HD7260 MOSFET
发布时间：
2025-07-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
HD7260
本数据手册详细介绍了HD7260这款N沟道MOSFET的技术规格与应用特性。该器件采用先进的沟槽技术设计，具备低导通电阻、低栅极电荷及低栅极电压等显著优势。在关键性能参数方面，其导通电阻RDS(ON)低于28mΩ（VGS=10V），支持100V高耐压与50A大电流，能够满足高可靠性应用场景的严苛要求。凭借优异的电气特性，该MOSFET主要适用于电池保护、开关应用以及不间断电源等领域，为相关电路设计提供了高效的功率控制解决方案。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，确保原厂授权与正品保障。用户可通过平台获取型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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现货平台 / 华轩阳电子 授权代理店
| 订货型号 | HD7260 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HD7260 | 品类 | 场效应管 |
| 描述/说明 | ID:50A,VDSS:100V,RDON:18mR,VGS:20V,TYPE:N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 50A | VDSS | 100V |
| RDON | 18mR | VGS | 20V |
| TYPE | N沟道 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HXY15N10D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HXY15N10D | 品类 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | The HXY15N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | 封装/外壳/尺寸 | TO252-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 100V | Gate-Source Voltage | ±20V |
| Pulsed Drain Current | 24A | Single Pulse Avalanche Energy | 6.1mJ |
| Avalanche Current | 11A | Total Power Dissipation(PD@TC=25℃) | 34.7W |
| Total Power Dissipation(PD@TA=25℃) | 2W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3059
库存：
100
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| 订货型号 | IRFP450 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | IRFP450 | 品类 | 场效应管 |
| 描述/说明 | 场效应管(MOSFET);N沟道,VDSS耐压650V,ID电流14A, RDON导通电阻0.43R@VGS,VGS(th)开启电压2.0-4.0 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247S |
| 最小包装量 | 30 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS | 650V | ID | 14A |
| RDS（on）@10V.MAX | 0.43R | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.7059
库存：
50
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| 订货型号 | BSS138DW | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | BSS138DW | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 圆盘 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.1412
库存：
0
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| 订货型号 | AOD603B | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | AOD603B | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-4L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | 圆盘 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9824
库存：
0
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| 订货型号 | GT4427DTR | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | GT4427DTR | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 电源电压范围:4.5V~25V,上升时间:30ns,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2025-09-28 |
| 电源电压 | 4.5V~25V | 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 30ns | 通道数 | 2 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | GT4428DTR | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | GT4428DTR | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 电源电压范围:4.5V~25V,上升时间：30ns,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2025-09-28 |
| 电源电压 | 4.5V~25V | 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 30ns | 通道数 | 2 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
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库存：
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| 订货型号 | GT4426DTR | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | GT4426DTR | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 电源电压范围:4.5V~25V,上升时间:30ns,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2025-09-28 |
| 电源电压 | 4.5V~25V | 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 30ns | 通道数 | 2 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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库存：
0
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| 订货型号 | IPG20N06S4L-26 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | IPG20N6S4L-26 | 品类 | N+N型场效应晶体管 |
| 描述/说明 | IPG20N6S4L-26采用先进的SGT MOSFET技术,提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性. | 封装/外壳/尺寸 | DFN-8L(5x6) |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 60V | Gate-Source Voltage | ±20V |
| Pulsed Drain Current | 180A | Single Pulsed Avalanche Energy | 36mJ |
| Power Dissipation | 60W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | 2N7002K-T1-GE3 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 2N7002K-T1-GE3 | 品类 | N沟道增强型MOSFET |
| 描述/说明 | The 2N7002K-T1-GE3 uses advanced trench te chnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 60V | ID | 0.3A |
| IDM | 0.8A | PD | 0.35W |
| TJ,TSTG | -55 To 150℃ | ||
授权代理商：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HD7260 N沟道增强型MOSFET
2024/1/22
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| 数据手册 - 英文 |
HD7260 N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
12N65 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
华轩阳电子400W峰值脉冲功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AOD5N50 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
10N65 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
10N65 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
20N50 N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
20N50 N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AOD2922 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AOT10N65 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
4N65F MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HXY MOSFET TO-3PF
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| 数据手册 - 英文 |
BSP43,115 SOT-223 HXY MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
STL65N3LLH5 DFN5X6-8L MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HXY MOSFET
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HXY MOSFET
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AP3N5R0MT MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AON6358 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
2N5962 PBFREE HXY MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AON7764 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HXY MOSFET IPZA60R037P7
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| 数据手册 - 英文 |
HXY MOSFET NTH4L040N65S3F
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| 数据手册 - 英文 |
HXY MOSFET BCW89,215
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| 数据手册 - 英文 |
HXY 2SK3748 TO-3PF MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS8690 DFN5X6-8L MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
2SK3747-1E TO-3PF MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
FDS6690S MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AO4453 P沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
BSC028N06NS N-SGT增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
18N50F N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
RD3P100SNTL1 SGT MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
TO-3PF HXY MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
FDS8874 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AO4430L MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
16N65F N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HD6751 P沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
FDD8896-G MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HD2190 MOSFET
Not specified
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| 数据手册 - 英文 |
FDS6614A MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HDMN63D1LW7 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HDMN63D1LW7 MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SM480T9RL MOSFET
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SM480T9RL MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
AP3N5R0AMT MOSFET
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AP3N5R0AMT MOSFET
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AOTF13N50 MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
Factors to Consider When Choosing a MOSFET
When selecting a MOSFET with high-cost performance, long life, strong reliability, high stability, and high fit, the above factors and parameters need to be considered, and it is necessary to ensure that the on-resistance RDS(on) meets the requirements.
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【技术】MOSFET常见的八种失效原因和解决方法
MOSFET在使用过程中，可能会出现各种失效情况，须了解各种失效原因及其解决方法。以下是华轩阳电子常见的八种电子元器件失效情况及对应解决方法。总之，在设计和使用电子元器件时，须对各种失效原因和解决方法有认识和了解，以避免出现损坏或安全问题。
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