RU6199S是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO263封装，采用超高密度单元设计，具有超低导通电阻。该产品漏源电压60V，连续漏极电流高达200A，漏源导通电阻典型值低至2.8mΩ。
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【产品】TO-252封装的N沟道增强型功率MOSFET RM90N40LD，连续漏极电流可达90A
RM90N40LD是丽正国际推出的TO-252封装N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和设计，以提供出色的RDS(ON)及低栅极电荷。其漏源电压可达40V，连续漏极电流可达90A（Tc=25℃）。
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【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET SI2300，采用SOT-23封装
辰达行（MDD）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型功率MOSFET SI2300，其具有低漏源导通电阻，支持3.3V 逻辑电平控制，漏源电压V(BR)DSS为20V，漏源导通电阻RDS(on)为19.4mΩ @ 4.5V 。
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【产品】采用SC89-3封装的N沟道增强型MOSFET AM4452，耗散功率0.3W
AiT推出的AM4452是一款N沟道增强型MOSFET。AM4452在环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±8V、连续漏极电流0.83A、脉冲漏极电流1.8A、耗散功率0.3W。工作结温与存储温度均为-55°C ~ 150°C。
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【产品】60V/45A的N沟道增强型功率MOSFET，散耗功率最大为96W
PJU45N06A / PJD45N06A / PJP45N06A是PANJIT公司（强茂公司）推出同一系列的三款封装的N沟道增强型MOSFET器件。工作电压均为60V，工作电流均为45A。区别在于分别采用了TO-251AA/TO-252AA/TO-220AB的封装方式（与前面顺序对应）。
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【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
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